一种低氧硅片及其制备方法技术

本申请涉及一种硅片，其中，所述硅片中的锑元素的浓度为4E+14cm‑3至2E+16cm‑3，所述硅片中的总氧含量在25ppma以下，优选在18ppma以下，进一步优选在14ppma以下。本申请涉及包括该硅片的电池和电池组件。本申请涉及一种电池，其中，所述电池的衬底包括锑元素，锑元素的浓度为4E+14cm‑3至2E+16cm‑3，优选为4.30E+14cm‑3至1.9E+16cm‑3；进一步优选为4.45E+14cm‑3至1.87E+16cm‑3，所述衬底中的总氧含量在35ppma以下，优选在25ppma以下，进一步优选在18ppma以下。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能光伏领域，具体涉及一种低氧硅片，该硅片的制备方法，并且涉及包括该硅片的电池和电池组件。

技术介绍

1、随着传统能源的日益枯竭，以及人们对环境要求的不断提高，作为无污染的清洁能源，太阳电池得到更加迅猛的发展。而作为现今占据太阳电池绝大部分市场的晶硅太阳电池，其制备技术一直代表着整个太阳电池工业的水平。

2、为了使单晶硅太阳能电池的光电转换率得到提高，降低光衰减率，就要从生产过程着手来降低单晶硅棒拉伸过程中的氧含量，在晶体生长过程中氧主要是由石英坩埚受热产生，氧来源于熔解的石英坩埚，并通过熔体热对流不断向晶体和熔体自由表面输运而进入单晶晶体的拉伸生长整个过程，为此，降低氧含量是行业内一直难以解决的问题。

技术实现思路

1、当前常规掺磷n型硅片主要通过调整埚转、拉速、晶转、等径功率等工艺手段控制氧含量。本申请的专利技术人通过深入研究开发了如下技术方案：

2、1.一种硅片，其中，所述硅片中的锑元素的浓度为4.00e+14cm-3至2.00e+16cm-3，所述硅片中的总氧含量在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅片，其中，所述硅片中的锑元素的浓度为4.00E+14cm-3至2.00E+16cm-3，所述硅片中的总氧含量在25ppma以下，优选在18ppma以下，进一步优选在14ppma以下。

2.根据权利要求1所述的硅片，其中，所述硅片中的锑元素的浓度为4.30E+14cm-3至1.90E+16cm-3。

3.根据权利要求1所述的硅片，其中，所述硅片中的锑元素的浓度为4.45E+14cm-3至1.87E+16cm-3。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的硅片，其中，所述硅片中的总氧含量在2ppma以上，优选在3ppma以上，进一步优选在4ppma以...

【技术特征摘要】

1.一种硅片，其中，所述硅片中的锑元素的浓度为4.00e+14cm-3至2.00e+16cm-3，所述硅片中的总氧含量在25ppma以下，优选在18ppma以下，进一步优选在14ppma以下。

2.根据权利要求1所述的硅片，其中，所述硅片中的锑元素的浓度为4.30e+14cm-3至1.90e+16cm-3。

3.根据权利要求1所述的硅片，其中，所述硅片中的锑元素的浓度为4.45e+14cm-3至1.87e+16cm-3。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的硅片，其中，所述硅片中的总氧含量在2ppma以上，优选在3ppma以上，进一步优选在4ppma以上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的硅片，其中，所述硅片中的间隙氧含量在1ppma以上，优选在2ppma以上，进一步优选在3ppma以上。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的硅片，其中，所述硅片中的间隙氧含量在0.8ppma以上，优选在0.85ppma以上，进一步优选在0.9ppma以上。

7.根据权利要求5所述的硅片，其中，所述硅片中的氧沉淀含量占总氧含量中的比例为15％～43％，优选为18％～42％，进一步优选为20％～40％。

8.根据权利要求6所述的硅片，其中，所述硅片中的氧沉淀含量占总氧含量中的比例为20％～60％，优选为22％～58％，进一步优选为25％～55％。

9.根据权利要求5所述的硅片，其中，所述硅片中的氧沉淀含量为11ppma以下，优选为10.5ppma以下，进一步优选在0.3ppma以上，优选在0.36ppma以上。

10.根据权利要求6所述的硅片，其中，所述硅片中的氧沉淀含量为15ppma以下，优选为14.5ppma以下，进一步优选在0.4ppma以上，优选在0.44ppma以上。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的硅片，其中，所述硅片的电阻率为0.3～10ω·cm，优选为0.4～8ω·cm；进一步优选0.5～6ω·cm。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的硅片，所述硅片还包括磷、镓、锗中的至少一种。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的硅片，所述硅片的机械强度大于等于70mpa，和/或所述硅片的机械强度的离散度小于等于0.9。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的硅片，所述硅片的边距大于156mm。

15.根据权利要求1～14中任一项所述的硅片，所述硅片为矩形，所述矩形的一边距为156mm～300mm，所述矩形的另一边距为83～300mm。

16.根据权利要求1～15中任一项所述的硅片，所述硅片还包括连接硅片相邻两边之间的倒角，所述倒角的弧长投影长度为1mm至10mm。

17.根据权利要求1～16中任一项所述的硅片，所述硅片的厚度为40μm～170μm，优选为70μm～160μm，进一步优选为80μm～140μm。

18.一种电池，其包括权利要求1～17中任一项所述的硅片或由权利要求13所述的方法制备的硅片。

19.根据权利要求18所述的电池，所述电池的机械强度大于等于50mpa，优选大于等于60mpa；优选大于等于70mpa。

20.根据权利要求18或19所述的电池，所述电池的厚度为40μm～170μm，优选为70μm～160μm，进一步优选为80μm～140μm。

21.根据权利要求18～20任一项所述的电池，所述电池的一边距为156mm～300mm，所述电池的另一边距为83～300mm。

22.根据权利要求18～21任一项所述的电池，所述电池包括硅衬底，所述硅衬底的电阻率为0.3～10ω·cm，优选为0.4～8ω·cm；进一步优选0.5～6ω·cm。

23.一种电池，其中，所述电池的衬底包括锑元素，锑元素的浓度为4e+14cm-3至2e+16cm-3，优选为4.30e+14cm-3至1.9e+16cm-3；进一步优选为4.45e+14cm-3至1.87e+16cm-3，所述衬底中的总氧含量在35ppma以下，优选在25ppma以下，进一步优选在18ppma以下。

24.一种太阳能电池，包括硅衬底，在所述硅衬底至少一侧表面内有掺杂区，所述硅衬底含有锑元素，所述掺杂区掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：付楠楠，王一淳，白雪琪，付泽华，卢若晨，陈晓波，马晓康，樊家睿，徐森炀，靳乾，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：