合肥睿科微电子有限公司专利技术

合肥睿科微电子有限公司共有31项专利

  • 本发明公开存储器电路及随机存取存储器单元的读取方法其中,存储器电路包括:随机存取存储器单元阵列;提供预充电电压的低阻抗电压源;控制电路,控制电路用于在读取随机存取存储器单元阵列中的一个随机存取存储器单元之前,利用低阻抗电压源,将随机存取...
  • 本发明公开了一种存储器电路及随机存取存储器单元的读取方法,其中,存储器电路包括:随机存取存储器单元阵列;用于提供预充电电压的低阻抗电压源;以及控制电路,所述控制电路用于在读取所述随机存取存储器单元阵列中的一个随机存取存储器单元之前,利用...
  • 一种用于调整显示装置(200)亮度的电路结构(320,420,520)。该电路结构(320,420,520)包括:非易失性存储器阵列(321,421,521),其具有多个存储单元,所述存储单元用于存储所述显示装置(200)的亮度数据,以...
  • 本发明公开一种存储装置。该存储装置包括一底电极;一转换层,由设于所述底电极上方的材料构成,所述转换层包括具有第一浓度的掺杂材料的一个或多个横向区域,其中,所述一个或多个横向区域位于所述转换层的顶部区域和底部区域之间,所述顶部区域和所述底...
  • 本发明公开一种形成非易失性存储结构的方法。所述方法包括:设置转换层的底部区域;在所述转换层的所述底部区域上方设置所述转换层的一个或多个横向区域,所述转换层的所述一个或多个横向区域包括掺杂材料;在所述一个或多个横向区域上方设置所述转换层的...
  • 本发明公开一种阻变式随机存取存储器(RRAM)。该RRAM包括由钨构成的一个或多个底电极;一个或多个转变层,由设于所述一个或多个底电极上方的氧化铪构成,所述一个或多个转变层包括可转变细丝;设于所述一个或多个转变层上方的一个或多个电阻层;...
  • 本发明公开了存储装置的电子电路及方法,所述电子电路包括:一确定电路,用于基于与电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的电阻相关的一测量结果,来确定表示所述RRAM单元的单个写入操作期间的脉冲的数量的写入条件,与所述RRAM单元的所述电阻相...
  • 本发明公开了存储装置,所述存储装置包括:由多条位线连接的存储器单元阵列,一读取感测电路,用于将电压施加至所述存储器单元阵列中所选定的存储器单元并感测由所述电压的施加而产生的电流,其中,所述读取感测电路施加所述电压并感测通过所述多条位线中...
  • 本发明公开用于初始化电阻式存储装置的方法和装置。该装置包括并行初始化电路;以及联接到并行初始化电路的存储阵列,存储阵列包括多个存储单元,存储单元包括变阻材料,并行初始化电路用于:在所述存储单元的所述变阻材料上施加第一电压以形成初始细丝;...
  • 本发明公开用于初始化电阻式存储装置的方法和装置。该方法中,在电阻式随机存取存储单元的金属氧化物材料上施加第一电压以形成初始细丝,第一电压在限流成形操作中施加在金属氧化物材料上;以及执行多个循环以调节初始细丝,每个循环包括:执行一系列第一...
  • 本发明公开了一种双精度模拟存储器单元及阵列。在一些实施方式中,一种存储器单元包括:具有一输入端和至少一个输出端的非易失性存储元件;以及具有多个输入端和一输出端的易失性存储元件,其中,所述易失性存储元件的所述输出端连接至所述非易失性存储元...
  • 本发明公开一种阻变式随机存取存储器电路及其操作方法。根据本发明的阻变式随机存取存储器(RRAM)阵列具有一条或多条源极线以及一条或多条位线。其中,控制电路在设置操作过程中将RRAM单元设置为低阻态,以及在重置操作过程中将该RRAM单元重...
  • 本发明提供了一种阻变存储器及其操作方法,其中所述阻变存储器包括:依次堆叠的至少两层导电层以及位于每相邻两层导电层之间的电阻转变层,其中,每层所述导电层与其接触的电阻转变层的交界处形成有具有界面作用力的迁移界面,且所述迁移界面通过所述界面...
  • 本发明公开一种非易失性存储单元的制造方法,包括:在第一金属线路上形成第一介质层;刻蚀形成直达所述第一金属线路的第一过孔;在所述第一过孔内形成一底电极;在所述底电极和所述第一介质层上形成一电阻层、一顶电极以及第二介质层;氧化所述电阻层和所...
  • 本发明公开了一种用于安全存储和计算的数模混合式存储器件及其操作方法。根据一实施例的非易失性存储器件包括:以矩阵形式排列的多个存储器单元;沿第一方向延伸的多条字线,其中,每一个存储器单元与所述多条字线当中的一条字线连接;沿不同于所述第一方...
  • 一种存储器件包括存储器单元,该存储器单元包括底电极,顶电极以及设于所述底电极和所述顶电极之间的介电层。所述底电极具有第一宽度W1。所述顶电极具有顶面,该顶面具有介于该顶面的两边缘之间的第二宽度W2。所述存储器单元具有从所述底电极的底面延...
  • 本发明涉及一种具有嵌入式非易失性存储器的显示控制装置。该装置包括用于接收和处理待被显示在显示装置上的图像数据的多个上游模块;连接至所述多个上游模块并且用于根据所述显示装置的亮度数据调节所述图像数据的亮度调节模块,其中,所述亮度调节模块包...
  • 所公开的电路和方法用于随机存取存储器单元的电压模式位线预充电。一种电路包括:随机存取存储器单元阵列;用于提供预充电电压的低阻抗电压源;控制电路,该控制电路用于在读取其中一个所述随机存取存储器单元之前,利用所述低阻抗电压源,将该其中一个所...
  • 一种显示驱动集成电路包括:用于接收针对显示面板的显示感测信号的输入端;与所述输入端连接的电阻式随机存取存储器,该电阻式随机存取存储器用于存储表示所述显示感测信号的感测值;显示补偿逻辑,该显示补偿逻辑与所述电阻式随机存取存储器连接,以接收...
  • 一种非易失性存储单元,包括:底电极;含导电材料的顶电极;设于所述底电极和所述顶电极之间的电阻层;以及覆盖所述顶电极和所述电阻层侧面的侧面部分。该侧面部分含所述导电材料的氧化物。所述非易失性存储单元还包括设于所述顶电极上的接触导线。所述接...