非易失性存储单元、非易失性存储单元阵列及其制造方法技术

一种非易失性存储单元，包括：底电极；含导电材料的顶电极；设于所述底电极和所述顶电极之间的电阻层；以及覆盖所述顶电极和所述电阻层侧面的侧面部分。该侧面部分含所述导电材料的氧化物。所述非易失性存储单元还包括设于所述顶电极上的接触导线。所述接触导线的宽度小于所述侧面部分的外侧面间宽度。于所述侧面部分的外侧面间宽度。于所述侧面部分的外侧面间宽度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】非易失性存储单元、非易失性存储单元阵列及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求申请号为16/669391，申请日为2019年10月30日，名称为“非易失性存储单元、非易失性存储单元阵列及其制造方法”的美国申请以及申请号为62/862307，申请日为2019年6月17日，名称为“非易失性存储单元、非易失性存储单元阵列及其制造方法”的美国临时申请的优先权。申请号为16/669391的美国申请要求申请号为62/862307的美国临时申请的优先权及权益。此两申请的公开内容整体援引于此。


[0003]本专利技术总体涉及存储单元以及存储单元制造方法，尤其涉及非易失性存储单元、非易失性存储单元阵列及其制造方法。

技术介绍

[0004]手机、计算机、汽车、显示器等许多电子设备均含有存储器件。存储器件用于存储用于各种目的数据。取决于断电后所存数据是被保留还是被擦除，存储器件一般包括两种存储类型。对于易失性存储器件，每当易失性存储器件的电源关断时，其内的数据均将被清除。然而，对于非易失性存储器件，即使在电源关断时，其内保本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种非易失性存储单元，其特征在于，包括：一底电极；含导电材料的一顶电极；一电阻层，设于所述底电极和所述顶电极之间；侧面部分，覆盖所述顶电极和所述电阻层的侧面，所述侧面部分包括所述导电材料的氧化物；以及一接触导线，设于所述顶电极上，其中，所述接触导线的宽度小于所述侧面部分的外侧面之间的宽度。2.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于，还包括：一绝缘层，设于所述侧面部分上；以及侧墙，覆盖所述侧面部分和所述绝缘层的外侧面，其中，所述接触导线的侧面与所述绝缘层和所述侧墙相接触。3.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于：所述接触导线的部分底面以及所述接触导线的部分侧面与所述侧面部分相接触。4.根据权利要求1所述的述非易失性存储单元，其特征在于：所述接触导线的宽度大于所述顶电极的宽度。5.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于：所述底电极包括TiN、TaN、W中的至少一种。6.根据权利要求1的所述非易失性存储单元，其特征在于：所述顶电极包括TiN、TaN、Ru、Pt、Ir、W中的至少一种。7.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于：所述电阻层包括金属氧化物。8.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于：所述电阻层包括第一薄膜以及设于所述第一薄膜上的第二薄膜，所述第二薄膜与所述第一薄膜不同。9.根据权利要求8所述的非易失性存储单元，其特征在于：所述第一薄膜包括第一金属氧化物；所述第二薄膜包括第二金属氧化物。10.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征在于：所述侧面部分还包括所述电阻层的氧化物。11.根据权利要求1所述的非易失性存储单元，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏志强，吕志超，
申请(专利权)人：合肥睿科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：