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非易失性存储单元、非易失性存储单元阵列及其制造方法技术
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文档序号:30135176
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一种非易失性存储单元,包括:底电极;含导电材料的顶电极;设于所述底电极和所述顶电极之间的电阻层;以及覆盖所述顶电极和所述电阻层侧面的侧面部分。该侧面部分含所述导电材料的氧化物。所述非易失性存储单元还包括设于所述顶电极上的接触导线。所述接触导...
该专利属于合肥睿科微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过合肥睿科微电子有限公司授权不得商用。
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