本发明提供了一种复合陶瓷基板、覆铜陶瓷基板及制备方法和应用，属于半导体器件技术领域。本发明提供的复合陶瓷基板包括氮化铝基体以及分布在所述氮化铝基体中的氮化硅网状支架；所述氮化硅网状支架由多个氮化硅片形成，单个所述氮化硅片的厚度为0.2~...

本发明提供了一种预成型焊片及其制备方法与应用，属于功率电子器件封装技术领域。本发明提供的预成型焊片由金属支撑网、填充在所述金属支撑网孔隙中的核壳结构纳米颗粒与复合微米线经电磁核壳压制而成，所述金属支撑网由毫米级的金属丝形成，所述核壳结构...

本发明公开一种新型集成栅极电阻的IGBT结构，涉及IGBT结构技术领域，包括栅极金属、栅极电阻和元胞区，元胞区内具有多晶硅栅，栅极电阻位于栅极金属与多晶硅栅之间，栅极金属与栅极电阻之间、栅极电阻与元胞区之间均设置有电介质层，电介质层中设...

本发明公开了一种免焊接模块封装结构，属于电力电子芯片封装技术领域，包括模块主体和散热器，模块主体包括绝缘压板和复合基板，绝缘压板包括压板部和设有第一微米线的连接部，复合基板包括陶瓷基底，陶瓷基底一侧的板面上设有第二微米线和电连铜层，第一...

本发明公开一种IGBT模块及其制造工艺，属于电力电子制造和封测技术领域，包括顺次连接的铜热沉、铜基板、BPSG绝缘层、铜层和芯片，铜热沉朝向铜基板的连接面设置有第一铜纳米毛刺，铜基板朝向铜热沉的连接面设置有第二铜纳米毛刺，第一铜纳米毛刺...

本发明公开了一种免焊模块封装结构及其双面散热模块封装结构，属于电力电子芯片封装技术领域，包括散热器、覆铜陶瓷板和集成芯片；散热器上设有第一纳米金属柱矩阵；覆铜陶瓷板的导热铜层上设有与第一纳米金属柱矩阵交叉互连的第二纳米金属柱矩阵，覆铜陶...

本发明提供一种近热点IGBT模块散热和封装结构，涉及电子封装技术领域，包括封装底板，所述封装底板上端表面一体化固定连接有封装外框，所述封装底板上端四角处分别开设有四个模块安装孔，所述封装底板上且位于封装外框内设置有DBC散热组件，所述D...

本发明提供一种嵌入式双面散热MOSFET模块封装结构，涉及电力电子功率模块封装技术领域，包括DBC组合层和MOSFET芯片，DBC组合层包括有DBC陶瓷层，DBC陶瓷层上表面两侧分别一体化设置有安装间隔，每个安装间隔内部分别开设有方形凹...

本发明公开了一种液态金属锡辅助纳米银烧结工艺，具体按照如下操作步骤：S1：纳米银颗粒的制备，S2：纳米银焊膏的制备，S3：纳米锡纳米银复合焊膏的制备,S4：将有机载体溶入有机溶剂，本发明通过在纳米银膏体内无团聚的分散添加金属锡颗粒，借助...

本发明提供一种IGBT模块新型pin

本发明涉及一种IGBT模块封装结构。属于功率半导体器件技术领域，本发明通过设置包括共P极层及成阵列排列的N极层单元的结构，实现IGBT模块封装结构中FRD芯片和IGBT芯片的集成化，提高了IGBT模块封装结构的集成度，减小了IGBT模块...

本发明涉及一种具有散热结构的电力电子器件IGBT模块及制备方法，属于电力电子制造和封测技术领域。所述具有散热结构的电力电子器件IGBT模块包括：键合线、IGBT芯片、FRD芯片、焊料层、DBC基板、导热脂层、散热结构以及微泵；所述散热结...

本发明涉及一种自动温度控制功率芯片结构及制备方法，属于功率电子器件封装技术领域，利用半导体珀尔帖效应在绝缘栅双极型晶体管底面通过定向掺杂形成阵列式P

本发明公开了一种自动温度控制的IGBT模块封装结构，包括：由下至上依次设置的热沉、TIM、铜基板、焊料层和覆铜陶瓷基板；所述覆铜陶瓷基板上还设置有二极管和IGBT芯片；所述热沉、所述TIM、所述铜基板、所述焊料层和所述覆铜陶瓷基板内贯穿...