一种预成型焊片及其制备方法与应用技术

本发明专利技术提供了一种预成型焊片及其制备方法与应用，属于功率电子器件封装技术领域。本发明专利技术提供的预成型焊片由金属支撑网、填充在所述金属支撑网孔隙中的核壳结构纳米颗粒与复合微米线经电磁核壳压制而成，所述金属支撑网由毫米级的金属丝形成，所述核壳结构纳米颗粒包括铜纳米颗粒、包覆在所述铜纳米颗粒表面的第一金属层以及包覆在所述第一金属层表面的有机薄膜，所述复合微米线包括铜微米芯材以及包覆在所述铜微米芯材表面的第二金属层。本发明专利技术提供的预成型焊片能够避免芯片在回流时出现的倾斜问题，且利用其焊接后的器件在高温服役条件下具有良好的可靠性。役条件下具有良好的可靠性。役条件下具有良好的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种预成型焊片及其制备方法与应用


[0001]本专利技术涉及功率电子器件封装
，尤其涉及一种预成型焊片及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]随着新型电子领域如航空航天、电子汽车、显示器、轨道交通等对于能源的高效利用，微型化封装以及高温器件应用的需求日益增加，以SiC和GaN为主的宽带隙半导体由于其高的击穿电压、热导率、电子密度和迁移率而受到了广泛的关注。相比于传统硅基半导体在高温条件下应用的不稳定性，宽带隙半导体在高温条件下展现出了完美的可靠性，能够满足功率器件的高温应用。传统的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）封装主要使用SCA305、SnSb5和SnSb10这类焊接材料作为功率芯片的集电极和与之反并联的二极管芯片的阳极以及覆铜陶瓷基板（DBC）间的互连材料。这些焊接材料通常由Sn、Ag、Cu、Sb、Zn和Cr等合金元素为主，与助焊剂、粘接剂、分散剂以及活化剂等材料混合而成。将这些焊接材料用于封装互连结构中，芯片易在回流时出现倾斜问题，而且其服役温度较低，无法满足功率电子器件封装的高可靠性需求。
专利技术内容
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种预成型焊片，其特征在于，由金属支撑网、填充在所述金属支撑网孔隙中的核壳结构纳米颗粒与复合微米线经电磁核壳压制而成；所述金属支撑网由毫米级的金属丝形成；所述核壳结构纳米颗粒包括铜纳米颗粒、包覆在所述铜纳米颗粒表面的第一金属层以及包覆在所述第一金属层表面的有机薄膜；所述复合微米线包括铜微米芯材以及包覆在所述铜微米芯材表面的第二金属层。2.根据权利要求1所述的预成型焊片，其特征在于，所述金属丝的直径为1~10mm，所述金属丝的材质包括铜、金或银。3.根据权利要求1或2所述的预成型焊片，其特征在于，所述金属支撑网的孔隙尺寸为0.5~8mm。4.根据权利要求1所述的预成型焊片，其特征在于，所述铜纳米颗粒的粒径为50~800nm，所述第一金属层的厚度为10~90nm，所述有机薄膜的厚度为100~600nm。5.根据权利要求1或4所述的预成型焊片，其特征在于，所述第一金属层的材质包括银、金、锡、镍或锑，...

【专利技术属性】
技术研发人员：周洋，冯铮，袁雄，
申请(专利权)人：合肥阿基米德电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：