一种晶体的偏置切割方法，涉及晶体切割技术领域，用于解决现有技术中晶体的切割方法容易造成碎片，也即开裂率较高的技术问题。所述晶体的偏置切割方法，在晶体材料的摇摆切割过程中，使晶体材料倾斜偏置一定角度，以减小切割机的切割线对切成晶片位置的冲...

本发明公开一种碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法及装置，涉及碳化硅晶圆检测技术领域，其能够直观地观察到是否存在贯穿型管道，且检测时间短、检测人员不易产生疲劳，能够有效保证检测的一致性。本发明所述的碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法，包括...

本发明公开一种用于解决碳化硅晶圆化学机械抛光后产生局部高点的方法、一种陶瓷盘及应用其的化学机械抛光装置，涉及碳化硅晶圆加工技术领域，通过改变陶瓷盘贴片区域的形状来达到改变晶圆局部受力分布，从而研磨去除掉晶圆局部高点。本发明所述的用于解决...

本实用新型公开了一种高质量大直径SiC单晶的制备装置，属于SiC晶体生长领域，该装置包括坩埚、保温层、加热装置和多孔石墨桶；其中，所述坩埚位于保温层内；所述加热装置位于所述保温层的外侧；籽晶和所述多孔石墨桶位于坩埚内，与坩埚同轴；本实用...

本实用新型公开了一种低缺陷密度SiC单晶的制备装置，属于SiC晶体生长领域，该装置包括：坩埚、保温层、外加热器和上加热器，其中，所述坩埚位于保温层内；所述外加热器位于所述保温层外侧；所述上加热器位于所述坩埚顶盖的上部，配合所述外加热器反...

本实用新型公开一种碳化硅单晶快速扩径生长系统，涉及半导体晶体生长技术领域，用于解决现有技术中在保证结晶质量的前提下，无法较好地实现碳化硅单晶的快速扩径的问题。本实用新型提供的碳化硅单晶快速扩径生长系统，包括：坩埚桶，所述坩埚桶具有金属或...

本发明公开一种高纯半绝缘SiC单晶的制备方法，涉及SiC单晶的生长制备技术领域，用于解决现有技术中针对石墨部件及多晶原料所吸附氮气在高温生长过程中解吸附而导致高纯半绝缘SiC单晶产率下降的技术问题。本发明所述的高纯半绝缘SiC单晶的制备...

本发明涉及一种碳化硅晶片化学机械抛光后表面保护方法，包括如下步骤：1）将多线切割后的晶片进行机械加工处理，2）将氢氟酸溶液稀释到一定浓度后备用，3）将所述步骤1）中加工处理后的晶片放置于稀释后的氢氟酸溶液中，静置一段时间，4）将所述步骤...

本发明公开了一种高质量大直径SiC单晶的制备装置及方法，属于SiC晶体生长领域，该装置包括坩埚、保温层、加热装置和多孔石墨桶；其中，所述坩埚位于保温层内；所述加热装置位于所述保温层的外侧；籽晶和所述多孔石墨桶位于坩埚内，与坩埚同轴；本发...

本发明公开了一种低缺陷密度SiC单晶的制备装置及方法，属于SiC晶体生长领域，该装置包括：坩埚、保温层、外加热器和上加热器，其中，所述坩埚位于保温层内；所述外加热器位于所述保温层外侧；所述上加热器位于所述坩埚顶盖的上部，配合所述外加热器...

本发明公开一种碳化硅单晶快速扩径生长方法，涉及半导体晶体生长技术领域，用于解决现有技术中在保证结晶质量的前提下，无法较好地实现碳化硅单晶的快速扩径的问题。本发明方法通过采用具有一定厚度的碳化硅单晶材料作为籽晶，并将其圆周面通过曲面化学机...