一种碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法及装置，涉及碳化硅晶圆检测技术领域，其能够直观地观察到是否存在贯穿型管道，且检测时间短、检测人员不易产生疲劳，能够有效保证检测的一致性。本发明专利技术所述的碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法，包括以下步骤：通过采用真空装置，使被测晶圆两侧产生压力差；在此条件下，在晶圆的一侧喷涂酒精液体；通过观察晶圆的另一侧是否存在漏液情况，以判断晶圆是否存在贯穿型管道缺陷。晶圆是否存在贯穿型管道缺陷。晶圆是否存在贯穿型管道缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法及装置


[0001]本专利技术涉及碳化硅晶圆检测
，尤其涉及一种碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法及装置。

技术介绍

[0002]管道缺陷是SiC晶体生产过程中产生的一种晶体缺陷。这种管道缺陷是沿 C 轴贯穿的空心位错，形状像细小的管子；管道的半径从几十纳米到几微米；如果管道沿纵轴方向贯穿晶圆，会严重影响晶片的质量。
[0003]目前现有技术中，检测这种缺陷的方法主要有两种：一种是通过扫描电镜，可以观察到管道缺陷形貌；别一种方法则是化学腐蚀后，进行显微镜检测。
[0004]然而，扫描电镜检测方法，成本高，效率低；由于扫描电镜视野问题，如果对整片晶片进行检测，熟练操作人需要约45分钟时间；操作人员长时间通过显示器观察获得的图像，也容易产生视觉疲劳，影响检测效果。化学腐蚀后显微镜检测方法，除具有扫描电镜检测方法的缺陷外，还会对样品产生损伤，不适用于大规模生产。并且，由于两种方法都是对聚焦晶圆一侧进行检测，因此对判定是否产生贯穿型管道，存在难度。

技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：通过采用真空装置，使被测晶圆两侧产生压力差；在此条件下，在晶圆的一侧喷涂酒精液体；通过观察晶圆的另一侧是否存在漏液情况，以判断晶圆是否存在贯穿型管道缺陷。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：将晶圆表面擦拭干净；将晶圆放置在卡盘上；打开压力阀门后，通过观察压力表并将真空度调整至1.5
‑
2.5bar；在晶圆表面均匀滴上酒精；在光源辅助条件下，观察是否有液体透过晶片，以判断是否存在管道缺陷。3.根据权利要求2所述的碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法，其特征在于，打开压力阀门后，通过观察压力表并将真空度调整至2bar。4.根据权利要求2或3所述的碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法，其特征在于，光源与晶圆呈40
‑
50
°
。5.根据权利要求4所述的碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法，其特征在于，光源与晶圆呈45
°
。6.根据权利要求2所述的碳化硅晶圆贯穿型管道缺陷的检测方法，其特征在于，光源采用手电筒。7.一种碳化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵华利，崔景光，闫兰，高彦静，赵焕君，李永超，吕敬文，
申请(专利权)人：河北同光科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：