本发明公开了一种具有抗UV性能的VA‑LCD用液晶组合物，液晶组合物中包括3～90％的至少一种具有如式Ⅰ所示结构的第一组份，0～60％的至少一种具有如式Ⅱ所示结构的第二组分，3～55％的至少一种具有如式Ⅲ所示结构的第三组份，2～45％的...

本发明涉及一种低阈值低功耗低粘度的液晶组合物，该组合物含5～90％如式(Ⅰ)所示第一组分；3～30％如式(Ⅱ)所示第二组分；3～60％如式(Ⅲ)所示第三组分；1～30％如式(Ⅳ)所示第四组分；0～35％如式(

本发明公开了一种反式

本发明属于液晶化合物技术领域，公开了一种含氟负性液晶化合物及其制备方法。本发明的含氟负性液晶化合物的结构通式如式I所示：本发明的含氟负性液晶化合物，在环B的1位增加侧向的(多)氟甲基，可以增加分子侧向的负性性能；当环A或环C为芳烃，同时...

本发明公开了一种反式酮类中间体的制备方法，包括如式(I)和式(II)所示的化合物：所述制备过程包括：(1)将式(I)所示化合物经催化加氢制得酮中间产物；(2)将苄氧基卤代苯与镁粉制成格氏试剂，所述格氏试剂与步骤(1)制备的酮中间产物经酸...

本发明属于液晶化合物的技术领域，具体地说，涉及一种液晶中间体及其制备方法。一种液晶中间体，具有如下式(I)所示的结构：

本发明涉及液晶显示材料领域，具体涉及一种含有二氟甲氧基桥键的液晶化合物、制备方法及应用。所述的液晶化合物具有如式T所示结构：

本发明公开了一种液晶化合物及制备方法及中间体，所述化合物的结构通式如下所示：

本发明属于液晶材料技术领域，涉及低粘度快速响应且低功耗负性液晶组合物及液晶显示器，该组合物包含5～90％选自式(Ⅰ)化合物作为第一组份；2～75％选自式(Ⅱ)化合物作为第二组分；1～65％选自式(Ⅲ)化合物作为第三组份；0～30％选自式...

本发明属于液晶化合物技术领域，具体地说，涉及一种负性液晶化合物及其制备方法，该化合物结构如通式(I)所示：

本发明涉及一种低阈值低功耗宽温的VA‑LCD用液晶组合物，改组合物含3～90％选自式(Ⅰ)化合物作为第一组份；1～75％选自式(Ⅱ)化合物作为第二组分；1～75％选自式(Ⅲ)化合物作为第三组份；1～65％选自式(Ⅳ)化合物作为第四组分；...

本发明属于液晶化合物技术领域，具体公开了一种结构式(I)所示的新型结构负性液晶单体，此单体含有环氧乙烷和含氟二苯并呋喃类负介电各向异性液晶单体。该单体具有良好的负介电各向异性，其制备原料在液晶行业通用，适用于大规模生产。

本发明涉及一种低阈值低功耗低粘度快速响应的VA‑LCD用液晶组合物。该组合物含5～90％选自式(Ⅰ)化合物作为第一组份；1～75％选自式(Ⅱ)化合物作为第二组分；1～75％选自式(Ⅲ)化合物作为第三组份；1～65％选自式(Ⅳ)化合物作为...

本发明涉及一种负性液晶化合物，具有式(I)的结构：

本发明涉及一种低阈值低功耗的VA‑LCD用液晶组合物。该组合物含5～90％选自式(Ⅰ)化合物作为第一组份；1～65％选自式(Ⅱ)化合物作为第二组分；0～30％选自式(Ⅲ)化合物作为第三组份；0～30％选自式(Ⅳ)化合物作为第四组分；0～...

本发明属于液晶化合物技术领域，具体地说，涉及一种负性液晶化合物的制备方法，所述的制备方法包括如下步骤：1)以化合物a为原料，在BuLi/DMF存在下，经反应得到化合物1；2)在溴甲烷三苯基膦盐/叔丁醇钾存在下，化合物1经进一步反应得到中...

本发明属于液晶化合物技术领域，具体地说，涉及一种负性液晶化合物及其制备方法。所述的负性液晶化合物，结构通式如式(I)所示：

本发明涉及一种2，3，2’，3’-四氟二苯乙烷类负性液晶材料及其制备方法。所述2，3，2’，3’-四氟二苯乙烷类负性液晶材料的通式为：其中：R为C1～C15的烷基、C2～C15的烯基、C1～C15的烷氧基、C1～C15的氟代烷基、C2～...

本发明涉及一种智能电网电表用液晶组合物。所述液晶组合物，含1～40%选自式（Ⅰ-a）和（Ⅰ-b）的化合物作为第一组份，0～20%选自式（Ⅱ-a）、（Ⅱ-b）、（Ⅱ-c）的化合物第二组份，2～20%选自式（Ⅲ-a）、（Ⅲ-b）、（Ⅲ-c）...

本发明涉及一种可聚合液晶化合物，其通式为：其中：A1、A2分别独立地为Q1、Q2分别独立地为-H或-CH3；B1为-(CH2)m-或-CH2(CF2)mCH2-，m＝2～18；B2为-(CH2)n-或-CH2(CF2)nCH2-，n＝2...