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杭州迈巨微电子有限公司专利技术
杭州迈巨微电子有限公司共有13项专利
基准电压生成电路制造技术
本公开提供一种基准电压生成电路,包括:第一NMOS晶体管,第一NMOS晶体管的栅极作为基准电压生成电路的运算放大器的第一输入端,并且第一输入端连接参考电压;第二NMOS晶体管,第二NMOS晶体管的栅极连接至第一电阻的第一端,第一电阻的第...
集成MOS晶体管封装结构及电池管理系统技术方案
本公开提供一种集成MOS晶体管封装结构和电池管理系统。该集成MOS晶体管封装结构,包括:N个MOS晶体管,分别包括栅极、漏极和源极,其中N>1;封装载体,设置有栅极管脚、源极管脚和漏极管脚,N个MOS晶体管的各个栅极通过打线方式连接至栅...
集成MOS晶体管封装结构及电池管理系统技术方案
本公开提供一种集成MOS晶体管封装结构和电池管理系统。该集成MOS晶体管封装结构,包括:N个MOS晶体管,N个MOS晶体管分别包括栅极、漏极和源极,其中N>1;封装载体,封装载体设置有栅极管脚、源极管脚和漏极管脚,述N个MOS晶体管的各...
逐次逼近型模数转换器及其方法技术
本公开提供了一种逐次逼近型模数转换器,包括:电容阵列,包括N组差分电容和开关阵列;比较器,第一输入端与每组差分电容中的差分正端电容连接以分别接收差分正端电容的电压,第二输入端与每组差分电容中的差分负端电容连接以分别接收差分负端电容的电压...
逐次逼近型模数转换器及其方法技术
本公开提供了一种逐次逼近型模数转换器,包括:电容阵列;比较器,比较器的第一输入端与每组差分电容中的差分正端电容连接以分别接收差分正端电容的电压,比较器的第二输入端与每组差分电容中的差分负端电容连接以分别接收差分负端电容的电压,并且输出每...
电池电压采集用运算放大器和电池管理系统技术方案
本公开提供一种电池电压采集用运算放大器及电池管理系统。运算放大器包括:第一NMOS晶体管,第一NMOS晶体管的栅极连接电池的电芯的负压端,以便根据负压端的电压导通或断开;第二NMOS晶体管,第二NMOS晶体管的栅极连接电芯的正压端,以便...
电池管理用均衡采集开关电路制造技术
本公开提供一种电池管理用均衡采集开关电路,包括:第一NMOS晶体管,第一NMOS晶体管的漏极作为开关电路的输入端;第二NMOS晶体管,第二NMOS晶体管的源极与第一NMOS晶体管的源极连接,第二NMOS晶体管的漏极作为开关电路的输出端;...
电池安全管理系统技术方案
本公开提供一种电池安全管理系统,电池安全管理系统采用动态双栅控制开关作为充电开关和放电开关,并且包括:充电MOS晶体管,充电MOS晶体管作为充电开关,且包括源极、漏极、第一栅极和第二栅极;以及放电MOS晶体管,放电MOS晶体管作为放电开...
电池充放电控制装置及电池管理系统制造方法及图纸
本公开提供一种电池充放电控制装置,电池充放电控制装置采用动态双栅控制开关作为充电开关和放电开关,并且包括:充电MOS晶体管,充电MOS晶体管作为充电开关,且包括源极、漏极、第一栅极和第二栅极;以及放电MOS晶体管,放电MOS晶体管作为放...
功率集成芯片及电池管理系统技术方案
本公开提供一种功率集成芯片和电池管理系统。该功率集成芯片包括:第一导电带、第一MOS晶体管、第二导电带、第三导电带、第二MOS晶体管和第四导电带。根据本公开的功率集成芯片,可以有效地减小芯片自身的电阻并且可以实现金属散热。现金属散热。现...
功率集成芯片及电池管理系统技术方案
本公开提供一种功率集成芯片和电池管理系统。该功率集成芯片包括:第一导电带、第一MOS晶体管、第二导电带、第三导电带、第二MOS晶体管和第四导电带。根据本公开的功率集成芯片,可以有效地减小芯片自身的电阻并且可以实现金属散热。现金属散热。现...
模数转换器制造技术
本公开提供了一种模数转换器,包括:第一电容阵列和第二电容阵列,第一电容阵列和第二电容阵列分别为正极电容阵列和负极电容阵列,并且包括电容和与电容连接的开关,通过开关的切换将电容连接至不同的电压,第一电容阵列包括第一低位段电容和第一高位段电...
模数转换器制造技术
本公开提供了一种模数转换器,包括:第一电容阵列和第二电容阵列,第一电容阵列和第二电容阵列分别为正极电容阵列和负极电容阵列,并且包括电容和与电容连接的开关,通过开关的切换将电容连接至不同的电压,第一电容阵列包括第一低位段电容和第一高位段电...
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