功率集成芯片及电池管理系统技术方案

本公开提供一种功率集成芯片和电池管理系统。该功率集成芯片包括：第一导电带、第一MOS晶体管、第二导电带、第三导电带、第二MOS晶体管和第四导电带。根据本公开的功率集成芯片，可以有效地减小芯片自身的电阻并且可以实现金属散热。现金属散热。现金属散热。

【技术实现步骤摘要】
功率集成芯片及电池管理系统


[0001]本公开涉及一种功率集成芯片及电池管理系统。

技术介绍

[0002]可充电电池已经广泛地应用于电动汽车、便携设备等各个领域。在可充电电池的控制过程中，需要使用充放电功率开关来对其进行控制，以便保证其安全性、可控制性等。目前所使用的充放电开关通常采用分立式，在产业中，需要将各个充放电开关焊接到相应的电路板中，该方式成本较高而且必须要保证加工过程中的可靠性等。例如在美国专利公开US20220190629A1等中所提供的技术方案。
[0003]目前采用集成式功率开关将会成为行业发展趋势。对于集成式功率开关而言，由于其设置在电池与负载/充电器的流路中，因此其将会消耗一定的功率，功率的消耗伴随使用时间和散热等各种问题。尤其是对便携设备的可充电电池而言，该功率消耗将缩短便携设备的使用时间。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题之一，本公开提供了一种功率集成芯片及电池管理系统。根据本公开的功率集成芯片，可以有效地减小芯片自身的电阻并且可以实现金属散热。
[0005]根据本公开的一个方面，提供了一种功率集成芯片，包括：第一导电带，所述第一导电带设置在所述芯片的第一侧边处，并且与所述芯片的第一管脚连通，所述第一导电带沿着所述芯片的第一方向延伸；第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管与所述第一导电带电学连接，所述第一MOS晶体管包括一个或两个以上MOS晶体管；第二导电带，所述第二导电带的一侧与所述第一MOS晶体管电学连接，并且电流能够经由所述第一管脚、第一导电带、第一MOS晶体管和所述第二导电带流通；第三导电带，所述第三导电带设置在所述第二导电带的另一侧，并且电流能够经由所述第二导电带和所述第三导电带流通；第二MOS晶体管，所述第二MOS晶体管与所述第三导电带电学连接，所述第二MOS晶体管包括一个或两个以上MOS晶体管；以及第四导电带，所述第四导电带设置在所述芯片的第二侧边处，并且与所述芯片的第二管脚连通，所述第四导电带沿着所述第一方向延伸，其中所述第二侧边与第一侧边为所述芯片的两个相反的侧边，并且电流能够经由所述第三导电带、所述第二MOS晶体管、所述第四导电带和所述第二管脚流通。
[0006]根据本公开至少一个实施方式的功率集成芯片，所述第一MOS晶体管包括并联连接的两个以上MOS晶体管，所述第二MOS晶体管包括并联连接的两个以上MOS晶体管。
[0007]根据本公开至少一个实施方式的功率集成芯片，所述第一MOS晶体管为充电控制晶体管或放电控制晶体管，所述第二MOS晶体管为放电控制晶体管或充电控制晶体管，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管。
[0008]根据本公开至少一个实施方式的功率集成芯片，所述第一MOS晶体管的源极与所述第一导电带电学连接，所述MOS晶体管的漏极与所述第二导电带电学连接，所述第二MOS
晶体管的漏极与所述第三导电带电学连接，所述第二MOS晶体管的源极与所述第四导电带电学连接。
[0009]根据本公开至少一个实施方式的功率集成芯片，所述芯片包括第三管脚和第四管脚，其中所述第三管脚与所述第二导电带连通，所述第四管脚与所述第三导电带连通，并且所述第三管脚与所述第四管脚能够被电学连接。
[0010]根据本公开至少一个实施方式的功率集成芯片，所述第一管脚、第二管脚、第三管脚和第四管脚的长度等于或大致等于所述芯片的长度或宽度；和/或
[0011]所述第一管脚、第二管脚、第三管脚和第四管脚设置在所述芯片的背面。
[0012]根据本公开至少一个实施方式的功率集成芯片，所述芯片包括第五管脚和第六管脚，所述第五管脚与所述第一导电带连通，所述第六管脚与所述第一MOS晶体管的栅极电学连接。
[0013]根据本公开至少一个实施方式的功率集成芯片，所述芯片包括第七管脚和第八管脚，所述第七管脚与所述第二MOS晶体管的栅极电学连接，所述第八管脚与所述第四导电带连接。
[0014]根据本公开至少一个实施方式的功率集成芯片，所述第五管脚和第六管脚、和所述第七管脚和第八管脚设置在所述芯片的相同侧或者设置在不同侧。
[0015]根据本公开至少一个实施方式的功率集成芯片，在所述第五管脚和第六管脚、和所述第七管脚和第八管脚设置在所述芯片的相同侧的情况下，所述第五管脚、第六管脚、所述第七管脚和第八管脚设置在所述芯片的第三侧边或附近，其中所述第三侧边为所述第一侧边和第二侧边之间的侧边；或者在所述第五管脚和第六管脚、和所述第七管脚和第八管脚设置在所述芯片的不同侧的情况下，所述第五管脚和第六管脚设置在所述芯片的第三侧边或附近，所述第七管脚和第八管脚设置在所述芯片的第四侧边或附近，其中所述第三侧边和第四侧边为所述第一侧边和第二侧边之间的侧边且为相反的侧边。
[0016]根据本公开至少一个实施方式的功率集成芯片，所述第五管脚和第六管脚、和所述第七管脚和第八管脚设置所述芯片的背面。
[0017]根据本公开至少一个实施方式的功率集成芯片，所述第七管脚和第八管脚设置在所述芯片的第三侧边或附近或第四侧边或附近。
[0018]根据本公开至少一个实施方式的功率集成芯片，所述第一方向为所述芯片的长度方向或宽度方向。
[0019]根据本公开至少一个实施方式的功率集成芯片，还包括温度检测用二极管，以检测所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管的温度，所述芯片还设置有与温度检测用二极管所对应的管脚。
[0020]根据本公开的另一方面，一种电池管理系统，包括：如上任一项所述的功率集成芯片；驱动单元，所述驱动单元与所述第五管脚、第六管脚、第七管脚和第八管脚连接。
[0021]根据本公开至少一个实施方式的电池管理系统，所述功率集成芯片的第一管脚和第二管脚分别连接电池的低压侧与负载/充电器的低压侧、或者分别连接所述电池的高压侧与负载/充电器的高压侧。
附图说明
[0022]附图示出了本公开的示例性实施方式，并与其说明一起用于解释本公开的原理，其中包括了这些附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图包括在本说明书中并构成本说明书的一部分。
[0023]图1是根据本公开的一个实施方式的功率集成芯片的结构示意图。
[0024]图2是根据本公开的一个实施方式的功率集成芯片的结构示意图。
[0025]图3是根据本公开的一个实施方式的功率集成芯片的外部示意图。
[0026]图4是根据本公开的一个实施方式的功率集成芯片的结构示意图。
[0027]图5是根据本公开的一个实施方式的功率集成芯片的示意图。
[0028]图6是根据本公开的一个实施方式的功率集成芯片的示意图。
[0029]图7是根据本公开的一个实施方式的功率集成芯片的示意图。
[0030]图8是根据本公开的一个实施方式的功率集成芯片的示意图。
[0031]图9是根据本公开的一个实施方式的功率集成芯片的示意图。
[0032]图10是根据本公本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率集成芯片，其特征在于，包括：第一导电带，所述第一导电带设置在所述芯片的第一侧边处，并且与所述芯片的第一管脚连通，所述第一导电带沿着所述芯片的第一方向延伸；第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管与所述第一导电带电学连接，所述第一MOS晶体管包括一个或两个以上MOS晶体管；第二导电带，所述第二导电带的一侧与所述第一MOS晶体管电学连接，并且电流能够经由所述第一管脚、第一导电带、第一MOS晶体管和所述第二导电带流通；第三导电带，所述第三导电带设置在所述第二导电带的另一侧，并且电流能够经由所述第二导电带和所述第三导电带流通；第二MOS晶体管，所述第二MOS晶体管与所述第三导电带电学连接，所述第二MOS晶体管包括一个或两个以上MOS晶体管；以及第四导电带，所述第四导电带设置在所述芯片的第二侧边处，并且与所述芯片的第二管脚连通，所述第四导电带沿着所述第一方向延伸，其中所述第二侧边与第一侧边为所述芯片的两个相反的侧边，并且电流能够经由所述第三导电带、所述第二MOS晶体管、所述第四导电带和所述第二管脚流通。2.如权利要求1所述的功率集成芯片，其特征在于，所述第一MOS晶体管包括并联连接的两个以上MOS晶体管，所述第二MOS晶体管包括并联连接的两个以上MOS晶体管。3.如权利要求1所述的功率集成芯片，其特征在于，所述第一MOS晶体管为充电控制晶体管或放电控制晶体管，所述第二MOS晶体管为放电控制晶体管或充电控制晶体管，所述第一MOS晶体管和所述第二MOS晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：杭州迈巨微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：