集成MOS晶体管封装结构及电池管理系统技术方案

本公开提供一种集成MOS晶体管封装结构和电池管理系统。该集成MOS晶体管封装结构，包括：N个MOS晶体管，分别包括栅极、漏极和源极，其中N＞1；封装载体，设置有栅极管脚、源极管脚和漏极管脚，N个MOS晶体管的各个栅极通过打线方式连接至栅极管脚，N个MOS晶体管的各个源极通过打线方式、铜条带方式或铜片方式连接至源极管脚；以及印刷电路板，设置有覆铜区，覆铜区与N个MOS晶体管的漏极连接，其中，覆铜区的数量为一个或两个以上，每个覆铜区与n个MOS晶体管的漏极连接，以使得n个MOS晶体管的漏极通过相应的覆铜区进行连接，其中1≤n≤N，其中，印刷电路板设置在封装载体内并且用于设置N个MOS晶体管。MOS晶体管。MOS晶体管。

【技术实现步骤摘要】
集成MOS晶体管封装结构及电池管理系统


[0001]本公开涉及一种集成MOS晶体管封装结构及电池管理系统。

技术介绍

[0002]目前所使用的充放电开关通常采用分立式，在产业中，需要将各个充放电开关焊接到相应的电路板中，该方式成本较高而且必须要保证加工过程中的可靠性等。例如在美国专利公开US20220190629A1等中所提供的技术方案。
[0003]目前采用集成式功率开关将会成为行业发展趋势。对于集成式功率开关而言，由于其设置在电池与负载/充电器之间，因此其将会消耗一定的功率，所消耗的功率将会产生热量，如果热量不能很好地散去将会影响功率器件的工作状态。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题之一，本公开提供了一种集成MOS晶体管封装结构及电池管理系统。根据本公开的功率集成芯片，可以有效地减小芯片自身的电阻并且可以实现散热。
[0005]根据本公开的一个方面，一种集成MOS晶体管封装结构，包括：N个MOS晶体管，所述N个MOS晶体管分别包括栅极、漏极和源极，其中N＞1；封装载体，所述封装载体设置有栅极管脚、源本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成MOS晶体管封装结构，其特征在于，包括：N个MOS晶体管，所述N个MOS晶体管分别包括栅极、漏极和源极，其中N＞1；封装载体，所述封装载体设置有栅极管脚、源极管脚和漏极管脚，所述N个MOS晶体管的各个栅极通过打线方式连接至所述栅极管脚，所述N个MOS晶体管的各个源极通过打线方式、铜条带方式或铜片方式连接至源极管脚；以及印刷电路板，所述印刷电路板设置有覆铜区，所述覆铜区与N个MOS晶体管的漏极连接，其中，所述覆铜区的数量为一个或两个以上，每个覆铜区与n个MOS晶体管的漏极连接，以使得n个MOS晶体管的漏极通过相应的覆铜区进行连接，其中1≤n≤N，其中，所述印刷电路板设置在所述封装载体内并且用于设置所述N个MOS晶体管。2.如权利要求1所述的集成MOS晶体管封装结构，其特征在于，所述覆铜区设定成便于散热的预定尺寸。3.如权利要求1或2所述的集成MOS晶体管封装结构，其特征在于，所述覆铜区的数量为一个，N个MOS晶体管的漏极均连接至该一个覆铜区，以便将N个MOS晶体管的漏极连接。4.如权利要求1或2所述的集成MOS晶体管封装结构，其特征在于，所述覆铜区的数量为两个，所述N个MOS晶体管中的N/2个MOS晶体管的漏极均连接至一个覆铜区，所述N个MOS晶体管中的其余N/2个MOS晶体管均连接至另一个覆铜区。5.如权利要求2所述的集成MOS晶体管封装结构，其特征在于，所述印刷电路板设置有源极电位区域，所述N个MOS晶体管中的m个MOS晶体管的源极通过打线方式、铜条带方式或铜片方式连接至所述源极电位区域的第一源极电位区域，所述N个MOS晶体管中的N
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m个MOS晶体管的源极通过打线方式、铜条带方式或铜片方式连接至所述源极电位区域的第二源极电位区域，并且所述第一源极电位区域连接至第一源极管脚，所述第二源极电位区域连接至第二源极管脚，其中1≤m≤N
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1。6.如权利要求5所述的集成MOS晶体管封装结构，其特征在于，所述源极电位区域的数量为两个以上，并且每个源极电位区域与至少一个MOS晶体管的源极连接。7.如权利要求1或2所述的集成MOS晶体管封装结构，其特征在于，所述n个MOS晶体管与两个以上的子覆铜区连接，并且两个以上的子覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：杭州迈巨微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：