本技术公开了一种碳化硅多线切割的卸片装置，所述卸片装置包括支撑架，所述支撑架包括第一支撑部，第二支撑部与锁紧装置，所述支撑架部分开口，所述锁紧装置连接所述第一支撑部与第二支撑部，并使得第一支撑部与第二支撑部可围绕锁紧装置转动，所述支撑架...

本发明涉及碳化硅晶体制备领域，特别涉及一种碳化硅晶体扩径生长装置及碳化硅晶体扩径生长方法。包括具有多孔石墨扩径环的石墨扩径装置，多孔石墨扩径环作为气道，用于在碳化硅晶体扩径生长的过程中释放掉积聚的生长气氛，多孔石墨扩径环既保证了排气的通...

本申请公开了一种多目数层叠减薄砂轮，包括：基座以及设置在基座上的砂轮齿，砂轮齿至少包括依次堆叠设置的第一砂齿层和第二砂齿层，第一砂齿层的砂齿目数小于第二砂齿层的砂齿目数；多个第一砂齿层和第二砂齿层形成至少一组研磨组组合；研磨组组合包括一...

本实用新型公开了一种多线切割机用砂浆搅拌装置，包括砂浆罐体，所述砂浆罐体中心区域设有用于隔离砂浆的腔体，所述腔体的高度小于所述砂浆罐体的高度，所述砂浆罐体的上盖处设有桨叶旋转电机，在所述砂浆罐体内部对称设置有桨叶，对称的桨叶通过一桨叶连...

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种

本实用新型公开了一种可在减薄机运行状态下修砂轮齿的装置，所述装置设置于减薄机的砂轮下方，所述装置包括底座，所述底座的中心处设有开口向上的支撑台，端部分别设有一对滑轮组，所述支撑台内部设有压力传感器，所述压力传感器的上方设有下滑轨与上滑轨...

本申请公开了一种多目数层叠减薄砂轮及其制备方法，多目数层叠减薄砂轮包括：基座以及设置在基座上的砂轮齿，砂轮齿至少包括依次堆叠设置的第一砂齿层和第二砂齿层，第一砂齿层的砂齿目数小于第二砂齿层的砂齿目数；多个第一砂齿层和第二砂齿层形成至少一...

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种

本申请公开了一种单晶生长装置，包括坩埚、设置在坩埚外周侧的第一加热元件以及设置在坩埚底部的第二加热元件，坩埚用于盛放粉料，第一加热元件和第二加热元件分别用于对坩埚内部的粉料进行加热，单晶生长装置还包括石墨隔离件；石墨隔离件设置在坩埚内部...

本发明涉及第三代半导体技术领域，特别涉及一种碳化钽涂层制备方法及石墨坩埚、碳化硅晶体生长装置。包括：制备并利用Ta

本申请公开了一种多晶锭拼接装置，包括底座、第一限位柱、第二限位柱、第三限位柱、压盘、压杆及压杆支撑架；第一限位柱、第二限位柱以及第三限位柱设置在底座上，并围绕形成限位空间，限位空间用于放置晶锭；压杆支撑架固定在底座上，压杆活动设置在压杆...

本发明涉及等离子体刻蚀技术领域，特别涉及一种等离子体刻蚀晶圆倒角的方法及等离子体刻蚀设备。包括：提供碳化硅晶圆；在碳化硅晶圆表面形成倒角区域和掩膜区域；将形成倒角区域和掩膜区域后的碳化硅晶圆置于等离体设备内部，对碳化硅晶圆进行等离子体刻...

本发明公开了一种降低碳化硅晶体应力的生长方法，使用硬质石墨和多孔石墨制作坩埚衬环，放置于籽晶与石墨坩埚之间，通过计算模拟调整硬质石墨和多种石墨的厚度、形状、结合形式，使得在晶体生长过程中，生长初期将硅气氛有效排出，减弱对碳化硅形核的负面...

本实用新型涉及一种用于碳化硅晶体滚磨加工的偏心定位装置，包括：驱动轴机构，所述驱动轴机构包括驱动轴、驱动轴夹具，所述驱动轴夹具一面具有定位刻度，所述定位刻度位于驱动轴夹具一面的中心；从动轴机构，所述从动轴机构包括从动轴、光源套筒和从动轴...

本发明涉及半导体材料领域，特别涉及一种剥离晶片的装置及使用方法。本发明将晶体通过激光加工工艺，形成具有改质层的晶体，将晶体连同真空吸盘装置一起放置于一个可以加压的密封腔体内，通过向密封腔体内部加压，进而在真空吸盘上获得远大于1Kg/cm...

本发明涉及碳化硅晶片加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片双面加工方法以及相应的装置，通过将两片碳化硅晶片的两个相同极性面进行贴合，对暴露在外侧的另外两个相同极性面按照相同切削速率同时进行加工，加工完成后再次将两片碳化硅晶片的两个加工完成的...

本实用新型涉及激光加工技术领域，公开了一种用于在碳化硅晶锭内部形成改性层的加工装置，包括：控制单元控制伺服电机按照预定转速带动固定在碳化硅晶锭进行旋转；在旋转的过程中，控制单元控制激光单元按照预定速率沿着碳化硅晶锭的半径方向做直线运动，...

本申请公开了一种在晶圆贴合陶瓷盘的状态下测量晶圆厚度的装置，包括支撑板，设有多个支撑部，支撑部上均设有条形槽，支撑板上设有安装块；多个支撑杆，支撑杆穿过条形槽并活动连接在支撑部上；支撑杆能够沿条形槽的长度方向调节，支撑板能够沿着支撑杆的...

本发明涉及碳化硅加工技术领域，公开了一种抛光后的碳化硅晶片的清洗方法以及相应的清洗剂，通过使用具有酸性环境的双氧水

本实用新型涉及碳化硅晶圆制造技术领域，公开了一种碳化硅晶圆，所述碳化硅晶圆的外侧包括定位标记，所述定位标记的一端或两端设有倒角；当所述定位标记的一端设有倒角时，所述倒角位于所述定位标记的左端或右端；当所述定位标记的两端都设有倒角时，所述...