本申请公开了一种多晶锭拼接装置，包括底座、第一限位柱、第二限位柱、第三限位柱、压盘、压杆及压杆支撑架；第一限位柱、第二限位柱以及第三限位柱设置在底座上，并围绕形成限位空间，限位空间用于放置晶锭；压杆支撑架固定在底座上，压杆活动设置在压杆支撑架上，压盘与压杆柔性连接，沿水平方向移动压杆可调整压盘的水平位置使压盘处于晶锭正上方中心，沿竖直方向移动压杆可使压盘对限位空间内的晶锭施加下压力。通过不同位置的限位块对不同尺寸的晶锭进行限位，配合压盘对晶锭进行施加压力，以实现多个晶锭之间的拼接，此拼接方式使多锭之间的相对位置较也较容易确定；压盘使蜡层厚度均匀，也使得多个晶锭之间的拼接效率大大提高。高。高。
【技术实现步骤摘要】
一种多晶锭拼接装置
[0001]本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种多晶锭拼接装置。
技术介绍
[0002]SiC作为一种被广泛研究并且应用的第三代半导体材料，以其优良的物理化学特性成为了制造高温器件、大功率、高频电子器件最重要的半导体材料之一。SiC的莫氏硬度9.2，仅次于金刚石，因而在碳化硅的材料加工方面变得更加困难，SiC衬底的主要加工需要经过长晶、晶体加工、切片加工以及晶片加工等工序，而切片加工的线切割工序便成为SiC晶片制造过程中的关键工序。
[0003]目前SiC切片工艺主要采用的方式为游离磨料砂浆搭配钢线进行切割，一次切割时间通常需要120～150h，加工时间较长，效率较低。为了尽可能的提升切片加工效率，需要尽量以最大的厚度进行切割，以此来保证一次切割的出片数量。目前的SiC长晶工艺并不稳定，一般的晶体厚度在15～30mm不等，需要先将多个晶锭拼接在一起继而进行切割。现有晶锭拼接是逐个地把晶体粘接到树脂条(或石墨条)，进而粘接到料板上，用固态蜡进行多锭拼接后再整体粘接。整个粘接过程中，拼接效率低下，同时多锭之间的相对位置和蜡层的厚度控制较难把控。
技术实现思路
[0004]本技术针对上述问题，提出了一种多晶锭拼接装置。
[0005]本技术采取的技术方案如下：
[0006]本申请提供一种多晶锭拼接装置，包括底座、第一限位柱、第二限位柱、第三限位柱、压盘、压杆以及压杆支撑架；
[0007]所述第一限位柱、所述第二限位柱分别间隔设置在所述底座上；
[0008]所述第三限位柱活动设置在所述底座上，并与所述第一限位柱、所述第二限位柱一起围绕形成限位空间，所述限位空间用于放置晶锭；
[0009]所述压杆支撑架固定在所述底座上，所述压杆活动设置在所述压杆支撑架上，所述压盘与所述压杆柔性连接，沿水平方向移动所述压杆可调整所述压盘的水平位置使压盘处于晶锭正上方中心，沿竖直方向移动所述压杆可使所述压盘对所述限位空间内的晶锭施加下压力。
[0010]本专利技术通过不同位置的限位块对不同尺寸的晶锭进行限位，配合压盘对晶锭进行施加压力，以实现多个晶锭之间的拼接，此拼接方式使多锭之间的相对位置较也较容易确定；实际使用时，晶锭之间通过固态蜡粘附，压盘在施加压力后可以挤出多余的蜡，使蜡层厚度均匀，也使得多个晶锭之间的拼接效率大大提高。
[0011]进一步的，所述压盘与所述压杆之间为可拆卸的柔性连接，柔性连接便于压盘可向任意方向倾斜一定角度，以适应下方晶锭的表面，实际使用时，压盘的外径小于待拼接晶锭的外径，可拆卸连接便于在拼接不同外径晶锭时更换不同尺寸的压盘。
[0012]进一步的，所述第三限位柱设置在所述第一限位柱与所述第二限位柱连线的垂直平分线上。第三限位柱设置在垂直平分线上可以实现三个定位柱的准确限位，实际使用时，也可通过设置第四限位柱，使第四限位柱与第一限位柱、第二限位柱、第三限位柱环绕间隔设置同时形成限位空间以进行晶锭拼接的限位。
[0013]进一步的，所述底座上形成有滑槽，所述多晶锭拼接装置还包括顶紧件，所述第三限位柱滑动设置在滑槽内，所述顶紧件活动穿设在所述底座上，顶紧件的一端位于所述滑槽内并抵靠在所述第三限位柱上用于限制第三限位柱向远离所述第一限位柱以及所述第二限位柱方向移动。
[0014]实际使用时，顶紧件为顶紧螺钉，通过顶紧螺钉的旋进与旋出实现第三限位柱的固定与活动，第三限位柱的固定时可对待拼接的晶锭进行限位，第三限位柱的活动时可便于晶锭的放置与拿取，同时还可以适应不同尺寸的晶锭。
[0015]进一步的，所述第三限位柱靠近所述限位空间的一侧为平面。
[0016]实际使用时，待拼接的晶锭沿周侧加工形成有一平面，此平面与第三限位柱靠近限位空间的平面配合进行限位。
[0017]进一步的，所述底座上设置有多组定位孔，各组定位孔分别用于固定所述第一限位柱以及所述第二限位柱，并与所述第三限位柱配合实现不同尺寸晶锭的限位。
[0018]实际使用时，单组定位孔包括间隔设置的两个定位孔，不同组的定位孔用于配合定位柱形成不同尺寸的限位空间。
[0019]实际使用时，各限位柱的高度可调节，便于进一步提高可拼接晶锭的上限数。
[0020]进一步的，所述压杆支撑架上设置有移动块，所述移动块上设置有螺纹孔，所述压杆为螺杆，所述螺杆与所述螺纹孔螺纹配合用于实现压杆沿竖直方向移动。
[0021]实际运用时，压杆可以为立式气缸结构，便于实现电气化动作。
[0022]进一步的，所述移动块上设置有第一孔，所述压杆支撑架上设置有与所述第一孔相对应的第二孔，所述第一孔与第二孔通过紧固件连接。
[0023]进一步的，所述第二孔包括多个，多个第二孔分别与所述第一孔配合用于实现压杆沿水平方向移动。
[0024]实际使用时，第一孔与不同的第二孔配合可控制压盘位于不同尺寸限位空间的正上方并使压盘与待拼接的晶锭同心。
[0025]进一步的，所述压杆包括手柄端，所述手柄端设置在远离压盘一侧，所述手柄端用于辅助转动压杆。
[0026]进一步的，所述第一限位柱外周侧、所述第二限位柱外周侧、所述第三限位柱靠近所述限位空间的一侧以及所述压盘底面的材质为耐高温的定型材料。
[0027]实际运用时，所述压盘底面的中间位置形成有定位柱，在待拼接晶锭的上顶中间位置形成有定位凹槽，所述定位柱与定位凹槽配合，用于辅助压盘定位并使晶锭受到均匀的下压力，以提升拼接质量。
[0028]实际运用时，压盘与压杆连接处设置有压力传感器，用于对晶锭进行量化施压。
[0029]本技术的有益效果是：
[0030](1)本专利技术通过不同位置的限位块对不同尺寸的晶锭进行限位，配合压盘对晶锭进行施加压力，以实现多个晶锭之间的拼接，此拼接方式使多锭之间的相对位置较也较容
易确定；实际使用时，晶锭之间通过固态蜡粘附，压盘在施加压力后可以挤出多余的蜡，使蜡层厚度均匀，也使得多个晶锭之间的拼接效率大大提高。
[0031](2)单个晶锭之间拼接完成后，可以整体进行后续加工步骤，省去了单个晶体逐一进行加工的繁琐操作，使生产效率大大提升。
[0032](3)拼接后的多个晶锭边缘整齐，有利于后续的一次性粘接加工作业。
[0033](4)本专利技术的多晶锭拼接装置结构简单，操作灵活方便，晶锭拼接效果好。
附图说明
[0034]图1是本专利技术实施例多晶锭拼接装置的轴侧方向结构示意图；
[0035]图2是使用本专利技术实施例多晶锭拼接装置拼接晶锭的示意图。
[0036]图中各附图标记为：
[0037]1、底座；11、滑槽；12、定位孔；2、第一限位柱；3、第二限位柱；4、第三限位柱；5、压盘；6、压杆；7、压杆支撑架；8、顶紧件；9、移动块。
具体实施方式
[0038]下面结合各附图，对本技术做详细描述。
[0039]如图1～图2所示，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多晶锭拼接装置，其特征在于，包括底座、第一限位柱、第二限位柱、第三限位柱、压盘、压杆以及压杆支撑架；所述第一限位柱、所述第二限位柱分别间隔设置在所述底座上；所述第三限位柱活动设置在所述底座上，并与所述第一限位柱、所述第二限位柱一起围绕形成限位空间，所述限位空间用于放置晶锭；所述压杆支撑架固定在所述底座上，所述压杆活动设置在所述压杆支撑架上，所述压盘与所述压杆柔性连接，沿水平方向移动所述压杆可调整所述压盘的水平位置使压盘处于晶锭正上方中心，沿竖直方向移动所述压杆可使所述压盘对所述限位空间内的晶锭施加下压力。2.如权利要求1所述的一种多晶锭拼接装置，其特征在于，所述第三限位柱设置在所述第一限位柱与所述第二限位柱连线的垂直平分线上。3.如权利要求1所述的一种多晶锭拼接装置，其特征在于，所述底座上形成有滑槽，所述多晶锭拼接装置还包括顶紧件，所述第三限位柱滑动设置在滑槽内，所述顶紧件活动穿设在所述底座上，顶紧件的一端位于所述滑槽内并抵靠在所述第三限位柱上用于限制第三限位柱向远离所述第一限位柱以及所述第二限位柱方向移动。4.如权利要求1所述的一种多晶锭拼接装置，其特征在于，所述第三限位柱靠近所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：周阳，王恒，王明华，张行富，
申请(专利权)人：杭州乾晶半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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