【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅晶体制备领域，特别涉及一种碳化硅晶体扩径生长装置及碳化硅晶体扩径生长方法。
技术介绍
1、在过去的几十年中，半导体材料在电子和光电子器件领域的应用已经取得了巨大的成功。其中，碳化硅(sic)作为一种宽带隙的半导体材料，因其优异的物理和化学性质，如高熔点、高硬度、优良的导热性和电学性能等，而备受关注。尤其是，碳化硅在高温、高压、高频以及抗辐射等极端环境下的优异表现，使其在电力电子、光电子、航空航天、军事等领域具有广泛的应用前景。
2、然而，由于碳化硅单晶的生长过程复杂，实现高质量、大尺寸的碳化硅单晶生长一直是科研人员努力的目标，开展碳化硅单晶生长扩径研究具有重要的科学意义和实际应用价值。
3、目前碳化硅晶体扩径生长的过程中，碳化硅晶体的边缘与扩径石墨装置内壁夹角处会积聚过多的生长气氛，生长气氛过饱和后容易析出多晶碳化硅，从而使晶体质量劣化，对碳化硅晶体进一步扩径生长形成阻碍，导致扩径失败。
技术实现思路
1、本专利技术为解决上述技术问题，提供一种碳...
【技术保护点】
1.一种碳化硅晶体扩径生长装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种碳化硅晶体扩径生长装置，其特征在于，所述多孔石墨扩径环具有弯折的坡度结构。
3.如权利要求1所述的一种碳化硅晶体扩径生长装置，其特征在于，所述多孔石墨扩径环的孔隙率沿所述石墨扩径装置的轴向且远离所述碳化硅籽晶的方向依次降低或者所述多孔石墨扩径环的孔隙率相同。
4.如权利要求1所述的一种碳化硅晶体扩径生长装置，其特征在于，所述多孔石墨扩径环的厚度相同或者所述所述多孔石墨扩径环的厚度沿所述石墨扩径装置的轴向且远离所述碳化硅籽晶的方向依次降低。
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【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体扩径生长装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种碳化硅晶体扩径生长装置，其特征在于，所述多孔石墨扩径环具有弯折的坡度结构。
3.如权利要求1所述的一种碳化硅晶体扩径生长装置，其特征在于，所述多孔石墨扩径环的孔隙率沿所述石墨扩径装置的轴向且远离所述碳化硅籽晶的方向依次降低或者所述多孔石墨扩径环的孔隙率相同。
4.如权利要求1所述的一种碳化硅晶体扩径生长装置，其特征在于，所述多孔石墨扩径环的厚度相同或者所述所述多孔石墨扩径环的厚度沿所述石墨扩径装置的轴向且远离所述碳化硅籽晶的方向依次降低。
5.如权利要求1所述的一种碳化硅晶体扩径生长装置，其特征在于，所述多孔石墨扩径环的孔隙率的范围为20％-60％，所述多孔石墨扩径环镀有碳化钽涂层。
6.如权利要求1所述的一种碳化硅晶体扩径生长装置，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑先明，徐所成，
申请(专利权)人：杭州乾晶半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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