一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。通过喷淋装置和清洗装置的结合，一边对晶圆进行清洗液的喷淋，一边对晶圆进行刷洗，实现晶圆正面和边缘的高效和高质量清洗，大幅降低减少清洗时间、提高清洗效率，降低加工和处理成本。同时，晶圆通过旋转吸附控制装置竖直设置于清洗处理腔内，喷淋到晶圆表面的清洗液在重力的作用下自动的向下运动，同时带动污染物向下运动，最后离开晶圆表面或者在晶圆下方聚集，从而更加有效的去除晶圆表面的污染物，提高清洗效率。并且，晶圆清洗装置在使用时，整合清洗工序，按照有机物、颗粒和金属离子的顺序进行清洗，并且增加边缘清洗步骤，提高晶圆的清洗效率和清洗质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。

技术介绍

1、在半导体器件的制造过程中，需要去除晶圆表面的污染物，才能为后续获得高质量的外延层提供保障，晶圆的清洗在半导体器件的制造过程中变得十分重要。

2、随着集成电路工艺的发展，晶圆规格逐渐向大尺寸发展，大尺寸晶圆意味着晶圆面积和边缘面积的扩大。因此，如何提高晶圆清洗效率和边缘清洗成功率，是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

技术实现思路

1、本专利技术为解决晶圆清洗不彻底的问题，提供一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法。

2、为实现上述目的，本专利技术提供一种晶圆清洗装置，包括：

3、清洗处理腔、旋转吸附控制装置、喷淋装置、清洗装置；

4、所述旋转吸附控制装置将晶圆竖直设置于所述清洗处理腔内，其中，所述晶圆具有晶圆正面和晶圆背面，所述旋转吸附控制装置吸附所述晶圆背面；

5、所述清洗装置包括：主清洗刷、边缘清洗刷，所述边缘清洗刷包括第一边缘清洗刷和第二边缘清洗刷，所述主清洗刷位于所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一边缘清洗刷和所述第二边缘清洗刷均位于晶圆边缘，使用时所述第一边缘清洗刷和所述第二边缘清洗刷正对设置，或者所述第一边缘清洗刷和所述第二边缘清洗刷呈一定夹角设置。

3.如权利要求1所述的一种晶圆清洗装置，其特征在于，所述边缘清洗刷的直径范围为长度为5mm～50mm。

4.如权利要求1所述的一种晶圆清洗装置，其特征在于，所述边缘清洗刷的材质包括：PVA、PTFE、PCTFE、聚酰胺酯、发泡性聚胺基甲酸、抛光垫其中的一种。

5.如权利要求1所述的一...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一边缘清洗刷和所述第二边缘清洗刷均位于晶圆边缘，使用时所述第一边缘清洗刷和所述第二边缘清洗刷正对设置，或者所述第一边缘清洗刷和所述第二边缘清洗刷呈一定夹角设置。

3.如权利要求1所述的一种晶圆清洗装置，其特征在于，所述边缘清洗刷的直径范围为长度为5mm～50mm。

4.如权利要求1所述的一种晶圆清洗装置，其特征在于，所述边缘清洗刷的材质包括：pva、ptfe、pctfe、聚酰胺酯、发泡性聚胺基甲酸、抛光垫其中的一种。

5.如权利要求1所述的一种晶圆清洗装置，其特征在于，还包括药液回收装置，所述药液回收装置包括药液回收槽、壁回收挡板、阻挡罩/药液回收槽盖，阻挡罩/药液回收槽盖与所述药液回收槽相连接，所述壁回收挡板的一端与所述清洗处理腔相连接，另一端与所述药液回收槽相连接，所述药液回收装置用于回收所述晶圆清洗过程中的清洗液。

6.一种晶圆清洗方法，其特征在于，采用权利要求1～5任意一项所述的一种晶圆清洗装置，包括：

7.如权利要求6所述的一种晶圆清洗方法，其特征在于，所述臭氧水的浓度范围为0ppm～50ppm，且不为0；所述臭氧水清洗过程中，独立喷头的流量范围为0ml/min～300ml/min，且不为0；主清洗刷运动喷头的流量范围为0ml/min～150ml/min，且不为0；主清洗刷的移动速度范围为2s/半径～10s/半径；所述晶圆旋转的转速...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜博，汪灵哲，晋好然，海森，
申请(专利权)人：杭州乾晶半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：