【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶生长，具体为一种长晶气相掺杂的方法。
技术介绍
1、半导体掺杂剂有磷、硼、砷、锑四种，其中磷、砷、锑三种易挥发。
2、现有技术中，用石英管将掺杂剂颗粒注入熔汤的过程当中，当掺杂剂愈接近熔汤液面时，熔汤的辐射热愈高，使得掺杂剂在还没接触并进入熔汤之前发生了汽化，而这个装置汽化的掺杂剂并不能有效地进入熔汤；长晶炉在1430度以上将原生多晶硅料熔化成液态后进行掺杂的动作，一般使用石英管将掺杂剂的颗粒注入熔汤当中。在此过程里因掺杂剂容易挥发，所以有效进入熔汤的掺杂剂重量会减少，从而使电阻不能达到预期的低。
3、因此，我们需要一种长晶气相掺杂的方法，用来解决现有半导体掺杂剂投放易挥发的问题，可以减少半导体掺杂剂投放时的挥发量。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种长晶气相掺杂的方法，以解决上述
技术介绍
中提出的现有半导体掺杂剂投放易挥发的问题，可以减少半导体掺杂剂投放时的挥发量。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种长晶气相掺杂的方法，所述方法包括以下步骤：
3、使用二个石英罩，外部石英杯的外型如同一个倒置的水杯，开口朝下，顶部是圆弧状，开口处有二个左右对称的长条型缺口，用以避免硅熔汤被倒吸进外部石英罩中；
4、内部石英杯是二层的，开口朝上，二个石英杯中间放置隔热效果好的碳纤维隔热棉，内部外层石英杯开口处有水平突出的法兰，用于遮挡内部内层石英杯里承装的碳纤维隔热棉，内部外层石英杯的内部放置掺
5、当原生多晶料熔化完毕变成硅熔汤后，将此石英装置慢慢下降，外部石英杯轻贴熔汤液面，此时因为高温，掺杂剂被汽化，而气相的掺杂剂挥发后顺着外部石英杯飘向熔汤并融入熔汤之中。
6、优选的，外部石英杯的内环面固定有连接环，内部内层石英杯螺接在连接环的内环口中。
7、优选的，所述内部内层石英杯的外壁套设螺接有丝套，丝套插入且螺接在螺接槽中，螺接槽开设在连接环的底面，螺接槽的高度小于连接环的高度，且螺接槽呈环形槽，螺接槽的外环面设有内螺纹，丝套的外环面设有外螺纹，外螺纹和内螺纹配合连接。
8、优选的，所述连接环的表面开设有通口，通口呈圆弧形口，通口设有多个，多个通口沿着连接环的顶面等距离等大小排列分布。
9、优选的，所述碳纤维隔热棉填充在内部外层石英杯、内部内层石英杯以及法兰围护出的“u”字形环状槽中。
10、优选的，所述缺口的底面开设有两个缺口，两个缺口关于外部石英杯的杯口对称分布。
11、优选的，所述内部外层石英杯的底面固定有防滑垫片，防滑垫片呈“l”形片，防滑垫片设有多个，多个防滑垫片沿着内部外层石英杯的外壁等距离等大小排列分布。
12、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
13、本专利技术提出的长晶气相掺杂的方法，在内层石英杯中间放置碳纤维隔热棉，气相掺杂是将易挥发的掺杂剂汽化成气体状态，再将此气体导入硅熔汤之中，使得有效进入熔汤中的掺杂剂重量与预期的重量十分接近，达到控制电阻的目地；进一步解决了现有半导体掺杂剂投放易挥发的问题，可以减少半导体掺杂剂投放时的挥发量。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种长晶气相掺杂的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种长晶气相掺杂的方法，其特征在于：所述外部石英杯(1)的内环面固定有连接环(2)，内部内层石英杯(7)螺接在连接环(2)的内环口中。
3.根据权利要求2所述的一种长晶气相掺杂的方法，其特征在于：所述内部内层石英杯(7)的外壁套设螺接有丝套(5)，丝套(5)插入且螺接在螺接槽(4)中，螺接槽(4)开设在连接环(2)的底面，螺接槽(4)的高度小于连接环(2)的高度，且螺接槽(4)呈环形槽，螺接槽(4)的外环面设有内螺纹，丝套(5)的外环面设有外螺纹，外螺纹和内螺纹配合连接。
4.根据权利要求2所述的一种长晶气相掺杂的方法，其特征在于：所述连接环(2)的表面开设有通口(3)，通口(3)呈圆弧形口，通口(3)设有多个，多个通口(3)沿着连接环(2)的顶面等距离等大小排列分布。
5.根据权利要求1所述的一种长晶气相掺杂的方法，其特征在于：所述碳纤维隔热棉(9)填充在内部外层石英杯(6)、内部内层石英杯(7)以及法兰(8)围护出的“U”字形环状槽中。>
6.根据权利要求1所述的一种长晶气相掺杂的方法，其特征在于：所述缺口(11)的底面开设有两个缺口(11)，两个缺口(11)关于外部石英杯(1)的杯口对称分布。
7.根据权利要求1所述的一种长晶气相掺杂的方法，其特征在于：所述内部外层石英杯(6)的底面固定有防滑垫片(10)，防滑垫片(10)呈“L”形片，防滑垫片(10)设有多个，多个防滑垫片(10)沿着内部外层石英杯(6)的外壁等距离等大小排列分布。
...【技术特征摘要】
1.一种长晶气相掺杂的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种长晶气相掺杂的方法，其特征在于：所述外部石英杯(1)的内环面固定有连接环(2)，内部内层石英杯(7)螺接在连接环(2)的内环口中。
3.根据权利要求2所述的一种长晶气相掺杂的方法，其特征在于：所述内部内层石英杯(7)的外壁套设螺接有丝套(5)，丝套(5)插入且螺接在螺接槽(4)中，螺接槽(4)开设在连接环(2)的底面，螺接槽(4)的高度小于连接环(2)的高度，且螺接槽(4)呈环形槽，螺接槽(4)的外环面设有内螺纹，丝套(5)的外环面设有外螺纹，外螺纹和内螺纹配合连接。
4.根据权利要求2所述的一种长晶气相掺杂的方法，其特征在于：所述连接环(2)的表面开设有通口(3)，通口(...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈子龄，杨希成，
申请(专利权)人：江苏芯诺半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。