【技术实现步骤摘要】
本申请涉及钙钛矿材料,更具体地说,涉及一种钙钛矿单晶及其制备方法和应用。
技术介绍
1、多晶钙钛矿薄膜制备时一般采用旋涂工艺,操作简单,可以在短时间内获得可控厚度与尺寸的钙钛矿薄膜,但在多晶薄膜中存在大量的晶界,晶界的缺陷成为复合中心,会在钙钛矿器件中产生严重的电荷非辐射复合和离子迁移现象,不利于钙钛矿器件的光电性能和稳定性,这极大的限制了钙钛矿器件的进一步发展。与多晶钙钛矿薄膜相比,单晶钙钛矿没有晶界,且单晶钙钛矿不仅具有更低的陷阱态密度,并且薄膜的均匀统一性、载流子迁移率、扩散长度和稳定性均会有所增加,可作为制备高性能钙钛矿电池、光电探测器、发光二极管等器件的理想材料。
2、目前生长获得高质量、大尺寸一维/二维钙钛矿单晶的方法主要通过降温结晶、反溶剂辅助蒸发结晶等,这些方法很难得到纯相、大尺寸的高质量单晶。其中降温结晶是常用制备低维度单晶的方法,但很难控制晶体成核和生长期间的温度梯度,从而不可避免地产生杂相、位错和应变等缺陷。
3、因此,如何获得大尺寸、高质量的一维/二维卤化物钙钛矿单晶对推动二维钙钛矿单晶走
...【技术保护点】
1.一种钙钛矿单晶,其特征在于,所述钙钛矿单晶的分子式为AaObBcXy,其中a的取值范围为1~3的整数;b的取值范围为0~3的整数;c的取值范围为1~3的整数;y的取值范围为1~10的整数;A包括第一卤素取代的有机阳离子;O为氧元素;B包括金属阳离子;X包括第二卤素阴离子。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿单晶,其特征在于,所述第一卤素取代的有机阳离子包括3,3-二氟吡咯烷阳离子、3-溴吡咯烷阳离子中的一种或多种;和/或
3.根据权利要求1所述的钙钛矿单晶,其特征在于,所述钙钛矿单晶的分子式包括C7H12F2I3NPb、C16H34F8I8N4
...【技术特征摘要】
1.一种钙钛矿单晶,其特征在于,所述钙钛矿单晶的分子式为aaobbcxy,其中a的取值范围为1~3的整数;b的取值范围为0~3的整数;c的取值范围为1~3的整数;y的取值范围为1~10的整数;a包括第一卤素取代的有机阳离子;o为氧元素;b包括金属阳离子;x包括第二卤素阴离子。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿单晶,其特征在于,所述第一卤素取代的有机阳离子包括3,3-二氟吡咯烷阳离子、3-溴吡咯烷阳离子中的一种或多种;和/或
3.根据权利要求1所述的钙钛矿单晶,其特征在于,所述钙钛矿单晶的分子式包括c7h12f2i3npb、c16h34f8i8n4opb2、c7h13bri3npb、c16h38br4i8n4opb2、c7h12br2i3npb、c16h34f8br8n4opb2、(c7nh13br)br3pb、(c16h38n4br4)br8opb2、c7h12f2cl3npb、c16h34f8cl8n4opb2、c7h13brcl3npb、c16h38br4cl8n4opb2中的一种或多种。
4.一种钙钛矿单晶的...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐帆,张俊森,田港旗,韩明月,张梦,李子坤,黄友元,
申请(专利权)人:深圳市贝特瑞新能源技术研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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