一种基于氮化硼中间层远程外延生长二氧化钒的方法技术

本发明专利技术公开了一种基于氮化硼中间层远程外延生长二氧化钒的方法。涉及半导体制备技术领域。上述基于氮化硼中间层远程外延生长二氧化钒的方法，包括以下步骤：S1在金属箔上生长h‑BN二维原子晶体薄膜；S2将上述h‑BN二维原子晶体薄膜转移到衬底上，得到h‑BN衬底；S3在上述h‑BN衬底表面远程外延生长VO<subgt;2</subgt;单晶薄膜。本发明专利技术制备过程简单，制备成本低，且具有严格意义上的可控性，能够为进一步实现大面积、高质量VO<subgt;2</subgt;/h‑BN异质结材料器件的集成提供帮助。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制备，尤其是涉及一种基于氮化硼中间层远程外延生长二氧化钒的方法。

技术介绍

1、过渡金属氧化物是一类备受关注的材料，因其丰富的物理、化学和电子性质在多个科学领域引发了广泛兴趣。这些材料由过渡金属元素与氧元素组成，其特殊的电子结构和晶体结构赋予了它们多样化的功能，从而使其在能源、电子学、光电子学、催化等领域具备潜在的应用价值。过渡金属氧化物的电子结构是其独特性质的基础。过渡金属元素的d电子轨道与氧元素的p电子轨道相互作用，形成了复杂的能带结构。这种电子相互作用导致了多种可能的电荷状态和电子配对，从而导致了材料的多样性质。过渡金属氧化物的导电性、磁性、光学吸收、铁电性等特性都与其电子结构密切相关。

2、二氧化钒(vanadium dioxide，简称vo2)是一种引人注目的过渡金属氧化物材料，具有在室温下独特的金属-绝缘体相变特性。这种相变能够使其从绝缘体状态迅速转变为金属状态，导致电阻率急剧降低，同时伴随着晶格结构的变化。在室温下，单斜相vo2呈现绝缘体的电性质。然而，当温度升高到阈值(约68摄氏度)附近，vo2会发生相变，从本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于氮化硼中间层远程外延生长二氧化钒的方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤S1中，所述金属箔上生长h-BN二维原子晶体薄膜的具体过程包括以下步骤：先预处理金属箔，将金属箔置于IBSD腔室中，用还原性气体填充腔室，采用Ar+离子束溅射轰击纯h-BN靶，采用IBSD技术在金属箔上生长h-BN，以得到h-BN二维原子晶体薄膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤S2中，还包括采用干法转移或湿法转移方法将所述h-BN二维原子晶体薄膜转移到衬底上。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述干法...

【技术特征摘要】

1.一种基于氮化硼中间层远程外延生长二氧化钒的方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤s1中，所述金属箔上生长h-bn二维原子晶体薄膜的具体过程包括以下步骤：先预处理金属箔，将金属箔置于ibsd腔室中，用还原性气体填充腔室，采用ar+离子束溅射轰击纯h-bn靶，采用ibsd技术在金属箔上生长h-bn，以得到h-bn二维原子晶体薄膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤s2中，还包括采用干法转移或湿法转移方法将所述h-bn二维原子晶体薄膜转移到衬底上。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述干法转移包括热释放胶带转移方法或聚二甲基硅氧烷转移方法。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述湿法转移包括基于聚甲基丙烯酸甲酯、松香或丙烯酸酯的湿...

【专利技术属性】
技术研发人员：李星星，张志伟，高武，刘礼祥，
申请(专利权)人：五邑大学，
类型：发明
国别省市：