温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种基于氮化硼中间层远程外延生长二氧化钒的方法。涉及半导体制备技术领域。上述基于氮化硼中间层远程外延生长二氧化钒的方法，包括以下步骤：S1在金属箔上生长h‑BN二维原子晶体薄膜；S2将上述h‑BN二维原子晶体薄膜转移到衬底上，得...
该专利属于五邑大学所有，仅供学习研究参考，未经过五邑大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。