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本发明涉及碳化硅晶体制备领域，特别涉及一种碳化硅晶体扩径生长装置及碳化硅晶体扩径生长方法。包括具有多孔石墨扩径环的石墨扩径装置，多孔石墨扩径环作为气道，用于在碳化硅晶体扩径生长的过程中释放掉积聚的生长气氛，多孔石墨扩径环既保证了排气的通畅性...
该专利属于杭州乾晶半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州乾晶半导体有限公司授权不得商用。

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