本申请公开了一种在晶圆贴合陶瓷盘的状态下测量晶圆厚度的装置，包括支撑板，设有多个支撑部，支撑部上均设有条形槽，支撑板上设有安装块；多个支撑杆，支撑杆穿过条形槽并活动连接在支撑部上；支撑杆能够沿条形槽的长度方向调节，支撑板能够沿着支撑杆的...

本发明涉及碳化硅加工技术领域，公开了一种抛光后的碳化硅晶片的清洗方法以及相应的清洗剂，通过使用具有酸性环境的双氧水

本实用新型涉及碳化硅晶圆制造技术领域，公开了一种碳化硅晶圆，所述碳化硅晶圆的外侧包括定位标记，所述定位标记的一端或两端设有倒角；当所述定位标记的一端设有倒角时，所述倒角位于所述定位标记的左端或右端；当所述定位标记的两端都设有倒角时，所述...

本发明提供了一种保护碳化硅籽晶背封层的方法，涉及碳化硅晶体制备的领域，通过在碳化膜表面形成一层致密保护层，从而在清洗晶片过程中有效保护背封层，清洗结束后，将碳化膜表面的保护层去除，再进行后续晶体生长。本发明提供的一种保护碳化硅籽晶背封层...

本发明涉及激光加工技术领域，公开了一种用于剥离晶片的激光加工方法、装置，包括：提供碳化硅晶锭，将所述碳化硅晶锭按照预定转速进行旋转；在旋转的过程中，按照预定速率沿着所述碳化硅晶锭的半径方向对所述碳化硅晶锭内部进行激光照射从而在所述碳化硅...

本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种碳化硅籽晶重复循环利用的方法、装置；包括提供碳化硅晶锭的穹顶部分，其中，所述穹顶部分具有穹顶弧面和相对的切割面，所述切割面的直径大于在后续形成的碳化硅晶圆的直径；将所述穹顶部分作为碳化硅籽晶，所述...

本发明公开了一种SiC衬底双脉冲飞秒激光切片剥离方法，在低能量的飞秒激光双脉冲切割之后，采用“快热冷

本实用新型公开一种用于剥离晶锭的激光加工装置及控制系统，一种用于剥离晶锭的激光加工装置包括激光加工模块、测距模块及可移动承载模块，所述可移动承载模块位于所述激光加工模块和测距模块正下方；所述可移动承载模块用于承载待剥离晶锭并调整待剥离晶...

本发明提供了一种碳化硅单晶生长方法及裂纹闭合生长方法，其中一种碳化硅单晶裂纹闭合生长方法通过设置合理的碳化硅晶体生长工艺参数，从而实现碳化硅晶体的裂纹闭合，在开裂晶体上长出完美的单晶层，再将得到的无裂纹单晶层作为籽晶，继续来生长碳化硅单...

本发明涉及碳化硅晶体生长领域，提供了一种大尺寸碳化硅籽晶的生长方法、大尺寸碳化硅单晶的生长方法，通过对晶面相同的多片小尺寸碳化硅单晶片沿特定晶向切割形成扇环状碳化硅单晶片，将所述多块扇环状碳化硅单晶片围绕在无定位边的小尺寸碳化硅单晶片按...

本实用新型涉及一种固定碳化硅籽晶的装置，包括坩埚本体以及与坩埚本体盖合的坩埚盖，所述坩埚本体上部设有活动连接的承载环与籽晶盖，所述承载环与籽晶盖用于固定籽晶；所述承载环与籽晶盖同心轴。本实用新型的装置减少了一道籽晶粘接预处理工艺，降低了...

本发明涉及碳化硅晶圆制造技术领域，公开了一种标记碳化硅晶圆碳硅极性面的方法及对应的碳化硅晶圆，包括：对碳化硅晶圆外侧的定位标记的一端或两端进行加工形成倒角；当只在定位标记的一端设置倒角时，设定当倒角位于定位标记的左端或者右端时，对应的碳...