国立研究开发法人科学技术振兴机构专利技术

国立研究开发法人科学技术振兴机构共有202项专利

  • 物质封入方法及检测靶分子的方法
    本发明作为将多个珠粒或核酸、蛋白质、病毒、细胞、脂质膜复合物等物质有效地封入阵列中的技术,提供一种物质封入方法,包括:物质导入工序,向利用侧壁相互隔开地形成能够收容物质的多个收容部的基板上,导入含有该物质的第一溶剂;物质收容工序,在所述...
  • 本发明提供通过预测值的整形来计算更高精度(接近目标值)的控制值的预测值整形系统。计算用于对控制对象(12)进行控制的控制值(v)的预测调节器(20)具备:实绩值获得部(22),其获得控制对象(12)的过去的目标值即实绩值(r(t‑1))...
  • 图像位置对准装置、图像位置对准方法以及记录介质
    图像位置对准装置具有:映射决定部,决定作为使第1图像向球面光线图迁移的映射的第1映射、和作为使第2图像向球面光线图迁移的映射的第2映射;对应点对提取部,通过检测第1图像中的一点、和与该一点相对应的第2图像中的一点来提取对应点对;旋转映射...
  • 通过将能够与具有光交联性的乙烯基结构的光响应性碱基进行光交联的胸腺嘧啶(T)或尿嘧啶(U)碱基的、嘧啶环的5位取代成R基(其中,R为‑CN、或‑CO‑R1,其中,R1为饱和或不饱和的、链状或分支的、环式或非环式的C1~C12的烃基),从...
  • 自旋控制机构及自旋裝置
    自旋控制机构具备自旋部及第1通道部。自旋部具有可反转或可旋转的磁矩。第1通道部由强磁性且绝缘体构成,并以与自旋部接触的方式设置。而且,使用由赋给第1通道部的温度梯度产生的自旋流,控制自旋部的磁矩的方向。
  • III-V族化合物半导体纳米线、场效应晶体管以及开关元件
    本发明涉及能够在III-V族化合物半导体MOSFET(FET)中使用的III-V族化合物半导体纳米线,该III-V族化合物半导体MOSFET(FET)能够以较小的亚阈值(小于等于100mV/dec)动作。III-V族化合物半导体纳米线的...
  • 热辐射光源以及在该光源中使用的二维光子晶体
    本发明提供一种能够以与光电转换元件同样快的响应速度进行光的强弱切换的热辐射光源。热辐射光源(10)具备:二维光子晶体(12),其在将由n型半导体形成的n层(112)、具有量子阱结构的量子阱结构层(114)以及由p型半导体形成的p层(11...
  • 通过发酵法从碳源制备苯胺衍生物的方法
    本发明提供了一种通过发酵法从葡萄糖这样的碳源制备苯胺衍生物的方法。所述苯胺衍生物的制备方法包括以下的工序:在具有从分支酸合成4‑氨基苯丙酮酸功能的微生物中,通过导入至少三个外来基因,在规定培养条件下,制作能够生产1.8g/L以上4‑氨基...
  • 聚合物刷
    本发明的目的是提供一种即使在气相中也能够形成相分离结构的聚合物刷。本发明涉及的聚合物刷,具有基材以及一端固定在所述基材上的聚合物层,其特征在于,所述聚合物层中,聚合物密部和聚合物疏部之间的相分离状态可逆地变化。
  • 膜蛋白质的热稳定化突变体预测装置、热稳定化突变体预测方法、以及程序
    本发明提供一种热稳定化突变体预测装置,其预测将膜蛋白质的各氨基酸残基置换为所有的氨基酸而得的1个残基突变体的立体结构,计算膜贯穿部位的、从一级结构形成到三级结构形成的溶剂化熵变或从二级结构形成到三级结构形成的溶剂化熵变,基于膜蛋白质的溶...
  • 金刚石晶体、金刚石元件、磁传感器、磁测量装置、以及传感器阵列的制造方法
    本发明提供能够以高灵敏度进行在常温且大气中的二维磁测定的技术。本发明的金刚石晶体的特征在于,在表面或表面附近具有包含置换了碳原子的氮和与该氮相邻的空位的复合体(NV中心)的NV区域,该NV区域具有NV中心的浓度以上的施主浓度;或者,NV...
  • 本发明试制了以氮化物半导体层作为沟道的晶体管。氮化物半导体层均通过溅射法形成。将沉积温度设定为低于600℃,制成了多晶或非晶的InxGayAlzN层。在由通式InxGayAlzN(其中,x+y+z=1.0)表示时的组成处于0.3≤x≤1...
  • 复合材料及其制造方法和制造装置
    提供一种复合材料和该复合材料的制造方法,所述复合材料是在形成于硅表面层的非穿透孔内,使用镀覆法以金属等以不形成空隙的方式填充,并且该硅表面层被金属等覆盖的粘合性高的复合材料。通过以位于从硅基板(100)表面形成的非穿透孔的底部的第1金属...
  • 含有亚氨基阴离子的钙铝石型化合物及其制备方法
    本发明的课题是,提供即使在大气中、溶液中也能稳定地保有亚氨基阴离子(NH2‑)的材料的开发、及其合成方法、用途。本发明的构成是一种钙铝石型化合物,其特征在于,注入1×1018cm‑3以上的浓度的亚氨基阴离子。其能够通过在液化氨中在450...
  • 具有纳米间隙长度的电极结构的制作方法、通过该方法得到的具有纳米间隙长度的电极结构和纳米器件
    将使金属层(2A、2B)具有间隙且成对地配置的基板(1)浸渍于无电解镀液中,所述无电解镀液是在含有金属离子的电解液中混合还原剂和界面活性剂而制成。利用还原剂将金属离子还原,金属析出于金属层(2A、2B)且界面活性剂附着在金属的表面,形成...
  • 负载金属催化剂和使用该催化剂的氨合成法
    以含有氢气和氮气的气体为原料进行连续氨合成用的催化剂,其特征在于,负载了具有催化活性的过渡金属的载体是二维电子化合物或其前体。二维电子化合物或其前体是以MxNyHz(其中,M为选自于由Mg、Ca、Sr和Ba所组成的组中的一种或两种以上第...
  • 太阳能电池及太阳能电池的制造方法
    本发明的太阳能电池(300)例如为下述串接式太阳能电池,该串接式太阳能电池层积有:设于光入射侧的上部电池(100)及设于该上部电池(100)的下方的下部电池(200),且选择上部电池(100)的能隙较下部电池(200)的能隙大的材料。本...
  • 使用酶的4-氨基肉桂酸的制备方法
    本发明提供一种使用能够将4‑氨基苯丙氨酸有效地转化为4‑氨基肉桂酸的酶脱氨酶的4‑氨基肉桂酸制备方法。一种4‑氨基肉桂酸的制备方法,其特征在于,使用来源于粘红酵母(Rhodotorula glutinis)的由序列号2所示的氨基酸序列形...
  • 本发明提供一种能够在水中或水溶液中选择性地催化从葡萄糖向果糖的转换的新的催化剂。一种在水中或水溶液中从葡萄糖向果糖的氢化物异构化反应用固体催化剂,由表面被进行了磷酸处理的IIIA族元素氧化物构成。
  • 一种晶体管,具备:压电电阻体(10),其传导载流子;源极(14),其将所述载流子注入所述压电电阻体;漏极(16),其从所述压电电阻体接受所述载流子;压电体(12),其以包围所述压电电阻体的方式进行设置,对所述压电电阻体施加压力;以及栅极...