本发明涉及一种硅基光电极、及其制备方法和用途。所述硅基光电极包括Si层和依次设置于所述Si层表面的钝化层、缓冲层和催化保护层。本发明所述硅基光电极中钝化层、缓冲层和催化保护层皆为致密的薄膜材料，其中，催化保护层具有良好的电催化活性，能有...

本发明涉及有机太阳能电池技术领域，提供了一种包括聚氨基酸的电子收集层，包含该电子收集层的太阳能电池及该太阳能电池的制备方法。本发明通过对电子收集层材料进行合理的筛选，细致的优化，得到了一种性能优良、成本低廉、无毒性的聚氨基酸电子收集层材...

本发明提供一种高效、稳定的钙钛矿薄膜及其制备方法与应用，涉及到太阳能电池领域。本发明采用简单的在钙钛矿前驱体溶液中添加添加剂；所述添加剂选自下式(1)所示的碘化物的一种或多种：C4HnX8‑nI2(1)。其中，X为F或Cl，n为0～8的...

本发明涉及一种高镍富锂正极材料，其特征在于，所述高镍富锂正极材料的化学式为Li1+z(Ni0.5+xMn0.5‑x‑yMy)1‑zO2或Li1+z(Ni0.5+x‑yMn0.5‑xMy)1‑zO2，所述M为VIB过渡金属元素，所述0≤x

本发明涉及一种由纳米线转化为量子点的方法及制得的量子点。所述方法包括以下步骤：(1)将纳米线和助磨材料混合，得到混合粗产物；(2)将步骤(1)所述混合粗产物分散于溶剂中，超声，得到量子点。本发明的制备方法具有高效环保、操作简单、成本低廉...

本发明公开了一种直接X射线探测结构、探测器及探测结构制作方法。所述直接X射线探测结构包括：电子发射电极，包括用于吸收X射线的射线吸收面，以及电子出射面，所述电子发射电极中吸收所述X射线的能量的电子从所述电子出射面出射；隧穿层，位于所述电...

本发明提供一种测定羧酸分子与金属基材的表面结合形态的方法，所述方法包括如下步骤：(1)采集完全质子化羧酸、吸附至金属基材的羧酸以及完全去质子化羧酸的红外光谱；(2)将测得的红外光谱去除干扰；(3)采用傅里叶去卷积法处理去干扰后的红外光谱...

本发明公开了一种调控石墨烯等离激元传输距离的方法，所述方法通过控制石墨烯层与基底层的不同距离，进而调控等离激元电场与基底的介电性质相互耦合的强弱，从而实现原位调控石墨烯等离激元的传输距离。所述方法能够调控石墨烯与基底的距离范围从0纳米到...

本发明公开了一种调控石墨烯等离激元品质因子的方法，所述方法通过控制石墨烯层与基底层的不同距离，进而调控等离激元电场与基底的介电性质相互耦合的强弱，从而实现原位调控石墨烯等离激元的品质因子。所述方法能够调控石墨烯与基底的距离范围从0纳米到...

本发明涉及一种由碳纳米管转化为石墨烯量子片的方法及制得的石墨烯量子片。所述方法包括如下步骤：(1)将碳纳米管和助磨材料混合，得到混合粗产物；(2)将步骤(1)所述混合粗产物与初分散溶剂混合，超声，得到石墨烯量子片。本发明的制备方法具有来...

本发明提供了一种过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法和用途，所述过渡金属为铂族金属，包括钌、铑、钯、锇、铱或铂中任意一种，所述过渡金属硫族化合物中硫族元素包括硫、硒或碲中任意一种；所述方法包括：在保护性气体氛围中，分别加热铂族金属源和硫族...

本发明涉及原子力显微镜技术领域，公开一种双探针原子力显微镜。所述双探针原子力显微镜包括两组力学检测组件、两组光热激励组件、两组探针组件和光学组件，力学检测组件包括发射检测用激光的力学检测激光器，光热激励组件包括发射光热用激光的光热激光器...

本发明涉及原子力显微镜技术领域，公开一种激光检测式四探针原子力显微镜。所述激光检测式四探针原子力显微镜包括两组第一激光组件、两组第二激光组件、两组第一探针组件、两组第二探针组件和光学组件，第一激光组件包括发射第一激光的第一激光器，第二激...

本实用新型涉及生物检测技术领域，尤其涉及一种探针检测变温装置及小动物光声断层扫描系统。其包括：水浴管；承载管，其设置于所述水浴管内，且装有分子探针；加热器，其用于加热进入水浴管内的水；和/或制冷器，其用于降低进入水浴管内的水的温度。加热...

本发明提供了一种复合气敏材料及其制备方法和用途，所述复合气敏材料由金属纳米复合粒子和半导体材料组成，所述金属纳米复合粒子由金属A的前驱物和金属B的前驱物共同还原得到，所述金属A为铂、钯、铑或铱中的任意一种或至少两种的组合，所述金属B为铜...

本发明提供一种联受体型聚合物光伏材料及其制备和应用。所述联受体型聚合物光伏材料以如下通式表示：

本实用新型涉及核磁共振成像技术领域，尤其涉及一种标本扫描装置，标本扫描装置包括储液瓶，储液瓶内设置有插槽，标本固定装置可插设于插槽中，所述标本固定装置包括由透明的有机玻璃制成的固定框架，所述固定框架(11)上设置有头部固定件、四肢固定件...

本发明公开了一种调控石墨烯等离激元波长的方法，所述方法通过控制石墨烯层与基底层的不同距离，进而调控等离激元电场与基底的介电性质相互耦合的强弱，从而实现原位调控石墨烯等离激元的波长。所述方法能够调控石墨烯与基底的距离范围从0纳米到几百微米...

本发明公开了一种调控石墨烯等离激元反射率的方法，所述方法通过控制石墨烯的几何形状或者改变边界上基底材料的折射率的方法调控石墨烯等离激元的反射率。这种方法可以将石墨烯等离激元的反射率从10％纳米调节至80％，所述方法调制效率高，简单易行。

本发明提供了一种固溶体纳米线及其制备方法和用途。本发明提供的固溶体纳米线为InP‑ZnSe固溶体纳米线。所述制备方法包括：(1)在衬底上覆盖催化剂，并对覆盖催化剂的衬底进行退火，得到退火衬底；(2)将InP和ZnSe的混合物置于一端封口...