本发明公开一种石墨配件打磨装置，设置背靠背安装的竖向、横向打磨机构，竖向、横向打磨机构均采用多自由度浮动连接，使得两者均可多自由度摆动或/和伸缩，且竖向打磨机构的第一打磨头的凸伸方向与横向打磨机构的第二打磨头的凸伸方向相垂直。通过竖向、...

本发明公开一种应力消除外延生长装置，在传片室、反应室之间的传输路径上增设消除应力室，碳化硅衬底经机械手从上下料室取出后，经传片室传递至消除应力室并在其内通过高温、低压和氮气氛围对晶格进行修复以进行应力消除处理，从消除应力室取出后再经传片...

本实用新型公开一种碳化硅表面粗糙度测试仪卡位器，包括载物台及多个定位件；其中，载物台包括一承载面以及凹设于所述承载面的多个定位圈，各所述定位圈围绕所述承载面的中心呈同心设置；每一所述定位件沿一所述定位圈可拆卸地连接于所述承载面，每一所述...

本实用新型公开了一种能够自由切换不同大小尺寸的CV测试夹具，包括基座，基座具有空腔，基座上端设有第一载板，第一载板中部设有通孔，空腔内设有升降装置，升降装置控制第二载板升降，第二载板上升时，能够从通孔伸出、并与第一载板平齐。本实用新型能...

本实用新型公开了一种用于碳化硅载流子浓度测试仪上的可拆卸探头，包括圆柱形探头本体，圆柱形探头本体正面边缘设有台阶，台阶上间隔设有多个螺丝沉孔，每个螺丝沉孔内设置有螺丝，螺丝锁在平台上。本实用新型采用了活动可拆卸的圆柱形探头本体，圆柱形探...

本发明公开了一种用于大尺寸碳化硅腊抛衬底的清洗方法及设备，其涉及碳化硅清洗工艺领域，其包括以下步骤：S1、对碳化硅衬底的正面进行有机溶剂喷淋，然后喷淋超纯水1～2min，最后使用氮气吹扫干燥晶片表面；S2、BOE药液超声浸洗；S3、第一...

本发明公开了一种高效碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法，其涉及半导体清洗工艺领域，其包括对湿法清洗的改进，将CMP后的碳化硅外延晶片去颗粒清洗，揭掉外延硅面保护膜；进行有机溶剂兆声浸泡清洗，转移至纯水槽中，进行QDR清洗；将碳化硅外延晶...

本发明公开了一种高效去除碳化硅衬底晶片污染的清洗方法，包括以下步骤：将碳化硅衬底晶片从产品盒中取出，放入相应的PFA卡塞中；将碳化硅衬底晶片进行SPM药液浸泡，药液比例为：98％浓硫酸：30％

本发明公开了一种外延生长检测方法，提供一衬底托盘，所述衬底托盘上具有主容置槽和副容置槽；所述生长检测方法包括：步骤1，将生长衬底放置在所述主容置槽，将参考衬底放置于所述副容置槽；步骤2，控制所述衬底托盘匀速旋转并在所述衬底托盘上的衬底生...

本发明公开了一种用于双层结构生长衬底外延生长的样品托，包括托盘本体和掩膜板，托盘本体上开设有设有容纳生长衬底的主容置槽和容纳参考衬底的副容置槽，掩膜板沿一随托盘本体的旋转离心方向设置的滑动轨道滑动安装于托盘本体上，副容置槽位于沿滑动轨道...

本发明公开一种沟槽结构碳化硅的外延填充方法，包括步骤：(1)将第一生长试验片进行外延生长试验，调节H2流量，得到其R

本发明公开了一种清洗碳化硅表面残留过氧化硅抛光液的方法，其涉及半导体清洗领域，其包括以下步骤：S1、将碳化硅CMP加工片进行BOE药液超声浸洗，所述BOE药液比例：49％氢氟酸：40％氟化铵＝1：4～1:6，BOE药液的浸泡时间范围为1...

本发明公开一种矫正碳化硅外延片翘曲度的方法，首先将所述外延片的保护膜一面贴合在减薄机的多孔陶瓷吸附台上，真空吸附所述外延片，利用8000～30000目的金刚石砂轮对所述外延片的碳面进行减薄处理；然后，将减薄后的所述外延片贴附于化学机械抛...

本实用新型公开了一种制程工艺气体的导流配件，包括配件主体，配件主体的轴向设有通孔，通孔的底部侧壁沿着配件主体的进气端倾斜向下延伸出一斜面。本实用新型在反应室下游炉腔出口处增加配件主体后，反应室炉腔上下方工艺气体的对流现象减轻，工艺气体反...

本实用新型公开了一种提高生产效率的碳化硅外延炉托盘取片装置，其涉及碳化硅外延生产领域，其包括托盘基座，顶部设置有水平承载部，所述托盘基座内设置有容纳腔，所述水平承载部上设置有第一开槽，装设在第一开槽内并与水平承载部水平面平齐的驱动块，所...

本发明公开了一种碳化硅晶片表面金属残留的清洗方法，包括以下步骤：将碳化硅晶片(包含外延片和衬底)整齐放置在清洗治具中；将碳化硅晶片转移至SPM药液槽中浸泡；将碳化硅晶片转移至纯水超声槽中，进行纯水喷淋、注水、快排、溢流、鼓泡；将碳化硅晶...

本实用新型公开一种用于生长半导体外延片的托盘，其包括托盘主体、定位环以及阻热结构；托盘主体的上表面设有一凸台；定位环的内壁的形状与所述托盘主体的侧壁的形状相对应，所述定位环卡合于所述托盘主体外；所述阻热结构设置于所述凸台，且所述阻热结构...

本实用新型公开一种用于半导体晶片空洞检测的载台，包括载台本体，载台本体具有第一表面以及第二表面，载台本体的第二表面上设有多个LED光源，载台本体的第二表面上还设有载台功能层，LED光源的峰值发射波长为第一预设值，载台功能层具有与第二表面...