【技术实现步骤摘要】
用于半导体晶片空洞检测的载台
[0001]本技术涉及半导体加工制造领域,尤其涉及一种用于半导体晶片空洞检测的载台。
技术介绍
[0002]近年来,随着对功率器件的耐压、频率响应、散热和抗辐射等需求的不断提高,第三代半导体碳化硅材料引起了业内的广泛关注。半导体材料是电力电子技术的载体和基础,半导体材料检测是半导体加工制造过程中不可或缺的重要工序,针对来料、半成品和产品的准确高效的检测手段,不仅可以降低生产成本,提升器件性能和良率,还有利于优化生产资料的分配方式,提高对生产品质的把控能力。六方空洞缺陷是一种危害性较大的致命缺陷,尺寸通常在几十微米尺度,在后续器件制造过程中有漏胶风险,大大提升了制造难度和降低了良率。目前,产业界针对于碳化硅晶片中晶体缺陷的检测手段主要为集成了光致发光和光学显微双通道的晶圆缺陷检测设备,探测器收集来自晶片的反射光子、散射光子、折射光子或发射光子,但晶圆缺陷检测设备对于空洞的检测精度仍不够,因为晶圆缺陷检测设备不是专门针对空洞缺陷检测的设备,因此,通常还需要辅以目检和漏气量测试来检测空洞缺陷,提高了人
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体晶片空洞检测的载台,其特征在于:包括载台本体,所述载台本体具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面,所述载台本体的第二表面上设有多个LED光源,所述载台本体的第二表面上还设有载台功能层,所述载台功能层包覆所述LED光源,所述LED光源的峰值发射波长为第一预设值,所述载台功能层具有与第二表面相对连接的第一功能表面以及与第一功能表面相对的第二功能表面,所述第二功能表面开设有多个吸附凹槽,所述吸附凹槽的内部设有吸附孔以用于吸附半导体晶片;所述LED光源的上方设有滤光介质层,所述滤光介质层的透射波长范围包含所述第一预设值且透射波长的半峰宽小于30纳米。2.如权利要求1所述的用于半导体晶片空洞检测的载台,其特征在于:所述滤光介质层设于第二功能表面上,且包覆所述第二功能表面以及吸附凹槽,所述滤光介质层对应吸附孔设有通孔以连通吸附孔。3.如权利要求1所述的用于半导体晶片空洞检测的载台,其特征在于:所述滤光介质层平铺设于所述载台功能层的内部。4.如权利要求1所述的用于半导体晶片空洞检测的载台,其特征在于:所述滤光...
【专利技术属性】
技术研发人员:马爽,邱树杰,张会娟,韩景瑞,种涞源,李云廷,刘丹,
申请(专利权)人:广东天域半导体股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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