【技术实现步骤摘要】
一种用于大尺寸碳化硅腊抛衬底的清洗方法及设备
[0001]本专利技术涉及碳化硅清洗工艺
，尤其涉及一种用于大尺寸碳化硅腊抛衬底的清洗方法及设备。
技术介绍
[0002]目前大尺寸(6英寸～8英寸)的碳化硅晶锭经过切割研磨后需要经过抛光处理，行业内多使用腊抛技术。可是腊抛后晶片表面的蜡去除及表面颗粒、金属污染、其他杂质化合物等的去除就成为了难题。尤其为了保障高质量高规格的衬底供应要求，大多数的碳化硅衬底供应商会选择传统的RCA清洗方法，但是这样的方法对于清洗表面带腊的碳化硅晶片的清洗效果并不佳，难以去除有机物及高团聚脏污。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于克服现有技术中的上述缺陷，提供了一种用于大尺寸碳化硅腊抛衬底的清洗方法及设备，其可以有效去除碳化硅晶片腊抛后的有机物、团聚颗粒、表面金属离子，提高生产效率和清洁效果。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供了一种用于大尺寸碳化硅腊抛衬底的清洗方法，包括以下步骤：
[0005]S1、先将有机溶剂加热控温在50～60℃，然后...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于大尺寸碳化硅腊抛衬底的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、先将加热控温在50～60℃，然后对碳化硅衬底的正面进行有机溶剂喷淋，喷淋流量控制在0.5L/min～0.8L/min，喷淋时间2～3min，然后喷淋超纯水1～2min，最后使用氮气吹扫干燥晶片表面，氮气压力0.2～0.25Mpa，流量0.3～0.6L/min，时间设定在40～60s；清洗完正面后将碳化硅衬底进行翻转，翻转后的碳化硅衬底背面按以上工艺进行喷淋清洗；S2、将碳化硅衬底进行BOE药液超声浸洗，BOE药液比例：49％氢氟酸：40％氟化铵＝1：4～1:6，温度为常温，BOE药液的浸泡时间范围为10min～40min；S3、将碳化硅衬底转移至纯水槽中，进行第一次快速倾倒清洗，并在清洗过程中碳化硅衬底低速旋转；使用喷淋、鼓泡、进水、溢流、快排的QDR工艺，超纯水流量控制在80～120L/min，温度为常温，工艺时间控制在300～600s；S4、将碳化硅衬底进行SPM药液浸泡，SPM药液的浸泡温度控制范围在110～150℃；溶液比例：96％浓硫酸：30％过氧化氢＝3:1(体积比)，温度设定为130～140℃，浸泡时间设定为10～20min；S5、将碳化硅衬底转移至热纯水槽中，进行第二次快速倾倒清洗，并在清洗过程中碳化硅衬底低速旋转；使用喷淋、鼓泡、进水、溢流、快排的QDR工艺，超纯水流量控制在80～120L/min，温度设定在60～70℃，工艺时间控制在300～600s；S6、将碳化硅衬底进行APM药液超声浸泡，其中超声功率400
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600W，APM药液的浸泡温度范围为45～70℃，处理时间控制在10min～40min；溶液比例：28～30％氨水：30％过氧化氢：水＝1:1:5～1:2:4(体积比)，溶液体积约30～40L，温度设定为60～70℃，浸泡时间设定为10～20min；S7、将碳化硅衬底转移至纯水槽中，进行第三次快速倾倒冲洗清洗，并在清洗过程中碳化硅衬底低速旋转，使用喷淋、鼓泡、进水、溢流、快排的QDR工艺，超纯水流量控制在80～120L/min，温度为常温，工艺时间控制在300～600s；S8、将碳化硅衬底进行DHF药液超声浸泡，DHF药液为将49％HF水溶液稀释至0.5％～2％浓度的溶液，常温状态下，浸泡时间设定为10～20min；S9、将碳化硅衬底转移至纯水槽中，进行第四次快速倾倒冲洗清洗，并在清洗过程中碳化硅衬底低速旋转，使用喷淋、鼓泡、进水、溢流、快排的QDR工艺，超纯水流量控制在80～120L/min，温度为常温，工艺时间控制在300～600s；S10、将碳化硅衬底放入甩干装置中转速甩干。2.根据权利要求1所述的一种用于大尺寸碳化硅腊抛衬底的清洗方法，其特征在于，S1步骤中的有机溶液为异丙酮...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘福成，叶兆杰，李锡光，
申请(专利权)人：广东天域半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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