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工业和信息化部电子第五研究所华东分所专利技术
工业和信息化部电子第五研究所华东分所共有99项专利
一种免洗无卤助焊剂及低温焊锡丝制造技术
本发明公开了一种免洗无卤助焊剂及低温焊锡丝。本发明的免洗无卤助焊剂,按重量百分比计,由以下原料制备而成:20%~35%的成膜物质,40%~70%的溶剂,2%7%的活化剂,0.1%~1%的表面活性剂,和0.5%~3%的添加剂;上述原料中各...
一种半导体功率器件结构制造技术
本实用新型公开了一种半导体功率器件结构,在传统的横向功率器件Trench LDMOS结构的Trench层中引入多层深度不同的纵向金属场板,同时在漂移区中引入一层重掺杂n型层,在提高器件击穿电压方面,多层长度不等的金属场板可以在漂移区中引...
一种用于钒电池的改性PES-PVP共混阴离子交换膜及其制备方法技术
本发明公开了一种用于钒电池的改性PES‑PVP共混阴离子交换膜。本发明的一种用于钒电池的改性PES‑PVP共混阴离子交换膜,由季铵化改性PES和PVP经共混后制备而成,季铵化改性PES为季铵碱季铵化改性PES与咪唑类季铵化改性PES的混...
一种功率器件的结构制造技术
本实用新型公开了一种功率器件结构,通过在薄膜SOI圆片上进行磷注入,进行高温退火,激活注入离子,进行硅刻蚀,一直到埋氧层,形成SiO2介质层窗口,进行SiO2沉积,进行SiO2刻蚀,一直到埋氧层表面,形成多晶硅窗口,进行多晶硅沉积;通过...
一种环形栅半导体功率器件制造技术
本实用新型公开了一种环形栅半导体功率器件,包括源极,漏极和环形的N型漂移区,其特征在于,所述N型漂移区连接所述源极和漏极,所述N型漂移区内插入了一层U形的N型重掺杂多晶硅的场板,所述场板将所述源极、漏极和N型漂移区分隔成上漂移区和下漂移...
一种环形栅半导体功率器件和制备方法技术
本发明公开了一种环形栅半导体功率器件和制备方法,包括源极,漏极和环形的N型漂移区,其特征在于,所述N型漂移区连接所述源极和漏极,所述N型漂移区内插入了一层U形场板,所述场板将所述源极、漏极和N型漂移区分隔成上漂移区和下漂移区,所述场板与...
一种半导体功率器件结构的制备方法及结构技术
本发明实施例公开了一种半导体功率器件结构的制备方法以及结构,在传统的横向功率器件Trench LDMOS结构的Trench层中引入多层深度不同的纵向金属场板,同时在漂移区中引入一层重掺杂n型层。在提高器件击穿电压方面,多层长度不等的金属...
一种功率器件结构的制备方法及结构技术
本发明实施例公开了一种功率器件结构的制备方法,通过在薄膜SOI圆片上进行磷注入,进行高温退火,激活注入离子,重掺杂n型漂移区从器件表面到埋氧层上表面;进行硅刻蚀,一直到埋氧层,形成SiO2介质层窗口,进行SiO2沉积,进行SiO2刻蚀,...
一种无铅绿色助焊膏制造技术
本发明揭示了一种无铅绿色助焊膏,按质量百分数的组分包括:松香基质35%-40%、溶剂52.5%-60%、活化剂4.0%-5.5%、表面活性剂0.3%-0.5%和辅配添加剂0.7%-1.5%,其中松香基质为氢化松香、水白松香、聚合松香或其...
样品试验专用的通断电系统及其实现方法技术方案
本发明揭示了一种样品试验专用的通断电系统及其实现方法,该通断电系统由MCU、USB程序下载模块、4×4矩阵键盘模块、LED灯模块、数码管显示模块、继电器信号输出模块相连组成,通过继电器信号输出模块连接样品的供电电源端口,根据样品的试验要...
一种水基绿色环保助焊剂制造技术
本发明揭示了一种水基绿色环保助焊剂,由以下原料混合制成:有机酸活化剂、有机胺类活化剂、表面活性剂、添加剂、去离子水,有机酸活化剂具有足够的化学活性,在无铅焊接温度下能够挥发,焊后无残留,有机胺类活化剂能提高助焊剂活性,还可以起到缓蚀剂的...
一种三电极体系电化学测试装置制造方法及图纸
本实用新型揭示了一种三电极体系电化学测试装置,用于测试较小工作电极的电化学性能,包括反应罐、电解质溶液、胶塞、进气玻璃管、出气玻璃管,特别地,三电极体系电化学测试装置设有工作电极单元、辅助电极单元和参比电极单元,工作电极单元包括工作电极...
一种印制电路金相切片用抛光液及其制备方法技术
一种印制电路金相切片用抛光液及其制备方法,属于印制电路板制造技术领域。本发明提供一种专门用于抛光印制电路板金相切片的抛光液,适用于抛光采用水晶胶固定的铜、镍等镀层的观测研究。该抛光液由氧化铝粉体、没食子酸(3,4,5-三羟基苯甲酸)和有...
一种三维振动台的通用型夹具制造技术
本实用新型揭示了一种三维振动台的通用型夹具,由母夹具和子夹具组成,其中该母夹具为立方体结构,其一侧面通过第一螺钉组与振动台的动圈相连,且母夹具互成直角的三个面上分别设有子夹具固定装置,三个子夹具通过第二螺钉组与母夹具刚性连接,且每个子夹...
一种GaN基LED交流电照明芯片制造技术
本实用新型揭示了一种GaN基LED交流电照明芯片,该照明芯片为由LED微阵列构成,该LED微阵列包含蓝宝石衬底上的N型GaN的Mesa隔离结构、PN结有源区、二氧化硅绝缘层,且每个LED微阵列分别具有各自多层金属的N型电极和P型电极。特...
适用于微小样品的试验箱放置框制造技术
针对目前电子产品及其元器件日益向微小型化发展,本实用新型揭示了一种试验箱用的放置框,包括闭环的底部边框、环绕底部边框与其相连的防护栏以及设于底部边框上的网状底盘,其中该底部边框在高度方向上设有穿槽,该网状底盘为穿接于所述穿槽内的复数条支...
用于样品可靠性环境试验提供电应力的通用逻辑控制系统技术方案
本发明揭示了一种用于样品可靠性环境试验提供电应力的通用逻辑控制系统,其特征在于:基于型号为STC12C5A60S2的单片机最小系统模块搭建,所述系统包括与单片机最小系统模块输入端相连的RS-232程序更新下载接口电路模块以及至少一路与单...
一种来电显示及语音自动播报系统技术方案
本发明揭示了一种来电显示及语音自动播报系统,基于型号为STC12C5A60S2的单片机搭建,包括电话线接口电路、显示来电模块和语音自动播报模块,其中电话线接口电路通过FSK解调芯片与单片机的对应接口相连,FSK解调芯片的RDET端、CD...
一种GaN基LED交流电照明芯片及其制备方法技术
本发明揭示了一种GaN基LED交流电照明芯片,该照明芯片为由LED微阵列构成,该LED微阵列包含蓝宝石衬底上的N型GaN的Mesa隔离结构、PN结有源区、二氧化硅绝缘层,且每个LED微阵列分别具有各自多层金属的N型电极和P型电极,其特征...
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