富士通株式会社专利技术

富士通株式会社共有10016项专利

  • 本发明公开一种信息写/读装置,该装置与一种信息记录介质协作,该介质包括一ROM区和一RAM区,该RAM区或该ROM区具有预先在其上记录的控制信息,该控制信息用以限制信息的读取和/或写入,该信息写/读装置包括:一光学拾取单元,用以读取存储...
  • 一种记录装置,对于通过相位凹坑记录ROM信息、在上述相位凹坑的记录区域上重叠记录RAM信息的光信息记录介质,可以进行记录或者再现,具有能进行以下控制的主控制器:检测从光信息记录介质反射的激光的反射光,当在生成与ROM信息和RAM信息对应...
  • 一种浮动滑块(1),具有与存储媒体(Dc)相对配置的相对面(11)。在相对面(11)上设置具有沿着该存储媒体(Dc)的半径方向延伸的轴心的形成圆柱外表面形状的冠状面(7)。该浮动滑块(1)当所述存储媒体(Dc)旋转时,通过空气流入所述存...
  • 一种光信息记录介质。在同时读出ROM-RAM信息时,可以稳定地再现RAM信息。上述光信息记录介质具有:包括形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域以及形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上的用于记录RAM信号的光磁记录膜,上述RO...
  • 磁记录介质和磁存储装置。一种磁记录介质,其包括:基板、由Co合金或CoCr合金制成的磁记录层、设置在基板和磁记录层之间的晶种层、以及由具有B2结构的二元合金材料制成并设置在晶种层和磁记录层之间的底层。该晶种层由下述材料制成,该材料主要包...
  • 磁记录介质和磁存储装置。一种磁记录介质,其包括:基础结构;以及合成亚铁磁结构,设置在所述基础结构上,并且形成一记录层。该合成亚铁磁结构至少包括一底部磁层和一顶部磁层,该底部磁层和顶部磁层通过一非磁性间隔层反铁磁地耦合。该底部磁层由超顺磁...
  • 本发明提供一种形状复制方法,其特征在于包括以下步骤:将压模固定到平台,该压模在其表面上具有预定的花纹和中心开口;在压模的花纹表面上施加光固化树脂;在光固化树脂上固定具有开口的薄板形衬底以使衬底相对于压模保持在预定位置,其中衬底的开口直径...
  • 本发明之目的是提供使用相邻场光的且不产生记录头盘界面问题的光记录介质、记录再现装置、存储装置及记录再现方法。为达成该目的,按照本发明,可以在具有形成在基板上的记录膜和保护膜的光记录介质中,在光入射的信号记录面沿规定方向设置由尖锐化了的突...
  • 本发明提供一种光学存储装置和光学存储介质的读出/写入方法。为了在连续播放光信息存储介质的ROM信息的同时,把与ROM信息相关联的新信息RAM记录在光信息存储介质中与ROM信息链接的位置,具有光学头(5),该光学头(5)向在形成有相位凹坑...
  • 提供一种信息记录媒体和信息存储装置,该信息记录媒体是垂直磁记录媒体,包括:基板;在该基板上设置的、表面上具有粒径为5~20nm、平均粗糙度Ra为0.2~2.0nm的凹凸的凹凸控制层;在该凹凸控制层上设置的、包含大于等于30at%的、单质...
  • 本发明的目的是提供一种高密度光磁记录再现装置及高密度光磁记录再现方法,所述装置和方法可以使从记录介质再现的标记的边缘位置不发生变化地向记录介质记录标记。为了达到所述目的,向光磁记录介质记录信息标记或者再现该信息标记的光磁记录再现装置包括...
  • 提供了一种光记录媒体和光记录装置,所述光记录媒体具有由凸脊和凹槽构成的记录道,在记录再现中使用的激光束的记录媒体面上的光束直径小于或等于0.7μm,其具有:包含交替形成的多个凸脊和多个凹槽的透明基板;以及,设置于该透明基板上的可光记录的...
  • 本发明公开一种磁光头装配方法和装置、磁光头及磁光盘装置,所述装配装置是用于包含玻璃板和半球透镜的磁光头的装配装置,该玻璃板具有相互的第1面和第2面、并在该第1面上形成有线圈,该半球透镜粘接在玻璃板的第2面上,包括:可在相互垂直的X轴方向...
  • 具有记录信息的多个记录层的多层光记录介质,包含:用中心波长λ1的第1光束记录再生信息的第1记录层;被设置在第1记录层上的第1光致变色层;设置在第1光致变色层上的、把和中心波长λ1不同的中心波长λ2的第2光束照射到第1光致变色层上的第1光...
  • 本发明提供一种信息存储装置。在使用从接口或者电池提供的电源的信息记录再生装置中,在电源连接时,一面徐徐增加消耗功率,一面进行该每次从电源输入的电压的监视,基于监视结果来进行消耗功率限制或者功能限制。另外,在操作中进行从电源输入的电压或者...
  • 一种具有服务器和客户机装置的系统,上述服务器包括通过网络把内容数据投送到上述客户机装置的装置,上述客户机装置包括接收上述内容数据的装置;在表示储存许可的信息存在的情况下允许从上述服务器处接收到的内容数据的储存的装置。
  • 磁性晶粒(32)位于晶体层(35、41)的表面上间隔开的位置。用第一隔离层(33)覆盖磁性晶粒(32)。晶体层(35、41)用来沿预定方向取向磁性晶粒(36、38)。在晶体层(35)与磁性晶粒(32)以及在晶体层(41)与磁性晶粒(36...
  • 一种磁性记录介质被构造成包括下部磁性层、设置在下部磁性层上的非磁性隔离层和设置在非磁性隔离层上的上部磁性层,这里上部和下部磁性层都反铁磁性地耦合。下部磁性层包括稳定层和设置在稳定层和非磁性隔离层之间的下部增强层,该稳定层和下部增强层铁磁...
  • 一种电流垂直于平面结构的磁电阻元件,磁电阻薄膜(43)从一个磁头滑块的介质相对表面(28)向后延伸。一个上电极层(46)叠置在磁电阻薄膜的上边界(43b)上。该上电极层(46)包括一个沿着上边界、从在介质相对表面处露出的顶端向后延伸的低...
  • 本发明提供一种磁记录介质及其制造方法。该磁记录介质包括:由Co基合金材料构成的强磁性层和配置于强磁性层上的由Ru或Ru基合金材料构成的非磁性结合层和配置于非磁性结合层上的由Co基合金材料构成的磁记录层。非磁性结合层由于是在Ar-N↓[2...