本发明属于集成电路技术领域，具体为一种针对嵌入式静态随机存储器（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ　　ＳＲＡＭ）的电流灵敏放大器（Ｃｕｒｒｅｎｔ－ｍｏｄｅ　　Ｓｅｎｓｅ　　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）。主要由位线箝位电路、交叉耦合反相器、均衡电路以及输入输出缓冲...

本发明属于半导体存储器技术领域，具体为存储器中实现多态存储的一种独特的存储方式及其相关电路。这种独特的多态存储方式，基于一种特定的元器件。该器件具有编写为多种电阻值（或电荷值等）的能力，例如：相变存储器中的相变电阻，以及铁电存储器中的金...

本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种硬件与软件相结合的错误监测和纠错方法。这种方法基于如下特定的存储结构：存储单元中具有至少两个信息存储器件（如：２个存储电荷以表征信息状态的电容、２个以不同电阻值表征信息状态的电阻、２个以阈值电压...

本发明属集成电路设计技术领域，具体为一种标准ＣＭＯＳ工艺实现的非挥发性存储器单元电路。存储器单元电路由隧穿晶体管、控制晶体管和读出晶体管构成，其中，隧穿晶体管、控制晶体管均连接成ＭＯＳ电容的形式，两管的栅极相连形成浮栅，电路通过在隧穿晶...

本发明属于存储器技术领域，具体为一种能量恢复结构的只读存储器（ＲＯＭ）存储单元电路结构。该电路结构包括：第一，能量恢复结构的预充电电路；第二，存储单元；第三，提供周期性变化电源的功率时钟（ＰＣ）。该结构采用绝热电路的原理在功率时钟（周期...

一种非挥发静态随机存取存储单元，其特征在于以二元或者二元以上的多元金属氧化物作为非挥发存储介质，由一个传统的六管ＳＲＡＭ、一个存储电阻以及一个参考电阻构成；其中，存储电阻的下电极与ＳＲＡＭ的一个上拉ｐｍｏｓ管的源端耦连，上电极与电源线耦...

本发明属于相变存储材料技术领域，具体为一种铝掺杂相变存储薄膜材料Ａｌ↓［ｘ］（Ｇｅ↓［２］Ｓｂ↓［２］Ｔｅ↓［５］）↓［１００－ｘ］及其制备方法。通过利用磁控溅射镀膜系统，采用双靶共溅射方式制备得到铝掺杂的Ａｌ↓［ｘ］（Ｇｅ↓［２］Ｓｂ...

本发明属微电子技术领域，具体涉及一种电阻随机存储器不挥发存储器的复位操作方法。本发明设计了一种脉冲幅度以步进式增长的复位编程方式，可以大大提高电阻存储单元的反复擦写次数，延长其使用寿命。

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种一次编程存储器及其存储操作方法，在该器件中采用具有多次编程能力的二元或者二元以上的多元金属氧化物作为存储介质。通过施加大小和极性不同的电压于存储介质的两端，来对其进行编程和擦除操作。本发明的存储介...

本发明发球集成电路技术领域，具体为一种超低功耗非挥发静态随机存取存储单元。该存储单元采用二元或者二元以上的多元金属氧化物作为非挥发存储电阻，包括一个六管静态随机存取存储单元，两个互补的存储电阻，两个与存储电阻分别耦连的选通管和一个由两个...

本发明属于超大规模数字集成电路技术领域，具体为一种新型不可挥发存储器的工艺波动性控制方法，该方法将新型不可挥发存储器的工艺波动性控制与其测试相结合，利用测试过程对存储阵列的读写和相应的控制电路实现对新型不可挥发存储器的工艺波动性控制。与...

本发明属于集成电路技术领域，具体为对交叉型电阻转换型存储单元阵列提供动态偏置电压的方法。交叉型存储阵列依靠交叉的两条金属导线上施加的电信号进行选择操作。本发明设计了一种能够根据阵列的电阻分布情况以及外加操作信号的不同来动态产生对其他非操...

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种新型双端口动态随机存储器及其存储操作方法，其特征在于包括数条字线，数条位线，以及数个存储单元，每个存储单元位于两条字线与两条位线的各个交叉区。每个存储单元包括一个相变存储单元、两个选通管、一条写字线...

本发明属于微电子技术领域，具体为一种高读取速度、低操作干扰的相变电阻存储单元结构存储器及其存储操作方法，其特征在于包括：数条字线，数条位线，以及数个存储单元，每个存储单元位于一条字线与两条位线的各个交叉区。每个存储单元包括两个相变存储单...

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种新型相变存储器的读操作方法。每个相变存储器结构的位线在多路选择器进行选择，然后分成两路分别经过第一选通开关和第二选通开关连接到读出放大器的两端。读出放大器两端接到第三开关的两端。其优点在于功耗低，静...

本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案。具体针对相变存储器中存在的、工艺波动下的高可靠性存储与高密度存储之间的矛盾，提出了全新的“以比值为导向”的存储状态定义方法。以此方法为向导，在充分利用相变电阻自...

本发明为一种用于可擦重写短波长光存储的薄膜材料及其制备方法。本发明采用合适的溶剂将Ｋ（ＴＣＮＱ）溶于适配的高分子中后涂于玻璃基片或ＰＣ基片上制成含Ｋ（ＴＣＮＱ）的高分子薄膜，并对该薄膜的可逆光致变色光谱和光存储特性进行了研究。该薄膜在３...

本发明公开一种激光辅助纵向磁头实现垂直记录介质磁盘的动态存储方法，属于磁学、光学及信息存储技术领域。该方法基于激光诱导磁记录原理，利用纵向磁头一端的垂直磁场分量作为新的磁记录场，在约２±０．２μｍ直径的４０５ｎｍ波长激光聚焦光斑的诱导下...

本发明是激光诱导磁记录动态测试方法及测试系统，主要是运用磁存储介质对光频的选择响应、热磁效应及巨磁阻效应等，实现的一种超高密度高速、光磁混合动态存储技术方案。是目前光、磁存储技术发展领域中的创新方法与技术。采用一定波长及功率连续可调的激...

本发明涉及激光诱导磁记录静态测试方法及测试系统，主要是运用磁记录介质对光频的选择响应及热磁效应等，实现的一种高密度、光磁混合静态存储测试技术方案。它采用一定频率及输出功率的激光为热诱导辅助光源，选择与光频相适应的磁记录介质，利用磁场调制...