铝掺杂相变存储薄膜材料Ａｌｘ（Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５）１００－ｘ及其制备方法技术

本发明专利技术属于相变存储材料技术领域，具体为一种铝掺杂相变存储薄膜材料Ａｌ↓［ｘ］（Ｇｅ↓［２］Ｓｂ↓［２］Ｔｅ↓［５］）↓［１００－ｘ］及其制备方法。通过利用磁控溅射镀膜系统，采用双靶共溅射方式制备得到铝掺杂的Ａｌ↓［ｘ］（Ｇｅ↓［２］Ｓｂ↓［２］Ｔｅ↓［５］）↓［１００－ｘ］相变存储薄膜。与未经掺杂的Ｇｅ↓［２］Ｓｂ↓［２］Ｔｅ↓［５］薄膜相比，该薄膜微结构与物性均发生了变化，研究结果表明，随着Ａｌ掺杂量的增加，样品的相变温度也有所上升，并且样品的面心立方（ＦＣＣ）相更加稳定，有助于改善相变光盘的使用条件及寿命。同时，Ａｌ掺杂对Ｇｅ↓［２］Ｓｂ↓［２］Ｔｅ↓［５］薄膜的反射对比度增强极为有利，可提高相变光存储读出信号的信噪比。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于相变存储材料
，具体涉及一种铝掺杂相变存储薄膜材料 Alx(Ge2Sb2Te5)1GG.x及其制备方法。
技术介绍
1968年，Ovshinsky提出了相变存储(Phase-Change Memory (PCM))的概念，他在 硫族化物薄膜材料中发现了原子排布可以在有序一无序态之间转变。相变存储，也被称 为Ovonic Unified Memory (OUM)，是一种基于硫族化合物材料的晶态与非晶态两相的转 换来存储信息的技术。处于晶态和非晶态时，薄膜的光学性质和电学性质有着很大的差 异，主要表现在反射率和电阻率的变化上。晶态和非晶态之间的可逆转变可以通过热效 应来实现。1971年，Ovshinsky等人报道了Te基合金用于可擦除相变光存储的可能性，从此研究 者们便开始了对相变光存储材料的研究。随着研究的深入，研究者们发现了一批具有可逆光存储性能的相变材料，主要是一些 半导体材料，如Te基、Se基和In-Sb基合金等。其中尤以Te基合金成为一类最有发展前 途的可逆相变光存储材料。二元Te基合金主要有Te-Ge、 Te-Sn、 Sb-Te、 Te-Ox等；三元 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铝掺杂相变存储薄膜材料，其特征在于该材料的化学结构式为：Ａｌ↓［ｘ］（Ｇｅ↓［２］Ｓｂ↓［２］Ｔｅ↓［５］）↓［１００－ｘ］，其中０＜ｘ≤５，并利用磁控溅射系统，分别以金属铝和Ｇｅ↓［２］Ｓｂ↓［２］Ｔｅ↓［５］为不同的溅射靶材，采用双靶共溅射法制备获得。

【技术特征摘要】
1、一种铝掺杂相变存储薄膜材料，其特征在于该材料的化学结构式为Alx(Ge2Sb2Te5)100-x，其中0＜x≤5，并利用磁控溅射系统，分别以金属铝和Ge2Sb2Te5为不同的溅射靶材，采用双靶共溅射法制备获得。2、 一种如权利要求1所述的铝掺杂相变存储薄膜材料的制备方法，其特征在于具体 步骤如下使用磁控溅射镀膜系统，将金属铝靶材与Ge2Sb2Te5靶材分别安装在一磁控直 流溅射靶和一磁控射频溅射靶中，其中靶材的纯度均优于99.99%,衬底采用Si(100)基片， 背景真空气压均为4.0Xl(T6mbar—6.0Xl(T6mbar，工作气体为99.997%...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晶，魏慎金，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]