本发明是一种用铁磁／反铁磁多层膜中垂直交换偏置产生垂直各向异性的新方法。首先用真空镀膜设备在衬底上制备缓冲层，然后在缓冲层上制备铁磁／反铁磁多层膜，最后在多层膜上覆盖一层保护层。完成制备后，在外磁场中将多层膜样品从高于反铁磁层的奈尔温度...

本发明属磁性纳米材料技术领域，具体为一种磁性核－二氧化硅－金属氧化物的三重核壳结构的磁性纳米粒子及其制备方法。本发明以直径在２～５ｎｍ的磁性纳米粒子为核，通过反相微乳法制备得到包覆磁性核的直径１０～１００ｎｍ的二氧化硅纳米粒子，以此为原...

本发明属于无机材料和生化分析技术领域，具体为一种表面固定金属离子的氨基磁性纳米粒子及其制备方法和应用。该磁性纳米粒子是先合成表面带有氨基的磁性纳米材料，然后采用己二酰氯继而采用亚氨基二乙酸对其进行表面化学修饰，进而固定金属子而获得。该固...

本发明属于生物分离材料技术领域，具体为一种具有核壳结构的磁性复合微球及其制备方法。首先以油酸修饰的纳米四氧化三铁为原料，通过模板细乳液聚合制备了高磁含量单分散的磁性复合微球；然后通过种子乳液聚合，加入不同量的壳层单体制备得２０ｗｔ％－８...

本发明属于无机材料和分析技术领域，具体涉及一种表面修饰Ｃｕ↑［２＋］的磁性材料及其制备方法和应用。该磁性纳米材料是先合成表面富含氨基的四氧化三铁的磁性纳米材料，采用Ｃｕ↑［２＋］对其进行表面化学修饰。该固定Ｃｕ↑［２＋］的磁性纳米粒子作...

本发明属于先进纳米复合材料技术领域，具体为一种磁性无机纳米粒子／沸石核壳型复合微球及其制备方法。本发明首先采用溶胶－凝胶化学合成法，在磁性无机纳米粒子外面包裹上一层无定形二氧化硅，再利用逐层自组装技术在表面带负电的磁性微球表面先后吸附带...

本发明属于先进纳米复合材料技术领域，具体为一种磁性无机空心复合微球及其制备方法。本发明首先通过溶剂挥发法使磁性纳米粒子和高分子微球发生共沉淀，使磁性纳米粒子填充到高分子微球的缝隙中，然后通过“纳米浇铸”方法在高分子微球缝隙的剩余空间内填...

本发明属于无机材料和分析技术领域，具体涉及一种表面修饰Ｃ８烷基链的磁性碳球及其制备方法和应用。该磁性碳球是先合成磁性四氧化三铁的纳米材料，然后合成具有核壳结构的Ｆｅ↓［３］Ｏ↓［４］＠碳磁性微球材料，进而采用Ｃ８对其进行表面化学修饰而获...

本发明属于纳米电子器件技术领域，具体是一种超快速、抗辐射纳米线过电压保护器。器件的功能部分由底电极、绝缘层和顶电极组成，绝缘层中由金属有机络合物Ｍ－ＴＣＮＱ纳米线（阵列）将底电极与顶电极连接，这里Ｍ为Ａｇ，Ｃｕ，Ｋ或Ｍｇ。本发明利用Ｍ－...

本发明属于电子器件技术领域，具体涉及一种用于过电压保护的电阻开关器件。这种电阻开关器件的结构依次为：铝底电极、氧化铝层、自组装有机分子层、以及金属顶电极。其中的金属顶电极采用铜或铝；用于制备自组装有机分子层的有机材料为２，５－二巯基－１...

本发明涉及一种有机分子材料及其制备方法。该有机分子材料的名称为３，９－双（二氰基亚甲基）－２，４，８，１０－四硫杂螺［５，５］十一烷，分子式为Ｃ↓［１３］Ｈ↓［１８］Ｎ↓［４］Ｓ↓［４］，为淡黄色固体，熔点在３００℃以上。该材料能够形成...

本发明涉及一种电阻存储器的激活操作方法，属于电阻存储器领域，用于具有激活电压的电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换，包括步骤：（１）在电阻存储器上，施加使存储介质上的偏置电压低于所述激活电压的电信号；（２）保持所述电信号偏置；（３）该电阻...

本发明涉及电阻存储器的激活操作方法，属于电阻存储器领域，用于具有激活电压的电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换，在所述电阻存储器上，施加使存储介质上的偏置电压低于所述激活电压的脉宽为ｔ↓［ｆ］的宽脉冲电信号，其脉宽ｔ↓［ｆ］大于电阻存储器...

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种新型不挥发动态存储器及其存储操作方法。存储器包括数个存储单元，每个存储单元位于两条字线与一条位线的各个交叉区。每个存储单元包括一个相变存储单元和一个动态存储单元，其中相变存储单元由第一选通器件和一个...

一种能同时选中多条位线的列译码器，具体针对传统译码器每次只能在一个存储阵列中选中一个存储单元的弱点，提出一种新型的可以同时选中多条位线的列译码器。它包括可以恒定输出使欲选中地址线选中的有效选中电平的电平转换器。在此列译码器的基础上，可以...

本发明属电子计算机技术领域，是一种可擦除式存取存贮器（ＥＡＳＴ），包括电子枪、电子轰击靶和偏转器三个部分。其中电子轰击靶是一个特殊的叠层薄膜，它采用新材料金属有机络合物Ｍ－［１－β］（ＴＣＮＱ）制备获得。该器件可以有较高的存贮密度，每平...

本发明属电子计算机技术领域，是一种电擦除可编程只读存贮器（Ｅ＋［２］ＰＲＯＭ），由基板及其上的叠层薄膜组成。该薄膜采用新材料金属有机络合物Ｍ－［１－β］（ＴＣＮＱ）制备获得，其构成如下，在基板上依次为铝层横条、半导体层、Ｍ－［１－β］（...

本发明是一种ＵＳＢ大容量存储装置，由硬件和控制软件两部分构成。硬件采用通用型元器件，由ＵＳＢ接口器件、廉价高速ＰＩＣ兼容型ＭＣＵ单片机、大容量存储芯片构成。这种方案的缺点是连接稍微复杂些，优点是组合可能多，选择余地大。本发明给出了详细的...

本发明是一种ＵＳＢ通用编程器。现有编程器要么简单，可编程器件品种较单一；要么采用ＣＰＬＤ、三极管等复杂结构，编程器件品种多但电路成本高。本发明提出一种ＵＳＢ、单片机、模拟开关阵列方案，具有通用型编程器的灵活性，其控制电路直观，降低了硬件...

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种采用两级内容寻址寄存器（ＣＡＭ）比较的低功耗快表（ＴＬＢ）。主要由６４路ＣＡＭ阵列（６４×２９比特的ＣＡＭ单元）和６４路ＳＲＡＭ阵列（６４×２２比特的ＳＲＡＭ单元）以及最后的输出灵敏放大器组成。其中...