【技术实现步骤摘要】
本专利技术属集成电路设计
具体涉及一种采用两级内容寻址寄存器(CAM)和两级比较的结构来实现处理器的快表(TLB)。
技术介绍
随着微电子技术的飞速发展,近年来移动电子设备和个人通信设备如个人掌上电脑、移动电话等越来越普及,由于这些设备的电池比较昂贵,因此低功耗处理器的应用也越来越广泛。一般而言,32位架构的CPU能够支持大型应用程序及完整的操作系统。程序通常是存储在芯片外的存储器,再从高速缓存执行程序,并由一个存储管理单元(MMU)来管理整个过程。MMU由于要完成地址比较和地址转换的功能,是处理器的一个主要功耗源,而MMU是由快表(TLB)和一些控制电路组成,TLB是MMU的功耗所在。因此低功耗TLB的设计是低功耗处理器设计中的一个关键部分。由于TLB的功耗通常占整个处理器功耗的很大一部分(随处理器的不同以及TLB大小的不同约占15%~25%),设计低功耗的TLB对于降低整个处理器的功耗是极为关键的。TLB的功能是加快虚、实地址的转换速度,它可以分为两部分一部分存放虚拟地址,用来和处理器给出的地址进行比较;另一部分存放物理地址,虚拟地址和物理地址是一 ...
【技术保护点】
一种采用两级内容寻址寄存器比较的低功耗快表,其特征在于由64路CAM阵列(1)和64路SRAM阵列(2)和输出灵敏放大器(3)经电路依次连接组成;其中,CAM阵列(1)的基本单元为CAM单元,SRAM阵列(2)的基本单元为SRAM单元;采用NMOS管MN预充电和DMOS管MP放电的充放电电路;每一路CAM分成第一级(4)和第二级(5)的两级比较,由与门(6)产生最终Match信号。
【技术特征摘要】
1.一种采用两级内容寻址寄存器比较的低功耗快表,其特征在于由64路CAM阵列(1)和64路SRAM阵列(2)和输出灵敏放大器(3)经电路依次连接组成;其中,CAM阵列(1)的基本单元为CAM单元,SRAM阵列(2)的基本单元为SRAM单元;采用NMOS管MN预充电和DMOS管MP放电的充放电电路;每一路CAM分成第一级(4)和第二级(5)的两级比较,由与门(6)产生最终Match信号。2.根据权利要求1所述的低功耗快表,其特征在于所述CAM单元由标准六管SRAM单元和比较单元组成,其中NMOS管CM1、CM2组成异或逻辑,实现比较功能,其中CM1、CM2的漏极相连,源极分别与位线BL、BLN相连,栅极分别与T1、T2的漏极相连;NMOS管MD的栅极与CM1、CM2的漏极相连,漏极就是Match线,源极接可控端Vin。3.根据权利要求1所述的低...
【专利技术属性】
技术研发人员:顾沧海,黄宏,周晓方,闵昊,
申请(专利权)人:复旦大学,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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