【技术实现步骤摘要】
本专利技术属计算机
,是一种高密度电子存贮器。目前,国内外计算机使用的可编程只读存贮器(E2PROM)有半导体存贮器和光盘存贮器。半导体存贮器存取速度较快,但提高存贮密度的工艺较为复杂。光盘存贮器可以有很高的存贮密度,但它的寻址通常用机械方法,存取速度远落后于半导体存贮器,而且配上复杂的光盘驱动器,设备价格比较昂贵。本专利技术的目的在于提出一种既有高的存贮密度,又有快的寻址速度的电子可擦除只读存贮器。已经发现,金属M和有机物TCNQ(7,7,8,8四氰基对醌基二甲烷)的络合物(以下简写为M-TCNQ)具有一种特殊的性质,即在光辐射hν或电埸E的作用下,可发生下列过程此处M(TCNQ)表示常用的摩尔比为1∶1的M-TCNQ,其中M可以为Li、Na、K、Ag或Cu。在这反映中M为施主,TCNQ为受主。在激发能量较低的情况下,材料可从高阻抗转变为低阻抗;而在激发能量超过某一阈值后,材料将从深色转变为浅色,因而可得到高反差的光学斑点。特别重要的是,在加入适当的能量ε(可以为电埸、光辐射或热能)之后,这个反应是可逆的。早在1979年已有人(P.S.Potember et.al.Appl.Phys.Lett.34(1979)405)发现了这材料的非线性伏安特性。但他们用的材料Cu(TCNQ)薄膜需要的厚度约为5微米,因此不能借用通常的微电子工艺来进行刻蚀;此外膜厚较大时,电埸强度低,因此作用时间长(特别是擦除时间)。最近我们发现,当降低络合物中M的分子比而成为M1-β(TCNG)时,这种新的材料(专利申请号为91107368.x),可在薄膜厚度降低为100 ...
【技术保护点】
一种高密度电子存贮器,特别是一种电擦除可编程只读存贮器,由基板1与其上的迭层薄膜构成,其特征在于所说的迭层薄膜结构如下:在基板1上依次为由蒸镀及经光刻形成的铝层横条2、半导体层3、金属有机络合物M↓[1-β](TCNQ)层4、铝层纵条5,这里金属M为Li、K、Na、Ag和Cu的一种或其组合,0.2≤β≤0.5。
【技术特征摘要】
1.一种高密度电子存贮器,特别是一种电擦除可编程只读存贮器,由基板1与其上的迭层薄膜构成,其特征在于所说的迭层薄膜结构如下在基板1上依次为由蒸镀及经光刻形成的铝层横条2、半导体层3、金属有机络合物M1-β(TCNQ)层4、铝层纵条5,这里金属M为Li、K、Na、Ag和Cu的一种或其组合,0.2≤β≤0.5。2...
【专利技术属性】
技术研发人员:华中一,陈国荣,
申请(专利权)人:复旦大学,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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