本发明为一种新型的ＭＯＳ开关栅增压电路。在集成电路朝向深亚微米低压低功耗发展，由于ＭＯＳ器件的非零导通电阻对开关电容电路的负面效应，遇到了很大的挑战。本发明提出的ＭＯＳ栅增压电路，使得信号开关器件的栅电压跟输入信号无关，保持开关的导通电...

本发明属于大规模数字集成电路技术领域，具体为一种新型的高速抗噪声多米诺数字逻辑电路。该电路利用一个窄脉冲发生器有效地控制动态点，使输出动态点在信号输入情况下被正常下拉，而在噪声干扰情况下保持原有电平，实现极强的抗噪声能力。同时，采用了多...

本发明公开了一种互补式交叉耦合能量恢复电路结构。该结构在两相不交叠功率时钟（周期性变化的电源）的控制下以极低的功耗实现逻辑运算。该电路结构的基本电路单元包括：第一，一对用于对差分输出节点进行充电的二极管（Ｄ１、Ｄ２）；第二，一对控制二极...

本发明属于低功耗集成电路设计技术领域，具体涉及一种具有置位和复位功能的能量恢复锁存器电路结构。该电路包括：一个由置位／复位信号控制功率时钟通／断的选通器件ＭＮ１、ＭＮ２、ＭＰ１、ＭＰ２；一对用于对差分输出节点进行充电的单向导通器件Ｄ１、...

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种具有高线性度的新型模拟开关。它由３个分压电阻、１个运算放大器、１个复制采样开关、１个采样开关、１个升压电路组成。由运算放大器和复制采样开关形成负反馈电路，为复制采样开关复制出与采样开关相同的阈值电压...

本发明属集成电路技术领域，具体为一种适用于低电压的高线性度ＣＭＯＳ模拟采样开关。它由３个分压电阻、１个运算放大器、１个复制采样开关、１个采样开关、１个伪采样开关、２个升压电路组成。由运算放大器和复制采样开关形成负反馈电路，从而为复制采样...

本发明属集成电路技术领域，具体为一种新型的单相功率时钟控制的能量回收电路。它由１个接成二极管形式的ＰＭＯＳ管、１个接成二极管形式的ＮＭＯＳ管、１个ＰＭＯＳ管、１个ＮＭＯＳ管、１个等效负载电容组成。通过仅有的一个功率时钟控制，实现数字反相...

本发明属于可编程器件结构技术领域，具体为一种支持拐线的现场可编程逻辑阵列（ＦＤＧＡ）布线资源结构及其建模方法。本发明的布线资源结构包括：可编程互联线、统一开关矩阵、输入和输出多路选择器阵列以及逻辑单元等。它打破了水平与垂直互连资源的限制...

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种基于金属氧化物存储介质的编程单元复用的ＦＰＧＡ器件。该器件由可编程逻辑功能块ＣＬＢ、输入输出模块ＩＯＢ和可编程互联资源组成，其中可编程逻辑功能块ＣＬＢ和可编程互联资源都应用编程单元复用的结构，由复用...

本发明属于时序电路技术领域，具体为一种可多重配置的触发器电路。该电路由数据输入控制电路、同步复置位控制电路、时钟控制电路和触发器主体电路连接组成。并且可以根据功能的需要，配置成上升沿或者下降沿触发、同步或者异步、拥有置位端、清零端以及使...

本发明属于集成电路设计技术领域，具体为一种可配置的可编程逻辑单元的时序控制电路。该电路由脉冲宽度产生电路、分布式ＲＡＭ写入使能脉冲信号（ＷＳ＿Ｇ、ＷＳ＿Ｆ）产生电路和移位寄存器两相非交叠信号（Ｃ１＿Ｇ、Ｃ２＿Ｇ、Ｃ１＿Ｆ、Ｃ２＿Ｆ）产生...

本发明属于信号处理技术领域，具体为一种可以在线处理语音信号卷积混合盲分离的无监督学习算法。该算法可以应用于语音通信和机器人语音交互的前端处理方面。本算法充分考虑自然语音信号的时域相关性和非平稳特性，通过构造一组自适应的前馈滤波网络，对多...

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种与温度及电源电压无关的可调有源电感。它主要由有源电感及其控制电路组成。其中，有源电感使用两级回环接法的放大器作为有源电感的等效电感，控制电路由两级运放及反馈控回路组成。控制电路通过比较及反馈产生控制...

本发明属于集成电路技术领域，具体为采用有源电感的中频ＬＣ并联谐振回路。它主要由可调有源电感及密勒等效电容组成。其中，有源电感为回环接法的两级放大器，密勒等效电容为电容器跨接于放大器输入输出两端形成。有源电感和密勒等效电容值均受控制值控制...

本发明涉及一种用于三级运算放大器的嵌套式密勒有源电容频率补偿电路，它由３个ＣＭＯＳ放大级电路、２个补偿电容、１个正相的电流缓冲器、１个反相的电流缓冲器通过嵌套连接而构成；它所构建出的三级放大器在频率响应特性中非主极点可扩展到很高的频率，...

本发明属于射频集成电路技术领域，具体涉及一种采用噪声抵消技术的超宽带低噪声放大器。该低噪声放大器电路结构由差分输入、由输入平衡－非平衡转换器（Ｂａｌｕｎ）、匹配级、放大级和负载级依次电路连接构成。该电路结构在放大级采用共栅与共源结合的方...

本发明属于集成电路技术领域，具体为采用有源电感负载的可调谐窄带低噪声放大器。由放大器及其有源电感负载组成，其中，有源电感由两级回环接法放大器组成，通过改变前馈放大器的偏置电流改变电感值，从而改变低噪放的谐振频率。这样可以实现窄带可调谐低...

本发明属于无线接收机射频前端技术领域，具体为一种能抑制本振开关管噪声的ＣＭＯＳ下混频器。它由射频ＲＦ放大级、本振ＬＯ开关级和中频ＩＦ负载级组成。其中ＲＦ放大级将接收到的ＲＦ电压信号转换成电流信号，ＬＯ开关级使ＲＦ电流信号以ＬＯ频率在输出...

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种可降低闪砾噪声的ＬＣ正交压控振荡器。使用正交耦合器连接两个负阻型振荡器使之输出正交信号，通过在正交振荡器中使用更线形的窄带调谐可变电容结构、寄生电容较小的多带切换数字阵列以及在输出电压过零点时减少进...

本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域，具体为一种低功耗高性能正交下混频器。它由射频ＲＦ转换变压器、正交本振ＬＯ开关级、中频ＩＦ负载级和电流源偏置组成。其中ＲＦ转换变压器将接收到的ＲＦ电流信号进行放大传递，正交ＬＯ开关级使ＲＦ电流信号...