本发明的目的是提供一种用于检测x射线和/或伽马射线的设备和方法。检测器，该检测器包括多个像素，该多个像素中的每个像素能在浮动模式和检测模式之间切换，其中，该多个像素中的每个像素被配置为当处于检测模式时检测入射的x射线和/或伽马射线辐射；...

目的是提供一种用于x

一种辐射传感器元件(100)包括支撑板(160)，该支撑板具有前面(161)，该前面基本上沿着基平面(120)延伸，该基平面限定辐射传感器元件(100)的横向延伸；衬底(110)，该衬底具有基底面(111)、与基底面(111)相对的互连...

提供了一种辐射传感器元件(100)。辐射传感器元件(100)包括具有互连面(111)的读出集成电路(110)、与互连面(111)相对的化合物半导体层(120)以及从互连面(111)朝着化合物半导体层(120)延伸的铜柱互连元件(130)...

本申请涉及双能量成像设备。目的是提供一种用于x射线和/或伽马射线检测的设备。根据实施例，设备包括：包括多个像素的检测器，其中多个像素包括被配置为检测第一能量范围内的入射的x射线辐射或伽马射线辐射的第一像素子集和被配置为检测第二能量范围内...

根据实施例，一种设备包括：闪烁体层，其被配置为将x射线或伽马射线光子转换成可见光的光子；光电二极管层，其被配置为将闪烁体层产生的可见光转换成电流；集成电路IC层，其位于光电二极管层下方，并被配置为接收和处理电流；其中使用引线接合将IC层...

根据实施例的一种方法，包括：配置面板作为用于高能电磁(例如X射线或伽马射线)辐射的入射窗；在面板上附接偏置板，其中，偏置板被配置成导电的并使得辐射通过偏置板；以及将贴片阵列附接到偏置板上使得直接转换化合物半导体传感器配置在偏置板上，其中...

根据实施例，设备包括直接转换化合物半导体层，被构造为将诸如x射线或伽马射线光子之类的高能辐射转换为电流；集成电路(IC)层，紧邻直接转换化合物半导体层(例如位于其正下方)，被构造为接收电流并处理电流；以及基板层，紧邻IC层(例如位于其正...

根据实施例，一种设备(100)包括被构造为将高能辐射光子转换成电流的直接转换化合物半导体层(101)，所述直接转换化合物半导体层包括：位于直接转换化合物半导体层中的像素阵列，包括位于最外周边处的像素，其中像素包括信号焊盘(106)；环绕...

在实施例中，一种方法包括：在包括两个表面的读出集成电路IC的第一表面上配置直接转换化合物半导体传感器，所述两个表面中的每个表面上均包括焊料材料；使用红外激光照射焊料材料，以使读出IC上的焊料材料熔化并在读出IC与直接转换化合物半导体传感...

在一个示例中，图像数据校正装置被配置成电离辐射探测装置，其中电离辐射探测装置被配置成对透射过物体的多个能量范围内的电离辐射进行探测，该辐射来自辐射源对物体的放射，辐射探测装置包括：第一探测器，用于对透射过物体的第一能量范围内的电离辐射进...