集成辐射探测器设备制造技术

根据实施例，一种设备包括：闪烁体层，其被配置为将x射线或伽马射线光子转换成可见光的光子；光电二极管层，其被配置为将闪烁体层产生的可见光转换成电流；集成电路IC层，其位于光电二极管层下方，并被配置为接收和处理电流；其中使用引线接合将IC层的电触点连接到光电二极管层的电触点；并且其中引线接合被保护材料覆盖，同时IC层的底部至少部分地暴露。其他实施例涉及包括根据该设备的瓦片的阵列的探测器，以及包括x射线源和探测器的成像系统。

Integrated radiation detector equipment

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】集成辐射探测器设备
本专利技术涉及一种在辐射探测器模块中使用的探测器结构。背景基于闪烁体的探测器和探测器阵列用于辐射成像，以便将高能辐射(例如，x射线或伽马射线光子)转换成电荷。它们通常由闪烁体层、安装在衬底上的光电二极管层和集成电路IC组成，集成电路分析和处理由光电二极管层中的像素产生的电流。该IC可以是简单的模数转换器或更复杂的专用集成电路ASIC。为了提高性能、降低成本和减小物理尺寸，可能需要将IC定位成物理上靠近光电二极管层。这通常是通过将IC附接到与光电二极管层相同的衬底的相对侧来实现的。完成这种附接的一种简单方法是将封装的表面安装IC焊接到衬底上的焊盘上。然而，该工艺包括不必要的步骤且浪费材料，因为例如IC的封装已经包括IC被附接到其上的衬底，并且该衬底包括用于将IC焊接到探测器衬底上的接触焊盘。概述提供本概述来以简化形式介绍在以下详细描述中将进一步描述的概念的选择。本概述不旨在标识出要求保护的主题的关键特征或必要特征，亦不旨在用于限定要求保护的主题的范围。目的是提供一种探测器设备。该目的通过独立权利要求本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设备，包括：/n闪烁体层，所述闪烁体层被配置为将x射线或伽马射线光子转换成可见光的光子；/n光电二极管层，所述二极管层被配置为将所述闪烁体层产生的可见光转换成电流；/n集成电路IC层，所述IC层位于所述光电二极管层下方，并被配置为接收和处理所述电流；/n其中，所述IC层的电触点使用引线接合被连接到所述光电二极管层的电触点；/n并且其中，所述引线接合被保护材料覆盖，同时所述IC层的底部至少部分地暴露。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170929 EP 17193925.91.一种设备，包括：
闪烁体层，所述闪烁体层被配置为将x射线或伽马射线光子转换成可见光的光子；
光电二极管层，所述二极管层被配置为将所述闪烁体层产生的可见光转换成电流；
集成电路IC层，所述IC层位于所述光电二极管层下方，并被配置为接收和处理所述电流；
其中，所述IC层的电触点使用引线接合被连接到所述光电二极管层的电触点；
并且其中，所述引线接合被保护材料覆盖，同时所述IC层的底部至少部分地暴露。


2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述设备还包括位于所述IC层下方的散热器。


3.根据任一前述权利要求所述的设备，其中，所述IC层的底表面与所述散热器直接接触。


4.根据任一前述权利要求所述的设备，其中，所述散热器还被配置为加固物。
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【专利技术属性】
技术研发人员：彼得里·海基宁，米科·马蒂卡拉，
申请(专利权)人：芬兰探测技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：芬兰;FI