辐射探测器面板组件结构制造技术

根据实施例的一种方法，包括：配置面板作为用于高能电磁(例如X射线或伽马射线)辐射的入射窗；在面板上附接偏置板，其中，偏置板被配置成导电的并使得辐射通过偏置板；以及将贴片阵列附接到偏置板上使得直接转换化合物半导体传感器配置在偏置板上，其中，每个贴片包括直接转换化合物半导体传感器和读出集成电路IC层；其中，直接转换化合物半导体传感器被配置成将高能电磁(例如X射线或伽马射线)辐射的光子转换成电流；以及其中，读出IC层位于直接转换化合物半导体传感器旁边，并被配置成接收电流并处理电流。其他实施例涉及包括组件阵列的探测器，以及包括X射线源和探测器的成像系统。

Panel assembly structure of radiation detector

A method according to the embodiment includes: configuring a panel as an incident window for high-energy electromagnetic (e.g. X-ray or gamma ray) radiation; attaching a bias plate on the panel, wherein the bias plate is configured to conduct electricity and allow radiation to pass through the bias plate; and attaching a patch array to the bias plate so that the direct conversion compound semiconductor sensor is configured on the bias plate, wherein Each patch includes a direct conversion compound semiconductor sensor and a readout integrated circuit IC layer; wherein the direct conversion compound semiconductor sensor is configured to convert photons radiated by high-energy electromagnetic (such as X-ray or gamma ray) into current; and wherein the readout IC layer is located next to the direct conversion compound semiconductor sensor and is configured to receive current and process current \u3002 Other embodiments relate to a detector including a component array, and an imaging system including an X-ray source and a detector.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】辐射探测器面板组件结构
技术介绍
基于直接转换化合物半导体的探测器和探测器阵列用于辐射成像，以便将例如X射线或伽马射线光子直接转换成电荷。它们通常包括直接生长在电荷收集器顶部的X射线光电导体层和读出层(例如，室温半导体)。探测器通常用在多个贴片的阵列中，使得可以产生图像尺寸增加以及分辨率改善。大面积X射线或伽马辐射探测器由较小的传感器贴片的阵列制成。探测器的性能对许多成像应用都很重要。对于许多应用，成像要求可能非常严格。具有直接转换化合物半导体层、集成电路(IC)层、和基板层的贴片的垂直堆叠可能存在一些有问题的条件。例如，IC产生的热量可以耦合到半导体探测器并引入不希望的噪声和热变化。例如，为了获得最佳性能，半导体探测器的工作温度应保持在20摄氏度至30摄氏度左右，这样IC产生的热量应当被导走。此外，半导体层的顶侧需要电连接到高偏压，例如甚至高达1000V。出版物D1公开了可被视为对理解背景有用的信息。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍一些概念，这些概念将在下面的详细描述中进一步描述。本专利技术内容不旨在标识所要求保本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，包括：/n配置面板作为用于高能X射线或伽马射线电磁辐射的入射窗；/n在所述面板上附接偏置板，其中，所述偏置板被配置成导电的并使得所述辐射通过所述偏置板；以及/n将贴片的阵列附接到所述偏置板上使得直接转换化合物半导体传感器被配置在所述偏置板上，其中，每个贴片包括所述直接转换化合物半导体传感器和读出集成电路IC层；/n其中，所述直接转换化合物半导体传感器被配置成将所述X射线或伽马射线辐射的光子转换成电流；以及/n其中，所述读出IC层位于所述直接转换化合物半导体传感器旁边，并被配置成接收所述电流并处理所述电流。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170127 EP 17153479.51.一种方法，包括：
配置面板作为用于高能X射线或伽马射线电磁辐射的入射窗；
在所述面板上附接偏置板，其中，所述偏置板被配置成导电的并使得所述辐射通过所述偏置板；以及
将贴片的阵列附接到所述偏置板上使得直接转换化合物半导体传感器被配置在所述偏置板上，其中，每个贴片包括所述直接转换化合物半导体传感器和读出集成电路IC层；
其中，所述直接转换化合物半导体传感器被配置成将所述X射线或伽马射线辐射的光子转换成电流；以及
其中，所述读出IC层位于所述直接转换化合物半导体传感器旁边，并被配置成接收所述电流并处理所述电流。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述直接转换化合物半导体传感器在附接操作期间直接放置在所述偏置板的表面上。


3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括翻转组件的子组件，所述子组件包括所附接的面板、所附接的偏置板和所附接的阵列。


4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述偏置板包括导电材料，所述导电材料要被配置为用于所述直接转换化合物半导体传感器的高压偏压，并且所述偏置板还包括导热材料，所述导热材料要被配置成针对用于贴片的导热体。


5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述面板包括电隔离且隔热的材料。


6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括将阵列支承板部分地附接在所述阵列上并且部分地附接在所述面板上；
其中，所述阵列支承板被...

【专利技术属性】
技术研发人员：米科·马蒂卡拉，阿瑞西·斯坦格，
申请(专利权)人：芬兰探测技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：芬兰;FI