本申请涉及一种用于在光电组件中使用的光学部件和光电装置，以及制造光学部件和光电装置的方法。作为非限制性实施例，本公开的多个方面提供了包括三维结构化玻璃构造的多种光学部件和多种光电装置及其制造方法。该光学部件包括：单片的材料，该材料包括：...

本发明提供了一种用于在光连接器中使用的堆叠式小型连接器块以及一种光连接器。该堆叠式小型连接器块包括：多个光学插座槽；以及一个或多个可移除部件或零件，配置为接合并固定安装到多个光学插座槽中的对应的一个光学插座槽中的每个光学插座，其中，堆叠...

本申请涉及用于铝离子束发生源技术的系统和方法。具体地，公开了一种注入装置。具体地，注入装置包括电离室，该电离室具有布置在其中的阴极和排斥极。铝离子源包括在该室内，其中在电离过程期间将置换气体引入室内以产生高能铝离子束。

一种光学时域反射仪系统，包括单一模块中的修改后的BOSA，该单一模块为可插拔外形尺寸。该可插拔外形尺寸可以是QSFP标准、QSFP28标准或SFP标准。修改后的BOSA可以在基本相同的发射频率和接收频率上操作。

公开了从电子设备的边缘投射照明的发射组件和电子设备。在一些示例中，发射组件包括用于产生激光光的光源。光学聚焦元件，用于聚焦激光光。以及发射光学元件布置在靠近电子设备的外部边缘的边框处。发射光学元件接收来自光源的激光光，并且将激光光投射穿...

本公开描述了一种具有改进的波长稳定性的多结激光二极管。该多结激光二极管是在边缘发射激光器(EEL)中发现的。系统包括：激光二极管，包括：激光腔，包括一个或多个激光发射结；在激光腔的第一端面上的第一反射镜；以及在激光腔的第二端面上的第二反...

提供了用于放大信号光的光纤放大器。增强型掺铒光纤放大器(EDFA)包括：一个或多个泵浦，被配置为在放大期间泵送光；以及掺有活性掺杂剂的多芯光纤(MCF)，用于在放大期间在EDFA内传送信号光。多芯光纤(MCF)与信号光进行光通信，并与一...

提供了用于激光材料加工过程的光学相干断层扫描的装置和方法。一种用于监测激光材料加工过程的装置，包括生成光束的激光器，其中，光束可以撞击在被放置在光源与分束器之间的透镜矩阵上。透镜矩阵可以包括微透镜，该微透镜能够操作以从撞击光束生成光束矩...

本公开描述了一种红绿蓝垂直腔面发射激光器阵列。垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列中的每个VCSEL具有光栅、一个或多个有源区和两个分布式布拉格反射器。每个VCSEL对应于红色、绿色或蓝色波长。每个VCSEL中的有源区的数量可以基于所发...

本公开涉及光源组件和使用光源组件的系统。提供了用于移动应用的与基于有机发光二极管(OLED)的屏幕一起使用的光源组件的系统和方法。具有一个或多个层的屏幕可以与嵌入在屏幕内或屏幕后的多个光源组件结合使用，其中多个光源组件被配置为在屏幕内的...

本公开涉及传感器、计算装置以及生成3D扫描数据的方法。公开了具有可寻址的深度范围和/或视场的传感器。还公开了具有这种传感器的计算装置。传感器可以包括定位在距接收器不同的距离上的多个输出耦合器。通过选择性地启用输出耦合器，可将由发射器产生...

公开了具有非均匀的激光器间隔的单片激光器阵列。示例单片激光器阵列提供了基本上均匀的温度分布，并且示例单片激光器阵列包括衬底、布置在衬底上并以第一距离分隔的第一组激光器，以及布置在衬底上并以大于第一距离的第二距离分隔的第二组激光器。所公开...

本申请公开了一种光纤放大器和使用具有信号波长的信号光的方法。能够与电驱动信号一起操作的放大器可以放大具有信号波长的信号光。激光二极管具有有源部分和输入面和输出面。光学隔离器与包含激光二极管的封装集成在一起。有源部分被配置为响应于将电驱动...

本公开涉及半导体设备和形成半导体设备的方法。公开了一种竖直腔面发射激光器(VCSEL)设备，该设备包括具有波导的VCSEL发射极，该波导具有引导部分和反引导部分。引导部分和反引导部分可以选择和限制VCSEL发射极的模式。反引导部分还可以...

本公开涉及一种偏振/带透镜的背侧发射的垂直腔面发射激光器。本公开描述了一种具有锁定的偏振和准直光学元件的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构。该VCSEL结构包括光栅、光学发射器(诸如透镜)以及位于光栅与光学发射器之间的多个GaAs/A...

本公开描述了一种形成激光器结构的方法。该方法包括在衬底上生长底部分布式布拉格反射器(DBR)和空腔的第一部分，以形成包括多个层的底部结构。在底部结构的上层上蚀刻一个或多个各向异性特征，以产生图案化生长界面。在图案化生长界面上过度生长空腔...

本公开涉及一种显示系统和具有显示系统的计算设备。该显示系统包括显示屏层、耦合区域、上引导件、第一耦合器、第二耦合器和光学元件。耦合区域可以沿着显示屏层的侧壁定位，并且可以在光学元件和上引导件之间路由光束，并且可以在第一耦合器和第二耦合器...

本公开涉及具有两个半导体的复合腔的激光器。激光器可以包括下半导体结构和上半导体结构。下半导体结构可以包括沿着下半导体结构的顶侧的下波导。上半导体结构可以包括沿着上半导体结构的底侧的上波导。上半导体结构可以定位在下半导体结构的顶侧上方，使...

本发明公开了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法可以包括：提供具有衬底顶侧面和沿着衬底顶侧面的介电层的半导体衬底，并且在介电层之上形成第一掩膜层。该方法可以包括经由第一掩膜层中的第一开口形成下包层壁和上包层壁。该...