半导体设备和形成半导体设备的方法技术

技术编号:41281200 阅读:16 留言:0更新日期:2024-05-11 09:31
本公开涉及半导体设备和形成半导体设备的方法。公开了一种竖直腔面发射激光器(VCSEL)设备,该设备包括具有波导的VCSEL发射极,该波导具有引导部分和反引导部分。引导部分和反引导部分可以选择和限制VCSEL发射极的模式。反引导部分还可以用于相干耦接相邻VCSEL发射极。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体设备和形成半导体设备的方法


技术介绍

1、激光器常用于如数据通信、3d感测、激光雷达等各种应用,并且是许多现代设备的组成部分。一个越来越普遍的用途是在数据网络中使用激光器。激光器在许多光纤通信系统中用于在网络上传输数字数据。在一个示例性配置中,激光器可以由数字数据调制以产生光信号,包括表示二进制数据流的亮和暗输出周期。在实际操作中,激光器输出表示二进制高的高功率光输出和表示二进制低的低功率光输出。为了获得快速的反应时间,激光器持续开启,但从高功率光输出变化到低功率光输出。

2、与其他类型的网络(如基于铜线的网络)相比,光网络具有各种优势。例如,对于铜线技术,许多现有的铜线网络以接近最大可能的数据传输速率和接近最大可能的距离运行。另一方面,许多现有的光网络在数据传输速率和距离上都超过了铜线网络可能达到的最大值。也就是说,与铜线网络相比,光网络能够在更远的距离上以更高的速率可靠地传输数据。

3、用于光学数据传输的一种类型的激光器是竖直腔面发射激光器(vcsel)设备。顾名思义,vcsel设备有激光腔,夹在两个反射镜堆叠本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体设备,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体设备,其中:

3.根据权利要求1所述的半导体设备,其中:

4.根据权利要求3所述的半导体设备,其中,所述有源区包括位于所述多个有源层的相邻有源层之间的隧道结层。

5.根据权利要求1所述的半导体设备,其中:

6.根据权利要求5所述的半导体设备,其中,所述隧道结孔径具有比所述p-n阻挡层孔径更大的横向尺寸。

7.根据权利要求5所述的半导体设备,其中,所述隧道结孔径具有比所述p-n阻挡层孔径更小的横向尺寸。

8.一种半导体设备,包括:

9.根...

【技术特征摘要】

1.一种半导体设备,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体设备,其中:

3.根据权利要求1所述的半导体设备,其中:

4.根据权利要求3所述的半导体设备,其中,所述有源区包括位于所述多个有源层的相邻有源层之间的隧道结层。

5.根据权利要求1所述的半导体设备,其中:

6.根据权利要求5所述的半导体设备,其中,所述隧道结孔径具有比所述p-n阻挡层孔径更大的横向尺寸。

7.根据权利要求5所述的半导体设备,其中,所述隧道结孔径具有比所述p-n阻挡层孔径更小的横向尺寸。

8.一种半导体设备,包括:

9.根据权利要求8所述的半导体设备,其中:

10.根据权利要求8所述的半导体设备,其中,第一vcsel发射极的所述反引导部分和邻近所述第一vcsel发射极的第二vcsel发射极的所述反引导部分相干地将所述第一vcsel发射极耦接到所述第二vcsel发射极。

11.根据权利要求8所述的半导体设备,其中,第一vcsel发射极的所述反引导部分和邻近所述第一vcsel发射极的第二vcsel发射极的所述反引导部分相位地将所述第一vcsel发射极耦接到所述第二v...

【专利技术属性】
技术研发人员:叶夫根尼·齐比克安托万·皮西斯特凡诺·蒂雷利
申请(专利权)人:贰陆特拉华股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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