【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及波导和形成波导的方法。
技术介绍
1、硅光子学涉及将硅作为光学介质用于光学或光电子器件。在一些光子学器件中，硅可能位于硅衬底的氧化物层的顶部，这种配置被称为绝缘体上硅(soi)。硅可以被图案化为光子学组件或微光子学组件。硅光子学器件可以使用现有的半导体制造技术来制造，并且由于硅已经被用作一些集成电路的衬底，因此可以创建将光学部件和电子部件集成到单个微芯片上的混合器件。
2、传统上，这种半导体制造技术涉及生长、沉积或与低折射率材料键合，然后进行蚀刻、喷砂、再生长和平坦化步骤。然而，这种制造技术的多次生长和蚀刻步骤导致与堆叠芯片或晶片的异质集成的表面平坦性较差。
技术实现思路
1、波导和形成这种波导的方法在至少一个附图中示出和/或结合至少一个附图描述，并且在权利要求中更完整地阐述。
2、通过以下描述和附图，将更充分地理解本公开的这些和其他优点、各个方面和新颖特征、及其所示实施例的细节。
【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，包括沿着所述衬底顶侧面形成所述介电层。
3.根据权利要求1所述的方法，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述侧包层壁包括使用一能量范围进行离子注入，使得每个侧包层壁从所述下包层壁垂直地横跨到所述上包层壁。
7.一种半导体器件，包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述掺杂的下包层壁、所述掺杂的上包层壁、以及所述掺杂的侧包层壁中的每一个的折射率均不同于所述半导体衬底的折射率。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述掺杂的下包层壁、所述掺杂的上包层壁、以及所述掺杂的侧包层壁中的每一个的自由载流子的密度均不同于所述半导体衬底的自由载流子的密度。
10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述掺杂的上包层壁从所述第一掺杂的侧包层壁横跨到所
12.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第一掺杂的侧包层壁和所述第二掺杂的侧包层壁延伸至所述掺杂的下包层壁下方。
14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第一掺杂的侧包层壁和所述第二掺杂的侧包层壁延伸到所述衬底顶侧面。
15.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述衬底顶侧面在所述波导之上是平坦的。
16.根据权利要求7所述的半导体器件，包括：
17.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述波导包括调制器的一部分。
18.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述波导包括滤波器的一部分。
19.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述波导包括移相器的一部分。
20.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述波导包括马赫-曾德尔调制器的一部分。
...【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，包括沿着所述衬底顶侧面形成所述介电层。
3.根据权利要求1所述的方法，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述侧包层壁包括使用一能量范围进行离子注入，使得每个侧包层壁从所述下包层壁垂直地横跨到所述上包层壁。
7.一种半导体器件，包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述掺杂的下包层壁、所述掺杂的上包层壁、以及所述掺杂的侧包层壁中的每一个的折射率均不同于所述半导体衬底的折射率。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述掺杂的下包层壁、所述掺杂的上包层壁、以及所述掺杂的侧包层壁中的每一个的自由载流子的密度均不同于所述半导体衬底的自由载流子的密度。
10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：
11.根据权利要求10所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈永凯，
申请(专利权)人：贰陆特拉华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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