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恩智浦有限公司专利技术
恩智浦有限公司共有1910项专利
控制器局域网的控制器和收发器制造技术
一种控制器局域网CAN收发器,被配置成连接到CAN总线,该CAN收发器包括:发射器装置,被配置成基于发射数据在CAN总线上发射信令,该发射器装置被配置成在第一或第二发射模式下运行,第一发射模式被配置成发射具有第一属性的所述信令并且第二发...
连接到两个不同的电源电压域的单片高压收发器制造技术
公开了一种收发器装置和一种方法,用于在至少两个不同的电压域,即具有较高第一电源电压的第一电源电压域与具有较低第二电源电压的第二电源电压域之间进行介接。收发器装置具有:第一接口,由第一电源电压供电并适用于与在第一电源电压域中操作的至少一个...
近场电磁感应NFEMI天线制造技术
一个例子公开了一种包括近场电磁感应NFEMI天线的装置,所述装置包括:第一感应线圈,所述第一感应线圈具有耦合到第一馈电连接的第一端和耦合到第二馈电连接的第二端;第二感应线圈,所述第二感应线圈具有耦合到所述第一感应线圈的任一端或所述馈电连...
方法以及包括半导体装置和测试设备的设备制造方法及图纸
一种测试半导体装置的方法。一种包括半导体装置和测试设备的设备。所述半导体装置包括集成电路和在所述装置的表面处的多个外部辐射元件,所述辐射元件包括发送元件和接收元件。所述测试设备包括抵靠所述装置的所述表面放置的表面。所述测试设备还包括至少...
基于相位的测距制造技术
本公开涉及确定第一收发器与第二收发器之间的载波相移的方法包括:第一收发器生成并发射第一连续波载波信号包;第二收发器接收第一连续波载波信号包;第二收发器基于接收到的第一连续波载波信号包与第二收发器处的本地振荡器载波信号之间的比较来计算第一...
用于测试半导体装置的测试设备和方法制造方法及图纸
一种用于测试半导体装置的测试设备和方法。所述半导体装置包括集成电路和位于所述装置的表面处的多个外部辐射元件。所述外部辐射元件包括至少一个发射元件和接收元件。所述测试设备包括柱塞。所述柱塞包括具有用于靠着所述装置的所述表面放置的表面的电介...
超宽带装置功率优化制造方法及图纸
一种超宽带(UWB)无线通信系统,包括:第一无线设备;与所述第一无线设备一起参与第一测距序列的第二无线设备;以及位于所述第一和第二无线设备之间用于传输所述第一测距序列的数据的传输信道。所述第一无线设备或所述第二无线设备中的至少一个生成至...
用于距离测量的近场无线装置制造方法及图纸
一个例子公开一种无线装置,包括:第一近场装置,包括近场发射器或接收器和控制器,所述第一近场装置被配置成耦合到具有第一导电表面和一组馈电点的近场天线;其中所述控制器被配置成从所述一组馈电点接收发射器输出电压;其中所述控制器被配置成基于所述...
UWB通信装置和对应的操作方法制造方法及图纸
根据本公开的第一方面,提供了一种超宽带(UWB)通信装置,包括:UWB通信单元,所述UWB通信单元被配置成建立和执行与外部装置的UWB无线电通信;射频(RF)通信装置,所述RF通信装置是射频识别(RFID)标签,其中,所述RF通信装置被...
多模式近场装置制造方法及图纸
一个例子公开了一种被配置成耦合到导电主体表面的多模式近场装置,包括:导电天线表面,所述导电天线表面被配置为近场电感应(NFEI)天线;其中所述导电天线表面包括第一区和第二区;其中所述第一区被配置成电容耦合到所述导电主体表面;其中所述第二...
具有串联耦合的输出键合线阵列和并联电容器键合线阵列的RF放大器制造技术
本公开涉及具有串联耦合的输出键合线阵列和并联电容器键合线阵列的RF放大器。各种实施例涉及实施分离键合线的封装射频(RF)放大器装置,其中输出电容器的直接接地连接被一组键合线替换,所述一组键合线在与将晶体管的输出连接到输出焊盘的导线相反的...
控制器局域网收发器和控制器制造技术
本公开涉及一种控制器局域网CAN收发器和CAN控制器。所述CAN收发器被配置成:将来自CAN总线的信号与负阈值电平进行比较;并且基于所述信号与所述信号小于所述负阈值电平的一个或多个时段的预定模式匹配,向所述CAN控制器提供唤醒指示。所述...
具有非功能结构的集成电路制造技术
一种集成电路包括功能结构和非功能结构。所述功能结构包括一或多个功能金属结构。所述非功能结构包括一或多个非功能金属结构。所述一或多个非功能金属结构中的至少一个非功能金属结构连接到所述一或多个功能金属结构中的至少一个功能金属结构。举例来说,...
用于改善信号转换器中的匹配的系统和方法技术方案
一种信号转换器包括第一转换器、第二转换器、信号发生器和控制器。所述第一转换器根据数字信号生成第一模拟信号,并且所述第二转换器根据所述数字信号生成第二模拟信号。所述信号发生器基于所述第一模拟信号和所述第二模拟信号输出转换后模拟信号。所述控...
具有混晶区的半导体装置制造方法及图纸
一种半导体装置的实施例可以包括:半导体衬底;第一半导体区,所述第一半导体区形成于所述半导体衬底内,包括具有第一极性的第一材料;以及第二半导体区,所述第二半导体区形成于所述半导体衬底内且耦合到所述第一半导体区,包括具有第二极性的所述第一材...
用于调节等离子体切割速率的方法和系统技术方案
通过在容易发生过度蚀刻的区域中提供例如金属锯架的抗蚀刻结构来在所述区域中调节等离子体蚀刻的速度。通过调整尺寸,例如锯架腿的长度和宽度和由所述锯架腿限定的面积,以及通过例如倒角的技术调整蚀刻区域的形状,可控制所述区域中的等离子体蚀刻速度,...
用于近场通信功能的访问控制制造技术
描述了一种用于启用/停用移动装置(MD)的至少一个NFC功能的方法、控制装置(NFC/SE,AP)和计算机程序。另外描述了这种移动装置(MD)。包括:(a)将要启用/停用的所述至少一个NFC功能与安装在SE系统(SE)中的对应安全应用程...
多信道近场电磁感应装置制造方法及图纸
一个例子公开了一种多信道近场电磁感应(NFEMI)装置,所述NFEMI装置包括:子信道控制器,所述子信道控制器被配置成耦合到近场磁天线(H场)和近场电天线(E场),并且被配置成接收消息,所述消息通过所述近场电天线和所述近场磁天线发射到近...
用于电容性或电阻性测量装置的泄漏补偿电路制造方法及图纸
描述了一种用于测量装置的泄漏补偿电路,所述测量装置包括具有泄漏装置的测量电路,所述泄漏装置连接到测量路径且产生泄漏电流。所述泄漏补偿电路包括:i)所述泄漏装置的复制装置,其中所述复制装置连接到复制路径,并且其中所述复制装置被配置成产生与...
非接触近场通信器件及其运行方法技术
一种非接触近场通信器件与外部设备非接触地通信。非接触近场通信器件包括安全操作系统、第一场景器和至少一个进一步的场景器。安全操作系统运行一个或多个应用。第一场景器和每个进一步的场景器能够在同时启用,以及能够托存对应的应用。响应于自外部设备...
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