具有串联耦合的输出键合线阵列和并联电容器键合线阵列的RF放大器制造技术

本公开涉及具有串联耦合的输出键合线阵列和并联电容器键合线阵列的RF放大器。各种实施例涉及实施分离键合线的封装射频(RF)放大器装置，其中输出电容器的直接接地连接被一组键合线替换，所述一组键合线在与将晶体管的输出连接到输出焊盘的导线相反的方向上连接到接地。这样做是为了减少与RF放大器装置的输出相关联的各种键合线之间的互感的影响。

【技术实现步骤摘要】
具有串联耦合的输出键合线阵列和并联电容器键合线阵列的RF放大器本文所公开的各种实施例大体上涉及包括作为电感元件的键合线的放大器电路。
技术介绍
可以使用键合线阵列将封装射频(RF)晶体管耦合到其它无源元件。这些键合线阵列充当电感器，并且有些被设计成例如与封装RF晶体管相关联的输入和输出无源电路的一部分。这些键合线阵列之间由于互感而相互作用，这会影响使用键合线阵列的电路的特性。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供一种封装射频(RF)放大器装置，包括：装置基板；输入引脚，其耦合到所述装置基板；输出引脚，其耦合到所述装置基板；晶体管管芯，其耦合到所述装置基板，其中所述晶体管管芯包括晶体管、耦合到所述输入引脚的晶体管输入端以及耦合到所述输出引脚的晶体管输出端；输出阻抗匹配电路，其耦合到所述输出引脚和所述晶体管输出端，其中所述输出阻抗匹配电路包括第一组键合线，其耦合在所述输出引脚与所述晶体管输出之间，输出电容器，其包括第一端和第二端，第二组键合线，其耦合在所述晶体管输出与所述输出电容器的第一端之间，以及第三组键合线，其耦合在所述输出电容器的所述第二端与接地参考节点之间，其中所述第三组键合线基本上平行于所述第一和第二组键合线。根据一个或多个实施例，所述输出电容器是集成无源装置。根据一个或多个实施例，所述输出电容器的所述第一和第二端在所述集成无源装置的相反侧上。根据一个或多个实施例，所述输出电容器的所述第一和第二端在所述集成无源装置的同一侧上。根据一个或多个实施例，所述第三组键合线中的键合线使所述第一组键合线中的键合线与所述第二组键合线中的键合线之间屏蔽。根据一个或多个实施例，第三组键合线使所述第一组键合线与所述第二组键合线之间屏蔽。根据一个或多个实施例，所述接地参考节点是凸缘。根据一个或多个实施例，所述接地参考节点是所述晶体管管芯上的接地焊盘。根据一个或多个实施例，所述第一键合线、所述第二组键合线和所述第三组键合线具有轮廓，所述轮廓被配置成增加所述第一组与第三组键合线之间的电磁耦合，降低所述第一组与第二组键合线之间的电磁耦合，以及降低所述第二组与第三组键合线之间的电磁耦合。根据一个或多个实施例，封装RF放大器装置另外包括输入阻抗匹配电路，其包括第一连接节点，输入并联电容器，其具有连接到接地的第一端和连接到所述第一连接节点的第二端，第四组键合线，其耦合在所述输入引脚与所述第一连接节点之间，第五组键合线，其耦合在所述第一连接节点与所述晶体管输入端之间。根据本专利技术的第二方面，提供一种制造RF放大器装置的方法，所述方法包括以下步骤：将输入引脚耦合到装置基板；将输出引脚耦合到所述装置基板；将晶体管管芯在所述输入与输出引脚之间耦合到所述装置基板，其中所述晶体管管芯包括晶体管和晶体管输入端；将输出阻抗匹配电路耦合在所述输出引脚与所述晶体管输出端之间，其中所述输出阻抗匹配电路包括第一组键合线，其耦合在所述输出引脚与所述晶体管输出之间，输出电容器，其包括第一端和第二端，第二组键合线，其耦合在所述晶体管输出与所述输出电容器的第一端之间，以及第三组键合线，其耦合在所述输出电容器的所述第二端与接地参考节点之间，其中所述第三组键合线基本上平行于所述第一和第二组键合线。根据一个或多个实施例，将输出阻抗匹配电路耦合在所述输出引脚与所述晶体管输出端之间包括将所述第一组键合线耦合在所述输出引脚与所述晶体管输出之间，将所述输出电容器耦合到所述装置基板，其中所述输出电容器包括第一端和第二端，将所述第二组键合线耦合在所述晶体管输出与所述输出电容器的第一端之间，并且将所述第三组键合线耦合在所述输出电容器的所述第二端与所述接地参考节点之间。根据一个或多个实施例，，所述输出电容器是集成无源装置。根据一个或多个实施例，，所述输出电容器的所述第一和第二端在所述集成无源装置的相反侧上。根据一个或多个实施例，，所述输出电容器的所述第一和第二端在所述集成无源装置的同一侧上。根据一个或多个实施例，所述第三组键合线中的键合线在所述第一组键合线中的键合线与所述第二组键合线中的键合线之间。根据一个或多个实施例，该方法另外包括将输入阻抗匹配电路耦合在所述输入引脚与所述晶体管输入端之间，其中耦合所述输入阻抗匹配电路包括将具有第一端和第二端的输入并联电容器耦合到所述装置基板，并且将所述第一端耦合到接地并将所述第二端耦合到第一连接节点，将第四组键合线耦合在所述输入引脚与所述第一连接节点之间，将第五组键合线耦合在所述第一连接节点与所述晶体管输入端之间。根据本专利技术的第三方面，提供一种射频(RF)放大器，包括：晶体管管芯，其具有晶体管和晶体管输出端；输出阻抗匹配电路，其耦合到所述输出引脚和所述晶体管输出端，其中所述输出阻抗匹配电路包括第一组键合线，其耦合在所述输出引脚与所述晶体管输出之间，输出电容器，其包括第一端和第二端，第二组键合线，其耦合在所述晶体管输出与所述输出电容器的第一端之间，以及第三组键合线，其耦合在所述输出电容器的所述第二端与接地参考节点之间，其中所述第三组键合线基本上平行于所述第一和第二组键合线。根据一个或多个实施例，，所述输出电容器是集成无源装置。根据一个或多个实施例，，所述第三组键合线中的键合线在所述第一组键合线中的键合线与所述第二组键合线中的键合线之间。附图说明当结合以下图式考虑时，可以通过参考具体实施方式和权利要求书来获得对主题的更完整的理解，其中类似附图标记在各图中指代相似元件。图1是RF功率放大器电路的示意图；图2是体现图1的电路的实例的RF放大器装置的布局的俯视图；图3包括图2沿着线3-3的横截面侧视图；图4是使用分离键合线的RF功率放大器电路的实施例的示意图；图5是体现图4的电路的实例的RF放大器装置的布局的实施例的俯视图；图6包括根据示例实施例的图5沿着线6-6的横截面侧视图；图7是体现图4的电路的实例的RF放大器装置的布局的另一实施例的俯视图；图8示出了可以在图5和7的装置中使用的输出并联电容器的实施例的俯视图；图9示出了可以在图5和7的装置中使用的输出并联电容器的实施例的俯视图；图10是示出使用图8的并联电容器的键合线连接的图5的装置的简化侧视图；图11是示出使用图9的并联电容器的键合线连接的图5的装置的简化侧视图；图12是示出使用图8的并联电容器的键合线连接的图7的装置的简化侧视图；图13是示出使用图9的并联电容器的键合线连接的图7的装置的简化侧视图；并且图14是用于制造封装RF功率放大器装置(例如，图5或图7的装置)的方法的流程图，所述封装RF功率放大器装置包括根据各种示例实施例的输入和输本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装射频(RF)放大器装置，其特征在于，包括：/n装置基板；/n输入引脚，耦合到所述装置基板；/n输出引脚，耦合到所述装置基板；/n晶体管管芯，耦合到所述装置基板，其中所述晶体管管芯包括晶体管、耦合到所述输入引脚的晶体管输入端以及耦合到所述输出引脚的晶体管输出端；/n输出阻抗匹配电路，耦合到所述输出引脚和所述晶体管输出端，其中所述输出阻抗匹配电路包括/n第一组键合线，耦合在所述输出引脚与所述晶体管输出之间，/n输出电容器，包括第一端和第二端，/n第二组键合线，耦合在所述晶体管输出与所述输出电容器的第一端之间，以及/n第三组键合线，耦合在所述输出电容器的所述第二端与接地参考节点之间，其中所述第三组键合线基本上平行于所述第一和第二组键合线。/n

【技术特征摘要】
20200117 US 16/746,3711.一种封装射频(RF)放大器装置，其特征在于，包括：
装置基板；
输入引脚，耦合到所述装置基板；
输出引脚，耦合到所述装置基板；
晶体管管芯，耦合到所述装置基板，其中所述晶体管管芯包括晶体管、耦合到所述输入引脚的晶体管输入端以及耦合到所述输出引脚的晶体管输出端；
输出阻抗匹配电路，耦合到所述输出引脚和所述晶体管输出端，其中所述输出阻抗匹配电路包括
第一组键合线，耦合在所述输出引脚与所述晶体管输出之间，
输出电容器，包括第一端和第二端，
第二组键合线，耦合在所述晶体管输出与所述输出电容器的第一端之间，以及
第三组键合线，耦合在所述输出电容器的所述第二端与接地参考节点之间，其中所述第三组键合线基本上平行于所述第一和第二组键合线。


2.根据权利要求1所述的封装RF放大器装置，其特征在于，所述输出电容器是集成无源装置。


3.根据权利要求2所述的封装RF放大器装置，其特征在于，所述输出电容器的所述第一和第二端在所述集成无源装置的相反侧上。


4.根据权利要求2所述的封装RF放大器装置，其特征在于，所述输出电容器的所述第一和第二端在所述集成无源装置的同一侧上。


5.根据权利要求1所述的封装RF放大器装置，其特征在于，所述第三组键合线中的键合线使所述第一组键合线中的键合线与所述第二组键合线中的键合线之间屏蔽。


6.根据权利要求5所述的封装RF放大器装置，其特征在于，第三组键合线使所述第一组键合线与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·希利姆卡尔，K·金，R·E·斯威尼，E·M·约翰逊，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL