本发明描述了一种可用于生产太阳能电池的ｐ型电极。

本发明描述了包含球状和结核状的粒状铝以及有机载体的铝浆，以及它们在形成硅太阳能电池的ｐ型铝背面电极时的用途。

本发明涉及制造用于场发射装置的阴极组合件的方法。

本发明涉及制造用于场发射装置的阴极组合件的方法。

本发明公开了制备包含一种或多种活性金属和一种或多种非活性金属的多元素细分金属粉末的方法。所述活性金属包括以下金属或它们的混合物：钛（Ｔｉ）、锆（Ｚｒ）、铪（Ｈｆ）、钽（Ｔａ）、铌（Ｎｂ）、钒（Ｖ）、镍（Ｎｉ）、钴（Ｃｏ）、钼（Ｍｏ）、锰...

本发明提供了包括硅太阳能电池的光伏电池以及用于制造此类光伏电池的方法和组合物。在具有ｎ型硅层的硅基底上提供有氮化硅层，反应性金属与所述氮化硅层接触，并且非反应性金属与所述反应性金属接触。烧制该组合件以在所述硅基底上形成由金属氮化物和任选...

本发明涉及导电聚合物组合物，以及它们在电子器件中的用途。所述组合物包含至少一种导电聚合物的含水分散体和无机纳米颗粒，所述导电聚合物掺杂有至少一种高度氟化的酸聚合物。

本发明涉及耐腐蚀反应管、为所述反应管内部提供钝化或耐腐蚀涂层的方法、以及一种采用所述耐腐蚀反应管制备高铋玻璃粉的方法。

本发明涉及制造场发射装置中的电极和发射体的方法，以及由所述方法制造的装置。本发明还涉及可用于制造场发射装置中的电极和发射体的组合物。

本发明涉及使用电化学电池将碳纳米管（“ＣＮＴ”）电化学沉积在基底上。中和ＣＮＴ和阴离子聚合物的络合物的分散体，从而使其沉积在所述电池的阳极板上。

本发明涉及一种用于电子线路应用的多层膜，所述多层膜具有有利的对不期望的电子和电磁波干扰的阻隔性能，同时也具有对灰尘或其它相似类型的不期望的外来物质干扰的防护性。本发明的多层膜具有至少三层。第一外层包含聚酰亚胺基体聚合物、炭黑填料和介电填...

本发明提供了在工件上印刷次像素列规则阵列的方法。次像素具有ｃ种不同的颜色并且具有次像素节距ｓ。印刷头具有ｚ个排成一列并且间距ｐ的喷嘴，其中ｚ＝ｎ１（ｃ），并且ｐ＝（ｃ－１）（ｓ），所述印刷头相对于所述工件位于第一位置。存在ｃ种不同的印刷...

提供了形成电活性材料层的方法，所述电活性材料层具有基本上平的轮廓。所述方法包括：提供具有至少一个主动区域的工件；将包含电活性材料的液体组合物沉积到主动区域内的工件上，以形成湿层；在－２５至８０℃范围内的受控温度下在１０－６托至１，０００...

本发明公开了在不存在聚合物分散剂的情况下，通过在水中用羧酸亚铁（ＩＩ）络合物快速还原铜（Ｉ）盐来制备分散的结晶型氧化稳定铜颗粒的方法。所得微米级铜粉仅包含有机物，所述有机物在足够低而不会影响烧结过程和所述导电性铜结构形成的温度下分解。

本发明涉及一种黑色聚酰亚胺薄膜及包含该黑色聚酰亚胺薄膜的铜箔层合板。根据本发明的黑色聚酰亚胺薄膜具有无光表面、极低的透射率及极佳的绝缘性质。

一种聚酰胺树脂组合物，包含聚酰胺树脂、至少一种阻燃剂和至少一种增强剂，其中(a)所述聚酰胺树脂包含至少一种脂肪族聚酰胺和一种芳香族聚酰胺掺混物，所述芳香族聚酰胺掺混物包含至少一种半晶态的半-芳香族聚酰胺和至少一种非晶态的半-芳香族聚酰胺...

公开了一种用于刻蚀多晶硅片的水性分散体系，它包括一种水性介质和分散于所述水性介质中的氢氧化铋和至少一种阴离子性或非离子性表面活性剂，所述氢氧化铋的浓度为0.0001-0.5mol/l，所述至少一种阴离子性或非离子性表面活性剂的浓度为1-...

本发明公开了用于集成电路封装的互连导电物薄膜。所述互连导电物薄膜包括支撑多个导电区域的基板。所述基板包含刚棒型聚酰亚胺及约5-60重量％的填料。所述填料具有至少一个(平均)小于约800纳米的尺度，并且所述填料还具有大于约3∶1的平均纵横比。

本发明描述了在基底上形成至少一个光电组件的方法，所述基底包含聚酰亚胺和亚微米填料。所述聚酰亚胺基本上或全部衍生自刚棒型单体，并且所述亚微米填料具有至少3∶1的纵横比。本公开的基底尤其适于光电应用，这至少部分地由于其高度耐吸湿膨胀性和较高...

提供了包括一种组合物的半导体器件，该组合物包含具有式I(a)或式I(b)的均聚物或共聚物的聚噻吩和至少一种形成胶体的聚合物酸的水分散体。