本发明涉及可用于导体浆料的玻璃组合物，其中所述导体浆料用于制备硅半导体装置和光伏电池。所述玻璃包含：8-26重量％的SiO2、0-9重量％的B2O3、0-17重量％的氟、47-75重量％的铋。

本发明的目的是提供一种可获得良好电特性(例如电极中的串联电阻)的导体浆料。本发明的一个方面涉及一种导体浆料，所述导体浆料包含：导电粉末；玻璃料，按所述玻璃料的重量百分比(重量％)计，所述玻璃料包含8至26重量％的SiO2、0.1-5重量...

本发明涉及可用于导体浆料的玻璃组合物，其中所述导体浆料用于制备硅半导体装置和光伏电池。所述玻璃料包含下列以重量％来表示的组分：SiO2?17-26％；B2O3?2-9％；氟1-17％；铋47-75％。

本发明涉及导电聚合物组合物以及它们在电子器件中的用途。所述组合物包含至少一种导电聚合物的半水性分散体，所述导电聚合物掺入有至少一种高度氟化的酸聚合物、非导电性氧化物纳米颗粒、至少一种高沸点有机液体、和至少一种低沸点有机液体。

提供了用于真空干燥的方法。所述方法包括以下步骤：将包含成膜材料和至少一种溶剂的液体组合物沉积在工件上以形成湿层；将工件上的湿层放入到包含冷凝器的真空室中；并且在-25℃至80℃范围内的受控温度下在10-6托至1,000托范围内的施加真空...

本发明的ＰＤＰ正面电极包括黑层和白层，所述黑层包括具有不大于４００℃的软化点的玻璃，所述白层具有不大于５００℃软化点的玻璃，并且白层在黑层上形成。

本发明提供了一种光伏电池，包括硅太阳能电池，以及用于制备此类光伏电池的方法和组合物。在具有ｐ型硅基极和ｎ型硅层的硅基板上提供氮化硅层、与所述氮化硅层接触的交换金属以及与所述交换金属接触的非交换金属。焙烧此组合件以在硅基板上形成金属硅化物...

本发明提供了有机发光二极管，所述二极管具有阳极、阴极、以及介于所述阳极和阴极之间的有机活性层。有机活性层包含氘代化合物，并且所述器件具有在１０００尼特下至少５０００小时的计算半衰期。

本发明公开了包含可聚合单体和光聚合反应引发剂的感光浆料，其中所述可聚合单体的玻璃化转变温度为－１０℃或更低。本发明的浆料可用于形成精细图案并防止残留物残留在应除去浆料的区域。

用于将层液相分配到电子器件基底上的设备和方法。吸收材料减少或消除连续印刷操作期间印刷材料在基底上的溅泼。通过暴露新的表面区域或将印刷材料透过吸收材料真空抽出，所述吸收材料能够再生。

将层液相涂布到电子器件基底上的设备和方法。包含主体和盘的电铸喷嘴以阵列排列以实施基底上的多重沉积。低固体含量的混合物形成非常薄的电子器件材料干膜。

本发明涉及导电聚合物组合物以及它们在有机电子器件中的用途。所述导电聚合物组合物包含具有至少一个衍生自式Ｉ的单体单元的本征导电聚合物，其中：Ｘ＝Ｎ、ＣＲ５Ｚ＝Ｎ、ＣＲ６Ｑ＝ＮＨ、Ｓ、Ｏ、Ｓｅ、Ｔｅ　Ｒ１至Ｒ４可以是Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｃ１－Ｃ２...

本发明涉及导电聚合物组合物以及它们在有机电子器件中的用途。所述导电聚合物组合物包含本征导电的聚合物，所述本征导电的聚合物具有至少一个衍生自式Ｉ的单体单元，其中：Ｑ＝Ｎ、ＣＲ５Ｘ＝Ｎ、ＣＲ６Ｚ＝ＮＨ、Ｓ、Ｏ、Ｓｅ、Ｔｅ，Ｒ１至Ｒ４可为Ｈ、...

提供了光敏组合物，所述组合物包含：（ａ）第一基质材料，所述第一基质材料具有浅于或等于－５．６ｅＶ的ＨＯＭＯ能级并且具有大于９５℃的Ｔｇ；（ｂ）第二基质材料，所述第二基质材料具有深于－２．０ｅＶ的ＬＵＭＯ；和（ｃ）电致发光掺杂剂材料。第一...

本发明公开了由银薄片和有机介质组成的并用于无线射频识别（ＲＦＩＤ）的厚膜银组合物。本发明进一步涉及使用ＲＦＩＤ电路或其他使用聚合物厚膜（ＰＴＦ）的电路形成天线的一种或多种方法。

本发明涉及用于电致发光应用并且能够发射蓝光或者绿光的化合物。本发明还涉及电子器件，其中的活性层包含此类化合物。

本发明公开了用于再加工粘结的显示器（例如液晶显示器）的方法的装置，所述显示器具有粘结到液晶显示器的表面（例如正面）的基底（例如薄板或薄膜）。所述装置的使用在必要时（例如当存在缺陷时）提供基底从显示器的高效且干净的移除而不损害显示器，使得...

本发明公开了用于再加工粘结的显示器（如粘结的ＬＣＤ）的方法，所述粘结的显示器具有粘结到所述显示器的表面（如前表面）上的基底（如板或薄膜）。所述方法使所述基底在必要时（如存在缺陷时）从所述粘结的显示器上有效且干净地移除以提供未受损的脱粘的...

本发明提供了在工件上形成规则的子像素行阵列的方法。子像素具有ｃ种不同的颜色，其中ａ种颜色通过印刷形成。子像素节距为ｓ。该方法包括：（ａ）提供印刷头，印刷头具有ａ组被排列成行的ｚ个相邻喷嘴，其中同一组内的相邻喷嘴之间的间距为ｐ１＝ｃｓ，并...

本发明描述了具有含银的外部电触点的ＬＴＣＣ器件，所述ＬＴＣＣ器件先后用含镍金属和含金金属电镀。