硅基片上有序纳米碳管阵列的制备方法是一种场致发射阴极的制备方法，属于平板显示器件制造的技术领域，其制备方法如下：（１）基片上沉积厚度为５微米到５０微米的铝膜；（２）用电化学反应中的阳极氧化法得到孔径在１０～１００纳米可调、孔排列有序的纳...

一种消除场发射显示器件中残余气体和材料出气的方法是一种应用磁离子阱消除场发射显示器中残余气体和材料放气的工艺方法，该方法是在场发射显示器件的老炼工艺中，采用磁离子阱除气的方式，即在场发射显示器的外部设有一组作为磁离子阱的磁场，该磁场穿过...

低磁滞损耗的显像管偏转磁芯是一种以铁氧体为材料制造的低磁滞损耗、工作温升、高工作稳定性的偏转磁芯，其设计方法是在横截面为环形的偏转磁芯中，磁通密度高的部位的磁芯厚度比磁通密度低的部位磁芯厚度厚，在保证磁芯总重量不变的情况下，减薄磁通密度...

本发明公开了一种三极管型场致发射显示板及其驱动方法。它的主要特征在于通过阳极的高压使阴极产生场致电子发射，而条型栅极位于阴极的下方，通过调制其电压阻止阴极产生场致电子发射以控制每一显示单元的电子发射来显示图像。本发明相对现有的场致发射显...

场发射显示板及其控制方法是一种涉及场发射显示器件，特别是通过改变场发射显示板的结构来提高场发射显示均匀性的方法。它包括一块前玻璃基板１和后玻璃基板２，在后玻璃基板上设有阴极电极３和设在阴极电极３上并保持电连接的微尖电子发射器４，门电极５...

一种减小场发射阴极三极管中门栅电极截获电流的方法，涉及场发射器件，特别是对远门栅电极的场发射阴极三极管为提高阳极电流，减小门栅电极对电流的截获而采用的方法。它包括制作在阴极电极１上的微尖电子发射体２、一块控制微尖发射场强的带有电子引出孔...

低调制电压动态范围的场发射寻址结构涉及场发射显示器件，特别是通过改变场发射器件的结构实现低调制电压动态范围的结构。该结构由上介质平板和下介质平板叠放在一起所组成，在上介质平板上设有上介质锥形孔，在下介质平板上设有下介质锥形孔，在上介质平...

本发明公开了一种等离子体显示器的单色荧光粉喷涂方法，适用于导电栅网板结构等离子体显示器和障壁型等离子体显示器的荧光粉的制作。该方法利用压力喷枪喷涂或静电喷枪喷涂的原理，通过喷枪平面ｘｙ方向的二维运动，将配制的荧光粉浆料喷涂在导电性栅网板...

降低场发射显示屏调制电压动态范围的方法涉及场发射器件、场发射显示器件，特别是通过改变场发射器件的结构来降低场发射调制电压动态范围的方法，作为电子通道的孔或槽的电子入口端与电子出口端在介质板的垂直方向错开一个位移，形成一个斜的孔或槽，使入...

降低阴极发射跌落和残余气体水平的方法涉及采用浸渍阴极的大尺寸、高亮度彩色显像管中降低阴极发射跌落并降低其对白场平衡影响的生产工艺技术。在对阴极射线管老炼的过程中，对阴极射线管的阴极加电压，使其发射电子，同时，在阴极射线管外的电子枪部位向...

本发明公开了一种等离子体显示器的三色荧光粉喷涂方法，适用于导电栅网板结构等离子体显示器和障壁型等离子体显示器的荧光粉的制作。该方法利用压力喷枪喷涂或静电喷枪喷涂的原理，通过喷枪平面ｘｙ方向的二维运动或喷枪阵列的一维运动，同时采用特别设计...

本发明在金属栅网板型等离子显示板结构基础上提出相应的制造方法，采用独立的金属栅网板代替障壁，独立加工金属栅网板，并在其上制作荧光粉，最后将前基板、栅网板和后基板以三明治方式装配封接来制作整屏，分散了制作风险，提高了生产效率，从而有效降低...

一种场致发射显示板，由前玻璃基板（１）、后玻璃基板（２）对向组装而成，其特征在于：通过支撑体（３）阵列来保持固定的距离；前玻璃基板（１）上依次为阳极（４）、荧光粉（５）；后基板玻璃（２）上依次为条形栅极（６），厚度为０．１～５０微米的局...

照明、杀菌两用气体放电灯管是一种气体放电的照明和消毒，由灯丝、玻壳及涂在玻壳内的荧光粉所组成，其特征在于在气体放电光源的玻壳外壁或内壁上涂覆有二氧化钛ＴｉＯ＃－［２］膜层，气体放电光源内存在有产生３１５－４００ｎｍ或２８０－３１５ｎｍ的...

低调制电压动态范围的场发射门电极和调制电极组件，涉及场发射器件、场发射显示器件，特别是通过改变场发射器件的结构实现低调制电压动态范围的结构。该结构中，采用在平整的介质平板１２上开漏斗形孔１３作为电子通道，在介质板１２上漏斗形孔１３的大孔...

显像管调制特性采集测试仪是一种用于测量显像管光点尺寸时自动采集调制特性点的装置，该采集仪中１∶１放大器１、消噪电路２、采样保持电路３、８∶１放大器５、６∶１放大器６、开关选择器７、比较器１０、电平锁定电路１１顺序相串联连接，另外，延时整...

一种带有汇流电极的场发射阴极，其特征是：它包括制作在玻璃基板（１）上的透明导电电极（２）、制作在透明导电电极（２）上的汇流电极（５）和阴极（４）；汇流电极（５）比透明导电电极（２）窄。

利用粉末冶金工艺制备碳纳米管场发射冷阴极的方法。其方法为：ａ．将金属粉末与碳纳米管混合，然后进行研磨，研磨后的颗粒直径小于０．５微米；ｂ．用压机将研磨后的金属粉末与碳纳米管的混合物压制成阴极的形状；ｃ．在真空度高于１×１０↑［－２］Ｐａ...

本发明公开了一种等离子体显示板。它主要包括前、后基板及夹在前、后基板中用于支撑前、后基板的包含网格孔阵列的导电荫罩，本发明的特征在于寻址电极和扫描电极分别在前、后玻璃外部，导电荫罩表面局部区域涂覆低熔点玻璃，与前、后基板背面高温封接后相...

本发明公开了一种低电容等离子体显示板。它主要包括前、后基板及夹在前、后基板中用于支撑前、后基板的包含网格孔阵列的导电荫罩，其每一栅网孔与寻址电极和扫描电极垂直相交，形成基本放电单元。本发明的特征在于导电荫罩背面与后基板上寻址电极对应处有...