低调制电压动态范围的场发射寻址结构制造技术

低调制电压动态范围的场发射寻址结构涉及场发射显示器件，特别是通过改变场发射器件的结构实现低调制电压动态范围的结构。该结构由上介质平板和下介质平板叠放在一起所组成，在上介质平板上设有上介质锥形孔，在下介质平板上设有下介质锥形孔，在上介质平板的上表面即上介质锥形孔的小孔端设有调制电极，在下介质平板的上表面即下介质锥形孔的小孔端设有寻址电极，其中上介质平板上的上介质锥形孔与下介质平板上的下介质锥形孔的中心线不在同一条中心线上。本发明专利技术提供了一种低场发射显示屏调制电压寻址结构，通过控制介质表面二次电子的迁移，达到低调制电压寻址的目的的低调制电压动态范围的场发射寻址结构。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及场发射显示器件，特别是通过改变场发射器件的结构实现低调制电压动态范围的结构。场发射显示器件在工作时，在门电极和阴极之间加一定的电压，使微尖发射器尖端的场强足够强，以至可以微尖发射器尖端发射电子，改变门电极和阴极之间的电压可以控制微尖发射器发射电子的强度，因此，一般将门电极作为调制电极控制场发射显示的亮度。发射的电子在阳极电压的作用下轰击荧光粉并使其发光，因为微尖尺寸非常小，因此可以实现高分辨率显示；因为场发射显示是电子轰击荧光粉的平板显示，因此发光亮度可以很高，视角也可以非常的大。场发射显示器件因为门电极所加电位比较高，调制电压的动态范围比较大，因此在实际应用中比较困难，集成芯片价格贵，驱动电路成本比较高。为了避免电压调制范围过大的问题，在场发射显示中采用脉冲宽度的调制方法，但这限制了显示中的灰度等级。因此如何降低场发射显示器件的调制电压是场发射显示器件中需要克服的问题。三、
技术实现思路
1、技术问题本专利技术的目的是提供一种通过控制介质表面二次电子的迁移，达到低调制电压寻址目的的低调制电压动态范围的场发射寻址结构。2、技术方案本专利技术的低调制电压动态范围的场发射寻址结构，由介质平板、介质层所组成，其特征在于该结构由上介质平板和下介质平板叠放在一起所组成，在上介质平板上设有上介质锥形孔，在下介质平板上设有下介质锥形孔，在上介质平板的上表面即上介质锥形孔的小孔端设有调制电极，在下介质平板的上表面即下介质锥形孔的小孔端设有寻址电极，其中上介质平板上的上介质锥形孔与下介质平板上的下介质锥形孔的中心线不在同一条中心线上，上介质平板与下介质平板可以紧密叠放，下介质锥形孔的上部即小孔端与上介质锥形孔的下部即大孔端重叠连通，上介质平板与下介质平板之间可以留有一定的间隙，下介质锥形孔的上部即小孔端与上介质锥形孔的下部即大孔端可以不相重叠。在上介质锥形孔和下介质锥形孔的壁上设有高2次电子发射系数的介质材料。在本专利技术的结构中，采用在介质平板上锥形孔，并将带有锥形孔的两层介质板的锥形孔错开一个位移，使初始电子不能直接通过上锥形孔，在下介质平板上制作寻址电极，在上介质平板上制作调制电极，控制通过介质孔的二次电子数，达到寻址和亮度调制的目的，当寻址电极上施加较高电压，可以使入射初始电子首先打在下介质平板的下锥形孔的壁或上介质平板或上锥形孔的壁上产生二次电子；当寻址电极上施加较低的电压时，初始电子无法通过下锥形孔，寻址电极所加电压起到寻址的作用。对于寻址导通的单元，在调制电极上施加调制电压(一般比寻址电压高)，可以对通过上锥形孔的电子数目进行调制，由于调制电压控制的是低能量的二次电子，因此可以降低调制电压的动态电压范围。3、技术效果本专利技术提供了一种低场发射显示屏调制电压寻址结构，通过控制介质表面二次电子的迁移，达到低调制电压寻址的目的的低调制电压动态范围的场发射寻址结构。由于一定能量的电子轰击绝缘材料表面，能产生二次电子，二次电子在一定的电场作用下可以在介质表面形成连续跳跃的二次电子发射并向高电位方向运动，而二次电子的能量相对经过门电极的初始电子能量要低的多，因此可以使初始电子轰击到介质表面产生二次电子后，由于二次电子的能量比较低，通过控制二次电子在介质通道内的导通或截止，可以对发射的电子进行调制；通过将两层漏斗型的介质通道的端口错位，可以达到避免初始电子直接通过介质通道的目的，在两层介质通道两端制作电极，作为行列选择的电极对显示屏进行选址和亮度调制，这时的寻址和调制电压的变化范围将相对于门电极调制的电压范围低很多，从而达到低调制电压寻址的目的。图2是本专利技术的结构示意图。其中有下介质平板12、上介质平板13、寻址电极14、调制电极15、下介质锥形孔16、上介质锥形孔17、电子18。图3是将本专利技术制作在场发射显示器件中的结构示意图。其中有阴极电极19、场发射尖端20、门电极21、阳极荧光屏22。五、具体实施方案本专利技术的低调制电压动态范围的场发射寻址结构，由介质平板、介质层所组成，其特征在于该结构由上介质平板13和下介质平板12叠放在一起所组成，在上介质平板13上设有上介质锥形孔17，在下介质平板12上设有下介质锥形孔16，在上介质平板13的上表面即上介质锥形孔17的小孔端设有调制电极15，在下介质平板12的上表面即下介质锥形孔16的小孔端设有寻址电极14，其中上介质平板13上的上介质锥形孔17与下介质平板12上的下介质锥形孔16的中心线不在同一条中心线上，上介质平板13与下介质平板12可以紧密叠放，下介质锥形孔16的上部即小孔端与上介质锥形孔17的下部即大孔端重叠连通，上介质平板(13)与下介质平板(12)之间可以留有一定的间隙，下介质锥形孔16的上部即小孔端与上介质锥形孔17的下部即大孔端可以不相重叠。在上介质锥形孔17和下介质锥形孔16的壁上设有高2次电子发射系数的介质材料。图3为将调制电极制作在场发射显示器件中的结构示意图。在阴极电极19上制作场发射尖端20，在其上制作相应的门电极21，门电极的形式可以有多种形式，在门电极上放置本专利技术的调制电极板，将寻址电极作为平行排列的行选择电极，调制电极作为平行排列的与行电极垂直的列电极。在列电极后放置有荧光粉的阳极荧光屏22。在使用时在金属门电极21上施加固定的电位使所有阴极发射单元发射电子。在寻址电极上施加一定电压作为行选址，施加较高的电压选择某一行能够有电子通过下介质锥形孔16，其他行施加较低电压的电子使这些行的电子不能通过下介质锥形孔16；将调制电极作为列选择电极，在其上施加调制电压调制通过上介质锥形孔17的电子数目达到所寻址的行所对应列的灰度调节的目的，通过列电极的经调制的电子在高电压的阳极的作用下轰击荧光粉发光。本专利技术对电子源部分没有特殊要求，只要能有一定能量在孔壁上产生二次电子的就可以。电子源可以是普通门的场发射电子源，也可以是门在阴极下面的电子源，也可以是其他阴极电子源。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低调制电压动态范围的场发射寻址结构，由介质平板、介质层所组成，其特征在于该结构由上介质平板（１３）和下介质平板（１２）叠放在一起所组成，在上介质平板（１３）上设有上介质锥形孔（１７），在下介质平板（１２）上设有下介质锥形孔（１６），在上介质平板（１３）的上表面即上介质锥形孔（１７）的小孔端设有调制电极（１５），在下介质平板（１２）的上表面即下介质锥形孔（１６）的小孔端设有寻址电极（１４），其中上介质平板（１３）上的上介质锥形孔（１７）与下介质平板（１２）上的下介质锥形孔（１６）的中心线不在同一条中心线上。

【技术特征摘要】
1.一种低调制电压动态范围的场发射寻址结构，由介质平板、介质层所组成，其特征在于该结构由上介质平板(13)和下介质平板(12)叠放在一起所组成，在上介质平板(13)上设有上介质锥形孔(17)，在下介质平板(12)上设有下介质锥形孔(16)，在上介质平板(13)的上表面即上介质锥形孔(17)的小孔端设有调制电极(15)，在下介质平板(12)的上表面即下介质锥形孔(16)的小孔端设有寻址电极(14)，其中上介质平板(13)上的上介质锥形孔(17)与下介质平板(12)上的下介质锥形孔(16)的中心线不在同一条中心线上。2.根据权利要求1所述的低...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷威，张晓兵，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]