一种Ｃ－轴择优取向单晶ＺｎＯ六棱微管的制备方法，其特征是采用下面的步骤：　　　　步骤１、先合成前驱物，将前驱物加去离子水配置成浓度为０．３～０．５Ｍ（每升溶液中溶剂的摩尔含量）的溶液；　　　　步骤２、将配好的溶液加入内衬耐酸碱并能承受一...

本发明提供了一种铁电材料锆钛酸铅纳米薄膜结晶取向生长的晶化方法，它是通过射频溅射在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ↓［２］／Ｓｉ的衬底上室温沉积得到非晶ＰＺＴ薄膜，采用传统热处理和快速热处理两种晶化工艺相结合的方法在一定的氧气氛环境下使非晶薄膜结晶，...

无铅镥铋石榴石薄膜制备方法，属于电子材料领域，特别涉及石榴石薄膜材料的液相外延制备技术。本发明包括以下步骤：步骤一熔体制备：称量高纯氧化物原料Ｌｕ↓［２］Ｏ↓［３］和Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］，研磨，混和后熔化并放置，然后降低温度至生长温度...

铈钇共掺钛酸锶钡纳米材料及其制备方法，属于无机电子功能材料技术领域。铈钇共掺钛酸锶钡纳米材料，主体成分为Ｂａ↓［ｘ］Ｓｒ↓［１－ｘ］ＴｉＯ↓［３］（０．２≤ｘ≤０．８），部分Ｂａ↑［２＋］离子和Ｓｒ↑［２＋］离子被Ｙ↑［３＋］离子替位取...

本发明属于印制电路板制造技术领域。本发明提供了一种经济，实用，快速、高效和易于再生的印制电路蚀刻液。该蚀刻液的配方为：ＨＮＯ↓［３］（５％～１５％）、Ｈ↓［２］ＳＯ↓［４］（８％～２０％）、Ｎａ↓［２］ＳＯ↓［４］（１％～６％）、添加剂...

本实用新型是关于平面磁控溅射靶，应用于高速，均匀淀积薄膜的磁控溅射。它是由磁体、磁隙、磁体密封罩和冷却系统组成。靶内磁体采用了倾斜极面、并与磁隙相应配合，组成磁路。这样增加了磁场平行分量、减小磁通外漏、具有靶的刻蚀均匀度好，刻蚀面积大、...

本实用新型公开了一种用于沉积制备薄膜的装置，它是由导轨、转轴、圆形基片夹具组成，导轨与转轴相连，导轨中心线与转轴轴线有一夹角，圆形基片夹具置于导轨凹槽中，在凹槽中，圆形基片夹具和导轨有一个间隙，该装置实际上是以单轴带动实现基片的准双轴的...

本发明介绍了一种用于薄膜制造技术的磁控溅射镀膜源。它的构成如下：两个磁极对称的外部环形永磁体和一个内部环形永磁体形成磁控溅射磁场，在内部永磁体的外围装有一个水冷溅射阴极，并在它的上面安放着靶材，在外部永磁体和水冷溅射阴极之间装有一个阴极...

本发明为低电阻温度系统锰铜薄膜的制备方法。采用磁控溅射或射频溅射法沉积锰铜薄膜，通过对基板温度、锰铜靶的温度，以及热处理温度的控制，可使制备的锰铜薄膜的电阻温度系统达到±１０×１０↑［－６］／℃，达到了与块状材料相当的水平。

本发明涉及有机材料真空蒸发镀膜所用的热蒸发源，它是一个金属容器，其内部设置有片状或柱状金属导热体。有机材料放置在金属容器内，利用金属容器器壁和金属片或金属柱的热传导实现对有机材料的均匀加热。从而解决蒸发过程中有机材料分解及材料粉末喷射出...

本发明提供了一种用于高温下薄膜沉积的面内旋转装置，它由常规传动部分和面内旋转部分构成，面内旋转部分有轴向支撑盘９、径向支撑盘１０通过调距螺杆１１固定在一起，其间距可通过调距螺杆１１调节，大齿轮６分别与轴向支撑盘９和径向支撑盘１０通过滚珠...

一种基于转速调制的提高薄膜厚度均匀性的方法，其特征是采用下面的步骤：　　　　第一步：根据成膜方法制备大面积薄膜膜厚分布的特点，确定基片处于不同位置时薄膜沉积速率分布规律；所述的成膜方法可以是蒸发、溅射、脉冲激光沉积等；所述的基片处于不同...

一种平面磁控溅射－多工位镀膜装置，它包括：Ｍ（Ｍ为自然数）个平面磁控溅射靶（１４）、Ｎ（Ｎ为自然数）工件夹（１５）、加热器（２８）、充气孔（２９）、真空镀膜室（３０）、真空抽气组（３２），其特征是它还包括：转盘（１６）、连接杆（１７）、...

一种双倒筒靶结合基片双轴旋转的镀膜装置，包括：转动驱动轴１、基片导轨２以及基片３，圆筒形靶材９，真空腔体１６，由转动驱动轴１、基片导轨２以及基片３构成双轴旋转机构，其特征是它还包括：圆筒形靶材１０、圆筒形靶材１０位于圆筒形靶材９相对应的...

本发明的目的是提供一种确定“一种平面磁控溅射－多工位镀膜装置”（专利申请号为：２００３１０１１０８４６．２）的最优自转与公转转速比的方法，它是通过先求出靶上方的膜厚分布Ｄ（ｘ，ｙ），利用线积分得到这种结构的装置的膜厚分布Ｍ，然后确定均值...

铁电薄膜的化学液相交替沉积方法，涉及一种铁电薄膜沉积技术。本发明在基底材料上交替涂覆前驱体溶液，利用层间合成反应制备铁电薄膜。本发明的有益效果是，因为每次旋涂得到薄层很薄，在纳米级，并且第一个薄层热处理后得到的晶粒粒径很小，只有十几个纳...

一种旋转磁场平面靶磁控溅射装置，属于电子机械技术领域，特别涉及磁控溅射镀膜装置。主要包括基片托盘１、靶座２、靶材３和真空腔体８，基片托盘１、靶座２和靶材３位于真空腔体８内，基片托盘１位于靶座２和靶材３的上方，靶材３安装于靶座２上；其特征...

一种用于制备氧化锌薄膜的有机锌源及其制备方法，属于化学材料合成技术领域。所述有机锌源的主要成分为一种分子式为Ｚｎ↓［４］（ＯＨ）↓［２］（Ｏ↓［２］ＣＣＨ↓［３］）↓［６］.２Ｈ↓［２］Ｏ的有机醋酸锌类化合物，其中可以含有少量的ＺｎＯ其...

本发明提出了一种具有应力限制层的位移型铁电超晶格薄膜材料及其制备方法，该种材料结构上包括基片、缓冲层、位移型铁电超晶格薄膜和金属电极，与现有技术不同的是，该种材料在位移型铁电超晶格薄膜和金属电极之间还有一层应力限制层，应力限制层选用与位...

一种双面超导带材缓冲层的连续制备方法，属于超导材料技术领域，特别涉及超导带材的制备方法。本发明使用一种带有上、下两个转盘的对靶磁控溅射装置，所述溅射装置的上转盘８和下转盘１位于对靶４中心连线的垂直平分线的上下，且分别由一个步进电机控制；...