电子科技大学专利技术

电子科技大学共有35043项专利

  • 一种锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法,属于电子材料技术领域,涉及氧化物电极与PZT薄膜生长取向的薄膜电容的制备。首先采用激光蒸发沉积法在MgO(100)基片上沉积LNO底电极;然后采用射频磁控溅射法在LNO底电极薄膜上沉积PZT铁电薄膜;...
  • 薄膜沉积装置,涉及一种薄膜沉积设备,特别是一种沉积腔内温度可调、基片承放台种类可换的大面积薄膜化学气相沉积设备,属于薄膜材料领域。本发明提供一种满足根据不同薄膜的生长要求、构造简单的薄膜沉积装置。本发明包括:至少两个加热装置,用于对沉积...
  • 一种金属氧化物纳米反阵列薄膜的制备方法,属于材料技术领域,涉及一种利用纳米胶体球刻蚀技术制备纳米金属氧化物薄膜的方法。将一定尺寸的纳米高分子胶体球分散在基片上形成纳米球模板,利用氧环境下的磁控反应溅射工艺在纳米球模板上沉积金属氧化物薄膜...
  • 本发明公开了一种钛酸锶钡薄膜材料的制备方法,该方法采用直流磁控溅射法制备Pt/Ti底电极,采用Ba↓[x]Sr↓[1-x]TiO↓[3]陶瓷靶材及射频磁控溅射设备,在较低功率下预溅射后,在正常工艺条件下溅射BST薄膜,然后在O↓[2]气...
  • 本发明公开了一种提高膜厚均匀性的离轴溅射控制方法,系用圆形平面靶2溅射薄膜,基板1与靶2偏心放置,两者中的任意一个绕其中心轴自转,薄膜的厚度均匀性由靶基距h和偏心距D调节,当刻蚀环3的断面为U形或近似于矩形,并且溅射时气压小于5Pa时,...
  • 一种氧化钒薄膜的制备方法,其特征是依次包括以下步骤:    1)、准备衬底基片,所准备的衬底基片需要表面清洁;    2)、采用反应离子溅射镀膜工艺制备氧化钒薄膜,具体工艺条件为:    靶材:纯金属钒;本底真空度:<10↑[-3]Pa...
  • 钇铁石榴石薄膜材料制备方法,涉及电子材料领域,本发明包括以下步骤:1)清洗基片表面;2)真空环境下在基片上溅射薄膜;3)微波退火薄膜材料。本发明的有益效果是,采用本发明的方法制备的材料具有结构致密、介电常数大、介电损耗耗小的优点,是应用...
  • 一种降低尖晶石铁氧体薄膜材料退火温度的制备方法,属于信息材料技术领域。本发明在基片上制备尖晶石结构铁氧体薄膜之前,先在基片上制备一层Fe↓[3]O↓[4]缓冲层薄膜,在对尖晶石结构铁氧体薄膜进行退火晶化处理时,利用Fe↓[3]O↓[4]...
  • 一种高温加热的真空蒸发镀膜装置,属于电子机械技术领域,本发明包括钟罩、基片夹和设置在基座上的蒸发室,所述蒸发室内设置有加热装置,所述基片夹、蒸发室和加热装置为至少两组;各基片夹安装在基片夹基座上;还包括驱动基片夹基座与基座相对升降、旋转...
  • 本发明公开了一种氮化铝压电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤①:清洁基片,以铝作为靶材;步骤②:将基片送入磁控溅射机;步骤③:使用射频磁控溅射方法沉积具有压应力或者张应力的氮化铝多晶薄膜;步骤④:使用射频磁控溅射方法在步骤③...
  • 本发明提供一种大块钆基复合非晶磁致冷材料及其制备方法,属于金属材料技术领域。大块钆基复合非晶磁致冷材料的化学通式为:Gd↓[60]Co↓[26]Al↓[14-x]Ge↓[x],其中,0<x≤10。其主体材料为由Gd、Co、Al和Ge熔融...
  • 本发明提供一种大块稀土钆基复合非晶材料及其制备方法,属于金属材料技术领域。本发明所述大块稀土钆基复合非晶材料的化学通式为:Gd↓[55]Co↓[15]Al↓[30-x]Ge↓[x],其中,0<x≤10。其主体材料为由Gd、Co、Al和G...
  • 本新型公开一种连续式微波焙烧矿物设备,它是由多台微波焙烧炉串联后组成的系统构成,每个微波焙烧炉由微波功率源、微波传输系统、微波焙烧炉体组成。微波焙烧炉体由炉腔、炉门5、混合抗流器3、波导法兰6、抽风口7、滚轴11、保温隔热层12和机架9...
  • 本发明公开一种微波预处理包裹型复合铂钯矿技术,它是将大功率微波能通过由大功率环行器、销钉调配器、波导组成的微波传输系统对炉体内的包裹型复合铂钯矿加热处理,改善矿物后续浸出性能,再采用传统的湿法浸出、分离回收铂钯等贵金属。采用本发明所公开...
  • 一种解旋高分子量全基因组超螺旋结构的方法,属于生物基因技术领域,特别涉及高分子量全基因组超螺旋结构的解旋方法。本发明实质上是对Zollinger等人报道的核酸电镜铺展技术进行了改进:①将铺展液中的SLS浓度提高5倍;②将细胞色素C浓度降...
  • 一种增强纳米锐钛矿(TiO↓[2])光致发光的方法,其特征是采用下面的步骤:    步骤1.将锐钛矿型TiO↓[2]纳米粉在空气中于115~125℃干燥8h(小时);    步骤2.接枝单体甲基丙烯酸甲酯MMA(分析纯)先进行蒸馏精制,...
  • 方酸内鎓盐有机电致发光材料及其制备方法,属于材料技术领域,特别是涉及有机电致发光材料及制备方法。本发明提供的方酸内鎓盐有机电致发光材料,是一种主体材料由方酸内鎓盐构成的有机粉末状材料,所述方酸内鎓盐的结构式为(Ⅰ)。利用方酸与胺作原料,...
  • 本发明提供一种在单晶α-Al↓[2]O↓[3]中制备纳米氧化锌发光材料的方法,属于纳米复合光学材料技术领域,特别涉及一种纳米氧化锌发光材料的制备方法。其技术方案实质是采用离子注入法和控制退火法制备纳米氧化锌光致发光材料的方法。在常温环境...
  • 本发明提供了以氰基侧基二元胺为原料制备而得的苯并噁嗪树脂中间体、苯并噁嗪树脂及树脂固化物。制备工艺简单、产率高,制备而得的树脂及固化物具有较好的自阻燃性、粘接性、热稳定性和流动性,可以应用于涂料、电子封装材料、树脂基复合材料中。
  • 一种高导热复合相变储能材料及其制备方法,属于复合相变储能材料技术领域。其材料由无机金属多孔连续材料、相变储能材料和封孔材料复合而成;其中,相变储能材料为均匀分布于无机金属多孔连续材料的孔中的固-液相变储能材料,整个材料表面用封孔材料密封...