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电子科技大学专利技术
电子科技大学共有35043项专利
应用于不停车收费系统的车载单元技术方案
本实用新型涉及一种应用于不停车收费系统的车载单元,包括基带处理模块、微波天线模块、唤醒模块、微波收发模块和电源控制模块,其特征在于,还包括太阳能充电模块;所述太阳能充电模块分别和电源控制模块和基带处理模块连接,用于在基带处理模块的控制下...
一种用于无线移动终端的时间反演亚波长阵列天线制造技术
一种用于无线移动终端的时间反演亚波长阵列天线,属于电子技术领域。由多个相同的天线单元层叠而成;每个天线单元的辐射单元为等腰三角环;等腰三角环上均匀刻蚀有十字槽;等腰三角环的顶点位置通过阻抗变换微带线与50欧姆微带馈线相连;金属底板位于矩...
一种开关电源集成电路的数字控制软启动电路制造技术
本实用新型提出了一种开关电源集成电路的数字控制软启动电路,它涉及到集成电路中开关电源软启动电路,本实用新型提供的软启动电路是一种体积小、成本低的软启动电路,用于依据一外部时钟信号和一基准电压信号产生一第一电压信号,其包括:一计数器,依据...
一种微波硫灯制造技术
本实用新型公开了一种微波硫灯。本实用新型针对现有的微波硫灯的微波谐振腔多采用封闭的网状金属腔存在的问题,提出了一种微波硫灯。该微波硫灯包括透明玻璃灯罩、由底部曲面和顶部曲面组成的开放式微波谐振腔,其中顶部曲面为金属曲面,底部曲面为在玻璃...
一种基于数控工作台的热误差补偿装置制造方法及图纸
本实用新型涉及一种基于数控工作台的热误差补偿装置。包括分布于数控工作台上的串行温度传感单元,与串行温度传感单元连接的温度采集控制单元和与温度采集控制单元连接的误差计算补偿单元,其特征在于,所述温度传感单元包括至少两个温度传感器,所述温度...
一种模拟静电场无纸描绘仪制造技术
本实用新型公开了一种可广泛用于高校、中职及中学物理实验和教学演示的模拟静电场的无纸描绘仪。包括含底座板、描绘平台及支承柱在内的描绘仪架体,带弹性式探针悬臂和弹性式描绘头悬臂的联动架及分设于两悬臂前端的探针、笔式描绘头,导电微晶玻璃板及置...
一种非相干分布式信号二维波达角的测定方法技术
该发明属于无线移动通信技术领域中采用阵列天线测定非相干多径分布式信号二维波达角的测定方法。包括:设置由两个均匀圆阵组成的立体天线阵列,建立两个圆阵数据的协方差矩阵,确定子矩阵及中心俯仰角初值,建立任意一个圆阵的协方差矩阵,建立伪噪声子矩...
一种相干分布式信号二维波达角的测定方法技术
本发明属于无线移动通信技术领域中一种测定相干分布式信号二维波达角的测定方法。包括:设置一个由三个平行的均匀线阵组成的立体天线阵列,建立各相干分布信号的数据矢量矩阵及传播算子矩阵,消除孔径损失,建立旋转矩阵及进行旋转矩阵特征值的配对组合,...
一种基于协方差绝对值法的频谱检测方法技术
该发明属于通信技术领域中的频谱检测方法,包括:系统检测门限值的设定,对空间电磁信号进行连续采样,对采样数据进行重叠分组,确定各分组的自相关值及相关值的合并处理,建立协方差矩阵,判定电磁频谱信号的有无。该发明由于直接对从射频前端接收的数据...
载波聚合下HARQ的跨载波重传方法技术
本发明属于宽带无线通信技术领域,主要涉及多载波聚合下的自动重传机制设计。本发明提出了一种载波聚合下,跨载波的混合自动重传方法,它的原理是需要重传的HARQ进程不在原成分载波上重传,而是按照上层指示和实现预定好的收发双方都知道的跳转顺序,...
一种基于粒子系统的运载火箭尾焰仿真方法技术方案
本发明涉及一种基于粒子系统的运载火箭尾焰仿真方法,其特征在于,包括如下步骤:S1.对运载火箭尾焰粒子进行定义和初始化;S2.依据运载火箭飞行轨迹和规律,确定尾焰喷管的运动轨迹;S3.分析运载火箭整个飞行时段中尾焰粒子受力情况,确定其力学...
一种SOI型P-LDMOS制造技术
本发明提供了一种SOI型P-LDMOS,包括:半导体衬底层、介质埋层和半导体有源层,所述半导体有源层内具有多个间隔设置的n+掺杂区,位于介质埋层与半导体有源层的交界面的半导体有源层一侧,所述半导体有源层内无轻掺杂漏区域。该方案与现有技术...
一种微波介质材料复介电常数测试方法技术
一种微波介质材料复介电常数测试方法,属于微波测试技术领域。首先将待测微波介质材料加工成两面平行的矩形薄片状,同时准备两个介质材料支撑块和两条金属导带,然后将三者组成一个双面平行带线谐振器,采用微波扫频测试信号通过同轴耦合探针输入双面平行...
一种直流偏移消除电路制造技术
本发明公开了一种直流偏移消除电路,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一反馈电容、第二反馈电容、第一电压控制信号端口、第二电压控制信号端口、信号输入正端、信号输入负端、信号输出正端、信号输出负端和运算放大器。通过第一...
漏泄同轴电缆的传输损耗或耦合损耗的计算方法技术
本发明涉及漏泄同轴电缆的传输损耗或耦合损耗的计算方法。本发明根据漏泄同轴电缆的传输损耗和耦合损耗在长度方向(如Z轴)上的值均具有收敛特性的规律,提出了针对传输损耗或耦合损耗的计算方法。在本发明中漏泄同轴电缆的传输损耗值和耦合损耗值计及了...
一种双基地前视合成孔径雷达成像方法技术
本发明公开了一种双基地前视合成孔径雷达成像方法。本发明针对现有的方法在双基地前视合成孔径雷达成像处理时的缺陷,采用基于最小二乘多项式拟合的双基地前视SAR点目标响应二维频谱,该频谱是理论精确二维频谱的最小二乘逼近。利用该频谱,根据双基地...
一种双基地前视合成孔径雷达测绘带范围计算方法技术
本发明公开了一种双基地前视合成孔径雷达测绘带范围计算方法。本发明根据双基地前视SAR分辨率理论,确定双基地前视SAR前视区域内可成像与不可成像的界限,同时采用模糊理论,结合双基地前视SAR波束照射的特殊性,计算系统不模糊条件下的成像测绘...
斜视合成孔径雷达多普勒模糊数快速测定方法技术
本发明涉及斜视合成孔径雷达多普勒模糊数快速测定方法,包括步骤:A.获取成像目标的回波数据,并利用常规匹配滤波方法进行距离向脉冲压缩获得距离压缩后的回波数据;B.针对距离压缩后的回波数据,选取对比度高的的区域,利用Canny边缘检测算子进...
双基地合成孔径雷达点目标响应二维频谱的计算方法技术
本发明公开了一种双基地合成孔径雷达点目标响应二维频谱的计算方法。本发明针对现有技术存在的缺陷,设计了一种双基地合成孔径雷达点目标响应二维频谱的计算方法,克服了现有LBF方法和扩展LBF方法对大斜视和前视等模式双基地SAR点目标响应二维频...
槽型半导体功率器件制造技术
本发明涉及一种半导体器件,该器件包括半导体衬底,所述半导体衬底上是半导体漂移区,所述半导体漂移区包括第一导电类型的半导体区和第二导电类型的半导体区,所述第一导电类型的半导体区和所述第二导电类型的半导体区形成超结结构。所述半导体衬底上是高...
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